检测装置的制作方法

技术特征：
1.一种检测装置，具有：基板；多个光电转换元件，排列在所述基板上；多个晶体管，包括半导体层和与所述半导体层对置的栅极电极，与多个所述光电转换元件分别对应地设置；以及第一电极和第二电极，在与所述基板垂直的方向上设置在所述基板与所述光电转换元件之间，且隔着绝缘膜而对置，所述第一电极具有：多个主部，与所述光电转换元件分别重叠；和连结部，连接相邻的所述主部，所述第二电极呈岛状地形成于所述多个光电转换元件中的每一个，所述第一电极与所述栅极电极同层，所述第二电极与所述半导体层同层。2.一种检测装置，具有：基板；多个光电转换元件，排列在所述基板上；多个晶体管，包括半导体层、与所述半导体层对置的栅极电极、以及与所述半导体层连接的源极电极，与多个所述光电转换元件分别对应地设置；以及第一电极和第二电极，在与所述基板垂直的方向上设置在所述基板与所述光电转换元件之间，且隔着绝缘膜而对置，所述第一电极具有：多个主部，与所述光电转换元件分别重叠；和连结部，连接相邻的所述主部，所述第二电极呈岛状地形成于所述多个光电转换元件中的每一个，所述第一电极与所述栅极电极同层，所述第二电极与所述源极电极同层。3.根据权利要求1或2所述的检测装置，其中，在俯视时，所述第一电极和所述第二电极设置于不与多个所述晶体管重叠的区域，在俯视时，所述第一电极和所述第二电极与所述光电转换元件重叠。4.根据权利要求1至3中任一项所述的检测装置，其中，在俯视时，所述第一电极和所述第二电极中的至少一方具有角部被倒角的倒角部。5.根据权利要求1至4中任一项所述的检测装置，其中，多个所述光电转换元件在第一方向上并排排列，所述第一电极的所述连结部将在所述第一方向上相邻的所述主部电连接。6.一种检测装置，具有：基板；多个光电转换元件，排列在所述基板上；多个晶体管，与多个所述光电转换元件分别对应地设置；以及第一电极和第二电极，在俯视时，设置于与所述光电转换元件以及多个所述晶体管重叠的区域，在与所述基板垂直的方向上隔着绝缘膜而对置，所述第一电极设置在所述光电转换元件之上，
所述第二电极隔着所述绝缘膜设置在所述第一电极之上。7.根据权利要求6所述的检测装置，其中，所述检测装置具有：有机绝缘膜，覆盖多个所述晶体管；以及下部电极，在与所述基板垂直的方向上设置在所述有机绝缘膜与所述光电转换元件之间，并与所述光电转换元件电连接，所述第二电极在不与所述光电转换元件重叠的区域延伸，经由贯通所述绝缘膜的接触孔而与所述下部电极电连接。8.根据权利要求6或7所述的检测装置，其中，所述检测装置具有与多个所述晶体管连接的多个信号线和多个扫描线，所述光电转换元件、所述第一电极和所述第二电极设置在由多个所述信号线和多个所述扫描线围成的每个区域。9.根据权利要求1至8中任一项所述的检测装置，其中，所述第一电极与基准电位连接，所述第二电极与所述晶体管及所述光电转换元件电连接。10.根据权利要求1至9中任一项所述的检测装置，其中，多个所述晶体管包括源极跟随器晶体管、复位晶体管以及读出晶体管，所述第二电极与所述复位晶体管的源极和漏极中的一方以及所述源极跟随器晶体管的栅极电连接。11.根据权利要求1至10中任一项所述的检测装置，其中，所述光电转换元件包括层叠在所述基板之上的n型半导体层、i型半导体层和p型半导体层。

技术总结
一种检测装置，具有：基板；多个光电转换元件，排列在基板上；多个晶体管，包括半导体层和与半导体层对置的栅极电极，与多个光电转换元件分别对应地设置；以及第一电极和第二电极，在与基板垂直的方向上设置在基板与光电转换元件之间，且隔着绝缘膜而对置，第一电极具有与光电转换元件分别重叠的多个主部和连接相邻的主部的连结部，第二电极呈岛状地形成于多个光电转换元件中的每一个，第一电极与栅极电极同层，第二电极与半导体层同层。第二电极与半导体层同层。第二电极与半导体层同层。


技术研发人员：阿部裕行
受保护的技术使用者：株式会社日本显示器
技术研发日：2020.11.26
技术公布日：2022/7/29