半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种方法，其包括：接收衬底，所述衬底包括放置于其上的牺牲栅极结构，其中所述牺牲栅极结构包括牺牲栅极层及牺牲电介质层；移除所述牺牲栅极层以形成暴露所述牺牲电介质层的栅极沟槽；对由所述栅极沟槽中的所述牺牲电介质层覆盖的所述衬底的一部分执行离子植入；移除所述牺牲电介质层以从所述栅极沟槽暴露所述衬底；在所述栅极沟槽中的所述衬底上方形成界面层；及在所述栅极沟槽中的所述界面层上方形成金属栅极结构。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述离子植入包含氟化处理过程。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述离子植入的能量在从约0.1kev到约2kev的范围内。4.根据权利要求1所述的方法，其中从所述衬底移除所述牺牲电介质层形成所述衬底的弯曲顶面。5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述金属栅极结构进一步包括：在所述栅极沟槽中的所述界面层上方形成金属电介质层；在所述栅极沟槽中的所述栅极电介质层上方形成功函数金属层；及在所述功函数金属层上方形成间隙填充金属层以填充所述栅极沟槽。6.一种方法，其包括：接收半导体结构，所述半导体结构包括横越鳍状结构且放置于一对间隔件之间的牺牲栅极结构，其中所述牺牲栅极结构包括牺牲栅极层及牺牲电介质层；移除所述牺牲栅极层以暴露所述一对间隔件之间的所述牺牲电介质层；引入多个掺杂剂以形成所述鳍状结构中的掺杂区域及一对掺杂间隔件；从所述鳍状结构的第二部分移除所述牺牲电介质层及所述鳍状结构的第一部分；在所述一对掺杂间隔件之间的所述鳍状结构的所述第二部分上方形成界面层；及在所述一对掺杂间隔件之间的所述界面层上方形成金属栅极结构。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述一对掺杂间隔件具有减小介电常数。8.根据权利要求6所述的方法，其中所述一对掺杂间隔件中的所述多个掺杂剂的浓度基本上小于所述掺杂区域中的所述多个掺杂剂的浓度。9.一种半导体结构，其包括：半导体衬底，其具有鳍状结构；界面层，其位于所述半导体衬底上方，具有凹形轮廓；及金属栅极结构，其位于所述界面层上方，所述金属栅极结构包括栅极电介质层、功函数金属层及间隙填充金属层，其中沿基本上平行于所述半导体衬底的上表面的第一方向测量的所述间隙填充金属层的厚度沿基本上垂直于所述半导体衬底的所述上表面的第二方向变化。10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中所述间隙填充金属层具有中心部分及包围所述中心部分的外围部分，且从横越所述鳍状结构的剖面图看，所述中心部分的底面低于所述外围部分的底面。

技术总结
本发明实施例涉及一种半导体结构及一种用于形成半导体结构的方法。移除牺牲栅极层以形成暴露牺牲电介质层的栅极沟槽。对由所述栅极沟槽中的所述牺牲电介质层覆盖的衬底的一部分执行离子植入。移除所述牺牲电介质层以从所述栅极沟槽暴露所述衬底。在所述栅极沟槽中的所述衬底上方形成界面层。在所述栅极沟槽中的所述界面层上方形成金属栅极结构。的所述界面层上方形成金属栅极结构。的所述界面层上方形成金属栅极结构。


技术研发人员：陈奕升 李晓菁 李宜静
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.01.26
技术公布日：2022/7/29