光器件的制作方法

技术特征：
1.一种光器件，其具备：硅基板，其主面的晶面的面取向为(111)面，且在所述主面设置有凹凸结构；以及导电体，其与所述硅基板进行肖特基接合；其中，所述导电体与所述凹凸结构中的凸部及凹部中的至少一者的(111)面直接接合。2.根据权利要求1所述的光器件，其中，所述凸部的(111)面为所述凸部的上表面，所述凹部的(111)面为所述凹部的底面。3.所述权利要求2所述的光器件，其中，所述导电体与所述凸部的上表面及所述凹部的底面这两者直接接合。4.根据权利要求1～3中任一项所述的光器件，其中，在所述凸部的侧面或所述凹部的侧面存在不与所述导电体接触的部分。5.根据权利要求1～4中任一项所述的光器件，其中，所述凹凸结构具有通过表面等离子体激元共振来吸收电磁波的特性。6.根据权利要求1～5中任一项所述的光器件，其中，所述导电体为选自金、银、铜、钯及铝中的单一金属、或者包含这些金属中的至少一种的合金。7.根据权利要求1～5中任一项所述的光器件，其中，所述导电体为包含选自铟、锡、锌及镉中的至少一种的氧化物。8.根据权利要求1～5中任一项所述的光器件，其中，所述导电体为包含选自钛、锆、铪、钒、铌、钽、钼及钨中的至少一种的氮化物。9.根据权利要求1～5中任一项所述的光器件，其中，所述导电体为由选自权利要求6所述的金属或合金、权利要求7所述的氧化物、及权利要求8所述的氮化物中的至少两种形成的层叠结构。10.根据权利要求1～9中任一项所述的光器件，其进一步具备将所述凸部、所述凹部及所述导电体覆盖的电极层。

技术总结
本发明提供的光器件(1)具备：硅基板(10)，其主面的晶面的面取向为(111)面，且在该主面设置有凹凸结构(11)；以及导电体(20)，其与硅基板(10)进行肖特基接合；其中，导电体(20)与凹凸结构(11)中的凸部(11a)及凹部(11b)中的至少一者的(111)面直接接合。至少一者的(111)面直接接合。至少一者的(111)面直接接合。


技术研发人员：武田英治 冈本慎也
受保护的技术使用者：松下知识产权经营株式会社
技术研发日：2020.11.13
技术公布日：2022/8/5