半导体装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在inp基板的表面设置脊部的工序；以覆盖所述脊部的方式在所述inp基板的表面涂敷光致抗蚀剂的工序；经由掩模对所述光致抗蚀剂的对处于所述脊部的头部的电极部的一部分进行覆盖的区域进行曝光，并进行显影而形成抗蚀剂图案的工序；以覆盖所述抗蚀剂图案的方式涂敷收缩材料的工序；使残存于所述抗蚀剂图案的曝光后的界面中的酸与所述收缩材料反应而形成交联部的工序；以及在剥离除发生反应的所述收缩材料以外的未反应的收缩材料后，通过蚀刻加工除去从形成有所述交联部的抗蚀剂图案露出的电极部的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述电极部的一部分是设置于所述inp基板的激光二极管部的所述脊部的头顶部分。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述脊部包含波导，所述波导以及所述电极部均由ingaas构成。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述光致抗蚀剂包含重氮萘醌以及酚醛清漆树脂。

技术总结
本发明的半导体装置的制造方法包括如下工序：在InP基板(1)的表面设置脊部(4)的工序；以覆盖脊部的方式在InP基板的表面涂敷光致抗蚀剂(10)的工序；经由掩模(20)对光致抗蚀剂的对处于脊部的头部的电极接触部的一部分进行覆盖的区域进行曝光，并进行显影而形成抗蚀剂图案(11)的工序；以对在形成抗蚀剂图案时所产生的抗蚀剂图案的缺陷部进行覆盖的方式涂敷收缩材料(16)的工序；使残存于抗蚀剂图案的曝光后的界面中的酸(33)与收缩材料反应，而在缺陷部形成交联部(17)来进行修复的工序；以及在剥离未反应的收缩材料后，通过蚀刻加工除去从修复缺陷部后的抗蚀剂图案露出的电极接触部(5b)的工序，由此得到所希望的加工形状。由此得到所希望的加工形状。由此得到所希望的加工形状。


技术研发人员：中谷光德
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：2020.01.10
技术公布日：2022/8/12