基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路的制作方法

技术特征：
1.一种基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路，包括直流电源、运算放大器、第一可控硅元件和负载，所述负载的正极电源输入端和负极电源输入端分别与所述直流电源的正极和负极连接构成负载回路，所述第一可控硅元件串联连接在所述负载回路上，所述运算放大器的信号输出端与所述第一可控硅元件的控制端连接，其特征在于：所述基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路还包括电流互感器、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第一电容，所述直流电源的正极与所述电流互感器的初级线圈的正极端连接，所述电流互感器的初级线圈的负极端与所述第一可控硅元件的阳极连接，所述第一可控硅元件的阴极与所述负载的正极电源输入端连接，所述电流互感器的次级线圈的正极端与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一电容的第一端和所述运算放大器的正信号输入端连接，所述运算放大器的负信号输入端、所述第二电阻的第一端和所述第三电阻的第一端相互连接，所述第三电阻的第二端与所述运算放大器的信号输出端连接，所述电流互感器的次级线圈的负极端、所述第一电容的第二端和所述第二电阻的第二端均与所述直流电源的负极连接。2.根据权利要求1所述的基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路，其特征在于：所述基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路还包括第一二极管、第二二极管、稳压二极管、第四电阻和第五电阻，所述第一二极管的正极与所述电流互感器的次级线圈的正极端连接，所述第一二极管的负极与所述第一电阻的第一端连接，所述第二二极管的正极与所述运算放大器的信号输出端连接，所述第二二极管的负极、所述稳压二极管的正极、所述第四电阻的第一端、所述第五电阻的第一端和所述第一可控硅元件的控制端连接相互连接，所述稳压二极管的负极、所述第四电阻的第二端和所述第一可控硅元件的阳极相互连接，所述第五电阻的第二端与所述直流电源的负极连接。3.根据权利要求1所述的基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路，其特征在于：所述第三电阻为热敏电阻。4.根据权利要求1、2或3所述的基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路，其特征在于：所述基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路还包括第二可控硅元件、电压比较器、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第九电阻，所述第二可控硅元件的阳极与所述运算放大器的正信号输入端连接，所述第二可控硅元件的控制端与所述电压比较器的信号输出端连接，所述电压比较器的正信号输入端与所述第六电阻的第一端连接，所述第六电阻的第二端、所述第八电阻的第一端和所述第九电阻的第一端相互连接，所述第八电阻的第二端与所述第一可控硅元件的阴极连接，所述电压比较器的负信号输入端串联所述第七电阻后与参考电压连接，所述第二可控硅元件的阴极和所述第九电阻的第二端均与所述直流电源的负极连接。5.根据权利要求4所述的基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路，其特征在于：所述第一可控硅元件为p沟道的场效应管且该场效应管的栅极为所述第一可控硅元件的控制端、源极为所述第一可控硅元件的阳极、漏极为所述第一可控硅元件的阴极，所述第二可控硅元件为n沟道的场效应管且该场效应管的栅极为所述第二可控硅元件的控制端、漏极为所述第二可控硅元件的阳极、源极为所述第二可控硅元件的阴极。

技术总结
本实用新型公开了一种基于互感器采样和积分原理的电流过冲抑制电路，包括直流电源、电流互感器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、运算放大器、第一可控硅元件和负载，负载的正极电源输入端和负极电源输入端分别与直流电源的正极和负极连接构成负载回路，电流互感器的初级线圈和第一可控硅元件串联连接在负载回路上，电流互感器的次级线圈与第一电阻串联后与运算放大器连接，第一电阻同时与第一电容连接，运算放大器的信号输出端与第一可控硅元件控制端连接。本实用新型通过采用电流互感器对电流进行采样，在完成缓启动后对后级设备的电压输出几乎没有影响，同时通过第一电阻和第一电容对采样电流进行积分，提高了控制精度。精度。精度。


技术研发人员：方良 陆怡霖 邓思雨 李勇明 聂正威 李瑾 李应杰
受保护的技术使用者：成都宏明电子股份有限公司
技术研发日：2022.01.11
技术公布日：2022/9/2