半导体结构的制作方法及半导体结构与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：提供基底；在所述基底上形成彼此分立的多个位线结构，相邻的所述位线结构之间具有第一接触孔，所述基底上不同区域的所述位线结构的初始水平高度不同；形成导电接触层，所述导电接触层填充多个所述第一接触孔，并覆盖多个所述位线结构的表面；对所述导电接触层进行化学机械研磨，使所述导电接触层顶部平坦化；控制对所述导电接触层和对所述位线结构的刻蚀选择比相同，回刻所述导电接触层和所述位线结构，使所述基底上不同区域的位线结构在同一水平高度；其中，所述第一接触孔的所述导电接触层形成电容接触插塞。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法还包括：继续刻蚀位于所述第一接触孔内的所述导电接触层，以在多个所述第一接触孔内分别形成水平高度相同的第二接触孔，所述第一接触孔中被保留的所述导电接触层形成为第一导电块；在所述第一导电块的表面形成第二导电块，所述第二导电块填充所述第二接触孔，所述第一导电块和所述第二导电块形成所述电容接触插塞。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一导电块的材料包括掺杂的硅材料，所述第二导电块的材料包括导电金属。4.根据权利要求1～3任意一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成导电接触层，包括：形成第一导电接触层，所述第一导电接触层填充多个所述第一接触孔，并覆盖多个所述位线结构的表面；回刻所述第一导电接触层；在所述第一导电接触层表面形成第二导电接触层，所述第二导电接触层填充剩余的所述第一接触孔，并覆盖多个位线结构的表面。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，形成导电接触层，还包括：在所述第一导电接触层和所述位线结构之间形成第三导电接触层。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在回刻所述第一导电接触层的过程中，回刻第三导电接触层，其中，所述第一导电接触层相对于所述第三导电接触层的刻蚀选择比大于1，以在多个所述第一接触孔内分别形成多个第一凹槽，所述第一凹槽的槽口在所述基底上的投影，覆盖所述第一凹槽的底壁在所述基底上的投影；所述第二导电接触层填充所述第一凹槽。7.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一导电接触层的材料中掺杂有第一掺杂元素，所述第三导电接触层的材料中掺杂有第二掺杂元素，所述第一导电接触层中所述第一掺杂元素的掺杂浓度大于所述第三导电接触层中所述第二掺杂元素的掺杂浓度。8.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述位线结构包括依次设置在所述基底上的位线导电层和保护层，所述位线结构还包括覆盖所述位线导电层和所
述保护层的隔离层，所述隔离层和所述保护层之间具有相同的刻蚀选择比。9.根据权利要求1～3、8中任意一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，多个所述位线结构包括相对位于初始水平高度最高的第一位线结构，以及相对位于初始水平高度最低的第二位线结构，对所述导电接触层和所述位线结构进行回刻，包括：刻蚀所述导电接触层，至暴露所述第一位线结构；调整刻蚀条件，以使对所述导电接触层和对所述位线结构的刻蚀选择比相同，刻蚀所述导电接触层和所述位线结构，至暴露所述第二位线结构。10.根据权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，通过刻蚀终点检测法刻蚀所述导电接触层和所述位线结构。11.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构由权利要求1所述的制作方法制作，其包括：基底；多个位线结构，独立设置在所述基底上，多个所述位线结构的水平高度相同；多个第一接触孔，每个所述第一接触孔位于相邻的两个所述位线结构之间；多个电容接触插塞，多个所述电容接触插塞对应设置在多个所述第一接触孔中，多个所述电容接触插塞的水平高度相同。12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述电容接触插塞包括：第一导电块，填充于所述第一接触孔的部分空间内，所述第一接触孔中剩余的空间形成为第二接触孔，分别位于多个所述第一接触孔中的多个第二接触孔水平高度相同；第二导电块，覆盖所述第一导电块的表面，并填充所述第二接触孔。13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电块包括：第一导电接触层，填充于所述第一接触孔内；第二导电接触层，覆盖所述第一导电接触层的表面。14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电块还包括：第三导电接触层，设置在所述第一导电接触层和所述位线结构之间。15.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电接触层的材料中掺杂有第一掺杂元素，所述第三导电接触层的材料中掺杂有第二掺杂元素，所述第一导电接触层中所述第一掺杂元素的掺杂浓度大于所述第三导电接触层中所述第二掺杂元素的掺杂浓度。

技术总结
本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，制作方法包括：在基底上形成多个位线结构，相邻的位线结构之间具有第一接触孔，不同区域的位线结构的初始水平高度不同；形成导电接触层填充多个第一接触孔；化学机械研磨使导电接触层顶部平坦化；控制对导电接触层和对位线结构的刻蚀选择比相同，回刻导电接触层和位线结构，使不同区域的位线结构在同一水平高度；第一接触孔的导电接触层形成电容接触插塞。本公开的半导体结构的制作方法及半导体结构中，通过控制对不同结构的刻蚀选择比，控制第一接触孔的深度，以使位于不同区域的第一接触孔的深度相同，有效增大制程窗口，保证制程的稳定性及提升产品良率。良率。良率。


技术研发人员：巩金峰
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.05.26
技术公布日：2022/9/2