基准电压校准电路及校准方法与流程

技术特征：
1.一种基准电压校准电路，其特征在于，所述基准电压校准电路包括：基准电压产生电路，包括用于产生基准电压v
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的晶体管；可变电阻，与基准电压产生电路相连，通过调节可变电阻的阻值r
dac
，以调节基准电压v
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；参考电流产生电路，接收所述基准电压产生电路产生的基准电压v
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，并产生参考电流i
ref
；校准电流产生电路，与参考电流产生电路、基准电压产生电路及可变电阻相连，接收参考电流产生电路产生的参考电流i
ref
，并产生校准电流i
trim
，提供至基准电压产生电路以调节基准电压v
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。2.一种基准电压校准电路，其特征在于，包括可变电阻、第一运放、第一pmos管、第二pmos管、第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、若干第一bjt、若干第二bjt、若干第三bjt及若干第四bjt，其中：第一pmos管的源极与电源电压相连，漏极与可变电阻的第一端相连，可变电阻的第二端与第一电阻的第一端相连，第二电阻的第一端与第一电阻的第二端相连，第二电阻的第二端与第四bjt的集电极和基极相连，第四bjt的发射极与第三bjt的集电极和基极相连，第三bjt的发射极与参考电位相连，其中，可变电阻的第一端用于输出基准电压v
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；第三电阻的第一端与电源电压相连，第二端与第二bjt的集电极相连，第二bjt的基极与第二电阻的第二端相连，发射极与第一nmos管的漏极相连，第一nmos管的源极与参考电位相连；第四电阻的第一端与电源电压相连，第二端与第一bjt的集电极相连，第一bjt的基极与第二电阻的第一端相连，发射极与第二nmos管的漏极相连，第二nmos管的源极与参考电位相连，栅极与第一nmos管的栅极相连；第二pmos管的源极与电源电压相连，栅极与第一pmos管的栅极相连，漏极与栅极短接且与第三nmos管的漏极相连，第三nmos管的源极与参考电位相连；第一运放的第一输入端与第一bjt的发射极相连，第二输入端与第二bjt的发射极相连，输出端与第一nmos管的栅极、第二nmos管的栅极及第三nmos管的栅极分别相连；所述第一运放、第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管构成一环路，且第一输入端的电压与第二输入端的电压相等；所述第一pmos管的漏极与基准电压输出节点相连。3.根据权利要求2所述的基准电压校准电路，其特征在于，所述基准电压v
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为：其中，v
be3
和v
be4
为第三bjt和第四bjt基极-发射极电压，k为玻尔兹曼常数，t为热力学温度，q为电子电量，第一bjt和第二bjt具有相同的集电极电流，且个数比为1：j，第三bjt和第四bjt具有相同的集电极电流，且个数比为1:1，r1、r2分别为第一电阻、第二电阻的阻值，i
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为校准电流，经由可变电阻的第二端流入基准电压产生电路。4.根据权利要求1或2所述的基准电压校准电路，其特征在于，所述基准电压校准电路还包括参考电流产生电路，所述参考电流产生电路包括第二运放、第三pmos管、第四pmos管、第四nmos管及第五电阻，其中：
第三pmos管和第四pmos管构成电流镜，第三pmos管的源极和第四pmos管的源极分别与电源电压相连，第三pmos管的栅极和第四pmos管的栅极相连；第三pmos管的漏极与第四nmos管的漏极相连，第四nmos管的栅极与第二运放的输出端相连，源极与第五电阻的第一端相连，第五电阻的第二端与参考电位相连；第二运放的第一输入端与基准电压v
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相连，第二输入端与第四nmos管的源极相连，第四pmos管的漏极输出参考电流i
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。5.根据权利要求1或2所述的基准电压校准电路，其特征在于，所述基准电压校准电路还包括校准电流产生电路，所述校准电流产生电路产生与参考电流i
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成预设比例关系的校准电流i
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，并提供至可变电阻。6.根据权利要求5所述的基准电压校准电路，其特征在于，所述校准电流产生电路包括mos管m0、mos管m1～mn及若干第一控制开关sw1～swn，mos管m0和mos管m1～mn分别构成n组电流镜，其中：mos管m0的漏极与参考电流i
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相连，源极与参考电位相连，栅极与漏极相连；mos管m1～mn的源极与参考电位相连，栅极与mos管m0的栅极相连，漏极与第一控制开关sw1～swn的第一端相连，第一控制开关sw1～swn的第二端与校准电流输出节点相连。7.根据权利要求6所述的基准电压校准电路，其特征在于，所述mos管m0的宽长比为所述mos管mn的宽长比为其中，为单元电流镜的宽长比，所述校准电流i
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为处于导通状态下的第一控制开关所在支路的电流之和。8.根据权利要求6所述的基准电压校准电路，其特征在于，所述校准电流产生单元还包括mos管mc0及mos管mc1～mcn，mos管mc0和mos管mc1～mcn分别构成n组电流镜，其中：mos管mc0的漏极与参考电流i
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相连，源极与mos管m0的漏极相连；mos管mc1～mcn的源极分别与mos管m1～mn的漏极相连，栅极与mos管mc0的栅极相连，漏极分别与第一控制开关sw1～swn的第一端相连。9.根据权利要求1或2所述的基准电压校准电路，其特征在于，所述可变电阻包括若干串联设置的电阻rd1～rdn及分别并联于电阻rd1～rdn两端的第二控制开关swc1～swcn。10.根据权利要求9所述的基准电压校准电路，其特征在于，所述电阻rdn的阻值为：r
dn
＝2
n-1
*r，其中，r为单元电阻值；可变电阻的阻值为处于关断状态下的第二控制开关所对应的电阻阻值之和。11.一种基准电压校准方法，其特征在于，所述基准电压校准方法包括：产生基准电压v
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；调节可变电阻的阻值r
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，校准基准电压v
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的温度系数；利用校准温度系数后的基准电压v
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产生参考电流i
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，并基于参考电流i
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产生校准电流i
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，校准基准电压v
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的电压绝对值。

技术总结
本发明揭示了一种基准电压校准电路及校准方法，所述基准电压产生电路，包括用于产生基准电压V


技术研发人员：张睿
受保护的技术使用者：思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司
技术研发日：2022.06.07
技术公布日：2022/9/2