气体电子倍增器板光电倍增管的制作方法

技术特征：
1.一种装置，所述装置包括：壳体，所述壳体包括近侧端部和远侧端部；光学窗口，所述光学窗口设置在所述壳体的所述近侧端部处；端壁板，所述端壁板设置在所述壳体的所述远侧端部处；馈通件，所述馈通件穿透所述端壁板；和气体电子倍增器(gem)板，所述gem板设置在所述光学窗口与所述端壁板之间。2.根据权利要求1所述的装置，所述装置还包括作为薄膜涂覆在所述光学窗口的表面上的光电阴极。3.根据权利要求2所述的装置，其中所述光电阴极包括锑化钾钠。4.根据权利要求1所述的装置，其中所述馈通件包括：导电线，所述导电线穿透所述端壁板；和气密密封件，所述气密密封件位于所述导电线与所述端壁板之间。5.根据权利要求1所述的装置，其中所述光学窗口包括蓝宝石。6.根据权利要求1所述的装置，其中所述壳体包括钛或铝。7.根据权利要求1所述的装置，所述装置还包括气体混合物，其中所述气体混合物包括比例气体。8.根据权利要求7所述的装置，其中所述比例气体包括元素周期表的第18族或氮气中的一者。9.根据权利要求8所述的装置，其中所述比例气体是氮气。10.根据权利要求7所述的装置，其中所述气体混合物还包括骤冷气体。11.根据权利要求10所述的装置，其中所述骤冷气体包括co2、ch4或cf4中的一者。12.根据权利要求2所述的装置，其中所述光电阴极包括至少一层气相沉积材料。13.根据权利要求12所述的装置，其中所述至少一层气相沉积材料中的一个或多个层的厚度小于或等于200纳米。14.根据权利要求12所述的装置，其中所述至少一层气相沉积材料中的每个层包括选自由以下项组成的组的最少90重量％的一种或多种材料：锑(sb)、锑与钾的化合物(1:1)(ksb)、锑与钾的化合物(2:1)(ksb2)、锑与钾的化合物(5:4)(k5sb4)、三氧化锑(sb2o3)、铯(cs)、锑化铯(cs3sb)、砷化镓(gaas)、含有铯的砷化镓(gaas(cs))、铋化铯(cs3bi)、含有氧的铋化铯(cs3bi(o))、含有银的铋化铯(cs3bi(ag))、碘化铯(csi)、氧化铯(cs2o)、碲化铯(cs2te)、镓铝砷(ga
0.25
al
0.75
as)、磷砷化镓(gaas
1-x
p
x
)、含有铯的磷砷化镓(gaas
1-x
p
x
(cs))、氮化镓(gan)、含有铯的氮化镓(gan(cs))、磷化镓(gap)、砷化铟镓(ingaas)、含有铯的砷化铟镓(ingaas(cs))、磷化砷镓铟(ingaasp)、含有铯的磷化砷镓铟(ingaasp(cs))、磷化铟(inp)、锑化锂(li3sb)、氧(o)、钾(k)、锑化钾(k3sb)、溴化钾(kbr)、锑化钾铯(k2cssb)、氯化钾(kcl)、氧化钾(k2o)、锑化钾钠铯((cs)na2ksb)、钠(na)、锑化钠(na3sb)、砷化钠(na3as)、锑化钠铯(na2cssb)、氧化钠(na2o)、锑化钠钾(na2ksb)、锑化铷铯(rb2cssb)、银(ag)、银铋氧铯(ag-bi-o-cs)、碳化硅(sic)和银氧铯(ag-o-cs)。15.根据权利要求12所述的装置，其中所述至少一层气相沉积材料中的每个层包括选自由以下项组成的组的最少90重量％的一种或多种材料：铝(al)、锑(sb)、砷(as)、铋(bi)、溴(br)、铯(cs)、氯(cl)、镓(ga)、铟(in)、锂(li)、氧(o)、磷(p)、钾(k)、铷(rb)、银(ag)、钠
(na)和碲(te)。16.根据权利要求12所述的装置，其中所述至少一层气相沉积材料中的每个层包括选自由以下项组成的组的最少90重量％的一种或多种材料：硅(si)、氮化硼(bn)、二氧化钛(tio2)、碳化硅(sic)和二氧化硅(sio2)。17.根据权利要求2所述的装置，其中在所述光电阴极与所述gem板之间施加电势差。18.根据权利要求1所述的装置，所述装置还包括读出阳极。19.根据权利要求1所述的装置，所述装置还包括聚焦元件，所述聚焦元件包括导电柱或导电环。20.根据权利要求1所述的装置，其中所述壳体为圆柱形。

技术总结
本发明公开了一种光电倍增管，该光电倍增管包括具有近侧端部和远侧端部的壳体、设置在壳体的近侧端部处的光学窗口、设置在壳体的远侧端部处的端壁板、穿透端壁板的馈通件和设置在光学窗口与端壁板之间的气体电子倍增器(GEM)板。(GEM)板。(GEM)板。


技术研发人员：K
受保护的技术使用者：贝克休斯控股有限责任公司
技术研发日：2021.02.03
技术公布日：2022/9/14