一种混合滤波器结构及MEMS芯片的制作方法

技术特征：
1.一种混合滤波器结构，其特征在于，包括si衬底(1)、下电极金属钼(2)、压电层(3)、上电极金属钼(4)、cu种籽层(6)、cu走线(7)、凸点(8)、铜线(9)、ipd电感(10)、介质层(11)及sio2支撑层(12)；所述si衬底(1)上设有区域开口(13)，在所述si衬底(1)的表面位于所述区域开口(13)的上方覆盖有所述下电极金属钼(2)，在所述下电极金属钼(2)上覆盖有所述压电层(3)，在所述压电层(3)上覆盖有所述上电极金属钼(4)，所述上电极金属钼(4)的一端部和所述下电极金属钼(2)表面连接；在所述si衬底(1)的表面还覆盖有所述cu种籽层(6)，在所述si衬底(1)上还淀积一层所述sio2支撑层(12)，所述sio2支撑层(12)上设有两个引线开孔(14)，两个所述引线开孔(14)中均设有所述cu走线(7)，其中一所述cu走线(7)一端和所述下电极金属钼(2)连接、另一端设有所述凸点(8)，其中另一所述cu走线(7)一端和所述cu种籽层(6)连接、另一端设有所述凸点(8)；在所述si衬底(1)上还设有两个通孔(15)，所述铜线(9)一端穿过其中一所述通孔(15)和所述下电极金属钼(2)连接、所述铜线(9)另一端穿过其中另一所述通孔(15)和所述cu种籽层(6)连接；在所述铜线(9)上设有所述ipd电感(10)和所述介质层(11)，在所述sio2支撑层(12)上设有和空气导通的开窗(16)。2.根据权利要求1所述的混合滤波器结构，其特征在于，在所述si衬底(1)远离所述区域开口(13)的一面上覆盖有pa钝化层(17)。3.根据权利要求1所述的混合滤波器结构，其特征在于，所述上电极金属钼(4)的端部设有连接部(18)，所述连接部(18)和所述下电极金属钼(2)表面连接。4.根据权利要求1所述的混合滤波器结构，其特征在于，所述sio2支撑层(12)的厚度为2.5μm-3.5μm。5.根据权利要求1所述的混合滤波器结构，其特征在于，所述开窗(16)位于所述上电极金属钼(4)处。6.一种mems芯片，其特征在于，包括权利要求1-5中任意一项所述的混合滤波器结构。7.根据权利要求6所述的mems芯片，其特征在于，所述mems芯片还包括pcb基板(5)，所述pcb基板(5)贴合在所述sio2支撑层(12)表面。

技术总结
本实用新型涉及一种混合滤波器结构及MEMS芯片，涉及MEMS芯片制造工艺技术领域，该混合滤波器结构，包括Si衬底、下电极金属钼、压电层、上电极金属钼、Cu种籽层、Cu走线、凸点、铜线、IPD电感、介质层及SiO2支撑层；其优点在于：将相对单一品种的SAW滤波器、BAW滤波器、IPD滤波器组合结构能够支持更多的频段信号的多工器，同时能够集成BAW滤波器的高Q值的优势；制成的混合滤波器在满足终端产品的性能需求的同时，也可以与终端产品的高集成小尺寸的要求适配度更高。适配度更高。适配度更高。


技术研发人员：胡孝伟 代文亮 袁琳 黄志远 张竞颢 崔云辉
受保护的技术使用者：上海芯波电子科技有限公司
技术研发日：2022.07.01
技术公布日：2022/10/21