光源组件、显示面板、发光二极管及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：第一电极盘以及第二电极盘，为相互间隔的两个电极连接端；衬底层，包括第一侧面以及第二侧面，所述第二侧面具有用于成型外延层的外延区，所述第一电极盘以及所述第二电极盘设置在所述第一侧面外，所述衬底层设置有贯穿所述第一侧面以及所述第二侧面的引线过孔，所述引线过孔位于所述外延区以外；第一半导体层，设置于所述衬底层第二侧面外，所述第一半导体层电连接于所述第一电极盘；量子阱层，形成于所述第一半导体层远离所述衬底层的侧面；第二半导体层，形成于所述量子阱层远离所述第一半导体层的侧面；第二电极引出盘，形成于所述第二半导体层远离所述量子阱层的侧面；电极引线，包括第一端以及第二端，所述第一端连接于所述第二电极引出盘，所述第二端穿过所述引线过孔连接于所述第二电极盘。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括导电反射层，设置于所述第一半导体层面向所述衬底层的侧面。3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，还包括导电粘接层，形成于所述衬底层以及所述反射层之间。4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括绝缘层，包绕所述第一半导体层、所述量子阱层以及所述第二半导体层外，所述电极引线位于所述绝缘层外侧。5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电极引出盘的外侧面由所述绝缘层凸出暴露在外。6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层为p型半导体层，所述第二半导体层为n型半导体层。7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电极引线为铜导线、纳米银导线或铝导线。8.如权利要求1至7任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述衬底层为导电基底层，所述电极引线与所述衬底层之间具有绝缘隔离层，以及所述第二电极盘与所述衬底层之间也设置有绝缘隔离层。9.一种光源组件，其特征在于，包括多个如权利要求1-8任一项所述的发光二极管。10.一种显示面板，其特征在于，包括驱动层以及多个如权利要求1-8任一项所述的发光二极管，所述发光二极管的所述第一电极盘以及所述第二电极盘均位于面向所述驱动层的一侧，以此所述第一电极盘以及所述第二电极盘分别与所述驱动层中的驱动电路电连接。11.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：提供带有外延层的衬底层，位于所述衬底层第一侧面上的所述外延层包括第一半导体层、量子阱层与第二半导体层；在所述衬底层的第二侧面上形成第一电极盘以及第二电极盘；在所述衬底层上形成引线过孔，所述引线过孔位于所述衬底上的外延层设置区以外；在所述外延层中背离所述衬底层的所述第二半导体层上形成第二电极引出盘；设置包覆所述外延层的下绝缘层；
以电极引线电连接在所述第二电极引出盘与所述第二电极盘之间，所述电极引线穿过所述衬底层。12.如权利要求11所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，还包括：通过刻蚀工艺在所述衬底层的第二侧面减薄所述衬底层，此步骤在形成所述第一电极盘以及所述第二电极盘之前。13.如权利要求11所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，还具有基板分离步骤，该步骤包括：在基板上成型所述外延层；在所述外延层背离所述基板的侧面贴合所述衬底层；剥离所述基板。

技术总结
本申请涉及显示技术，提供了一种光源组件、显示面板、发光二极管及其制备方法，发光二极管包括：第一电极盘以及第二电极盘、衬底层、外延层、第二电极引出盘以及电极引线；第二电极引出盘形成于外延层中远离所述衬底层的侧面；电极引线包括第一端以及第二端，第一端连接于所述第二电极引出盘，第二端穿过衬底层的引线过孔连接于所述第二电极盘。大大简化了垂直LED芯片的连接与封装工作，实现了垂直LED芯片能直接应用于玻璃基显示面板中，且不会增加工艺和成本。工艺和成本。工艺和成本。


技术研发人员：王英涛 贾倩 孙雪菲 王新星
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2022.06.22
技术公布日：2022/10/25