放射冷却装置和放射冷却方法与流程

技术特征：
1.放射冷却装置，其设置有从放射面放射红外光的红外放射层、位于该红外放射层的与前述放射面的存在侧相反侧的光反射层、和前述红外放射层与前述光反射层之间的保护层，前述红外放射层是树脂材料层，其调整为在波长8μm至波长14μm的带域中放出比所吸收的太阳光能量大的热辐射能量的厚度，前述光反射层具有银或银合金，前述保护层用聚烯烃系树脂形成为厚度为300nm以上且40μm以下的形态、或用对苯二甲酸乙二醇酯树脂形成为厚度为17μm以上且40μm以下的形态。2.根据权利要求1所述的放射冷却装置，其中，前述光反射层的波长0.4μm至0.5μm的反射率为90%以上，与波长0.5μm相比更长波的反射率为96%以上。3. 根据权利要求1或2所述的放射冷却装置，其中，前述树脂材料层的膜厚调整为下述状态的厚度：具有波长0.4μm至0.5μm的光吸收率的波长平均为13%以下，波长0.5μm至波长0.8μm的光吸收率的波长平均为4%以下，波长0.8μm至波长1.5μm的光吸收率的波长平均为1%以内，1.5μm至2.5μm的光吸收率的波长平均为40%以下的光吸收特性，且具有8μm至14μm的辐射率的波长平均为40%以上的热辐射特性。4.根据权利要求1~3中任一项所述的放射冷却装置，其中，形成前述树脂材料层的树脂材料选自具有1个以上的碳-氟键、硅氧烷键、碳-氯键、碳-氧键、醚键、酯键、苯环中任一者的树脂材料。5.根据权利要求1~3中任一项所述的放射冷却装置，其中，形成前述树脂材料层的树脂材料的主成分为硅氧烷，前述树脂材料层的厚度为1μm以上。6.根据权利要求4所述的放射冷却装置，其中，前述树脂材料层的厚度为10μm以上。7.根据权利要求1~6中任一项所述的放射冷却装置，其中，前述树脂材料层的厚度为20mm以下。8.根据权利要求7所述的放射冷却装置，其中，形成前述树脂材料层的树脂材料为氟树脂或者硅酮橡胶。9.根据权利要求1~6中任一项所述的放射冷却装置，其中，形成前述树脂材料层的树脂材料为以具有1个以上的碳-氯键、碳-氧键、酯键、醚键、苯环中任一者的烃作为主链的树脂材料、或侧链的烃的碳原子数为2个以上的硅酮树脂，前述树脂材料层的厚度为500μm以下。10.根据权利要求1~6中任一项所述的放射冷却装置，其中，形成前述树脂材料层的树脂材料为包含碳-氟键、硅氧烷键的树脂与以烃为主链的树脂的共混，前述树脂材料层的厚度为500μm以下。11.根据权利要求1~6中任一项所述的放射冷却装置，其中，形成前述树脂材料层的树脂材料为氟树脂，前述树脂材料层的厚度为300μm以下。12.根据权利要求1~6中任一项所述的放射冷却装置，其中，形成前述树脂材料层的树脂材料为具有一个以上的碳-氯键、碳-氧键、酯键、醚键、苯环中任一者的树脂材料，
前述树脂材料层的厚度为50μm以下。13.根据权利要求1~6中任一项所述的放射冷却装置，其中，形成前述树脂材料层的前述树脂材料为具有碳-硅键的树脂材料，前述树脂材料层的厚度为10μm以下。14.根据权利要求1~3中任一项所述的放射冷却装置，其中，形成前述树脂材料层的树脂材料为氯乙烯树脂或偏二氯乙烯树脂，前述树脂材料层的厚度为100μm以下且10μm以上。15.根据权利要求1~14中任一项所述的放射冷却装置，其中，前述光反射层由银或银合金构成，其厚度为50nm以上。16.根据权利要求1~14中任一项所述的放射冷却装置，其中，前述光反射层是与前述保护层相邻的银或银合金和位于远离前述保护层一侧的铝或铝合金的层叠结构。17.根据权利要求1~16中任一项所述的放射冷却装置，其中，前述树脂材料层、前述保护层与前述光反射层在层叠的状态下为膜状。18.根据权利要求1~17中任一项所述的放射冷却装置，其中，前述树脂材料层与前述保护层用粘接剂或粘合剂的接合层接合。19.根据权利要求18所述的放射冷却装置，其中，在前述树脂材料层中混入无机材料的填料。20.根据权利要求18所述的放射冷却装置，其中，前述树脂材料层的正反两面形成为凹凸状。21.放射冷却方法，使用权利要求1~20中任一项所述的放射冷却装置，将前述红外光从前述树脂材料层的与前述光反射层接触的面相反侧的前述放射面放射，前述放射面朝向空中，从该放射面放射前述红外光。

技术总结
提供具有柔软性、而且在日照环境下能够将冷却对象冷却的放射冷却装置。设置从放射面H放射红外光IR的红外放射层A、位于该红外放射层A的与放射面H的存在侧相反侧的光反射层B、和红外放射层A与光反射层B之间的保护层D，红外放射层A是调整为在波长8μm至波长14μm的带域中放出比所吸收的太阳光能量大的热辐射能量的厚度的树脂材料层J，光反射层B具有银或银合金，保护层D用聚烯烃系树脂形成为厚度为300nm以上且40μm以下的形态、或用对苯二甲酸乙二醇酯树脂形成为厚度为17μm以上且40μm以下的形态。以下的形态。以下的形态。


技术研发人员：末光真大
受保护的技术使用者：大阪瓦斯株式会社
技术研发日：2021.03.08
技术公布日：2022/11/8