压电发声模块的制作方法

技术特征：
1.一种压电发声模块，其特征在于，包含:一基板，包含相对的一下表面及一上表面；一导电层，设置于该基板的该上表面，该导电层形成有至少一开槽，以分隔为至少一第一导电区及至少一第二导电区；至少一压电元件，固设于该导电层上；一接着层，设置于该导电层与该至少一压电元件之间，用以固设该至少一压电元件于该导电层上；一封装层，设置于该导电层上，且至少覆盖该至少一压电元件，该封装层具有一顶面；以及一绝缘填充层，设置于该封装层及该基板之间。2.如权利要求1所述的压电发声模块，其特征在于，该压电发声模块更包含有一导电线路，该至少一压电元件包含一压电材料层，该压电材料层包含相对的一第一侧与一第二侧，该第一侧面向该至少一第一导电区，且经由该接着层固设于该至少一第一导电区上，该导电线路电性连接该第二侧至该至少一第二导电区，该绝缘填充层填满于该导电层与该导电线路之间。3.如权利要求1所述的压电发声模块，其特征在于，该压电发声模块更包含有一导电线路，该至少一压电元件包含一压电材料层、一第一电极与一第二电极，该压电材料层包含相对的一第一侧与一第二侧，该第一电极及该第二电极分别设置于该第一侧及该第二侧，该第一电极经由该接着层固设于该至少一第一导电区上，该导电线路电性连接该第二电极至该至少一第二导电区，该绝缘填充层填满于该导电层与该导电线路之间。4.如权利要求3所述的压电发声模块，其特征在于，该至少一压电元件的个数为多个，该导电线路电性连接每一该些压电元件的该第二电极至该至少一第二导电区，该绝缘填充层更填充于该些压电元件之间。5.如权利要求1所述的压电发声模块，其特征在于，该至少一压电元件包含一压电材料层、一第一电极与一第二电极，该压电材料层包含一第一侧、一第二侧与一侧面，该第一侧与该第二侧相对，且该侧面连接该第一侧及该第二侧，该第一电极设置于该第一侧的一第一部分，该第二电极设置于该第二侧、该侧面及该第一侧的一第二部分，该第一电极经由该接着层固设于该至少一第一导电区上，位于该第二部分上的部分该第二电极经由该接着层固设于该至少一第二导电区上，该绝缘填充层填满于该导电层及该封装层之间。6.如权利要求3至5任一项所述的压电发声模块，其特征在于，该第一电极与该至少一第一导电区于该基板的平面法向量方向上重叠的面积大于该第一电极的面积的20％。7.如权利要求1所述的压电发声模块，其特征在于，该基板与该导电层的厚度总合≦0.3mm。8.如权利要求1所述的压电发声模块，其特征在于，该至少一压电元件的厚度≦0.5mm。9.如权利要求1所述的压电发声模块，其特征在于，该接着层为导电型接着材料。10.如权利要求1所述的压电发声模块，其特征在于，该接着层为非导电型接着材料，介于该至少一压电元件与该导电层之间的该接着层的厚度≦0.1mm，该绝缘填充层与该接着层为相同材料。11.如权利要求1所述的压电发声模块，其特征在于，该封装层的厚度≦0.2mm。
12.如权利要求1所述的压电发声模块，其特征在于，于-40℃至85℃的温度范围内，该封装层的该顶面、该接着层与该至少一压电元件的其中一侧，三者间的结构相互平行，且该绝缘填充层与相邻结构间无任何间隙。13.如权利要求1所述的压电发声模块，其特征在于，该压电发声模块更包含一阻隔件，环设于该该导电层上以环绕该至少一压电元件，且介于该封装层及该导电层之间，该绝缘填充层填满于该封装层、该阻隔件及该导电层所围设的空间内。14.如权利要求1所述的压电发声模块，其特征在于，该至少一压电元件包含一压电材料层，该压电材料层包含一第一侧、一第二侧与一侧面，该第一侧与该第二侧相对，且该侧面连接该第一侧及该第二侧，该第一侧面向该导电层，该绝缘填充层更至少包覆部分该第一侧。15.如权利要求1所述的压电发声模块，其特征在于，该至少一压电元件包含一压电材料层，该压电材料层包含一第一侧、一第二侧与一侧面，该第一侧与该第二侧相对，且该侧面连接该第一侧及该第二侧，该第一侧面向该导电层，该绝缘填充层更至少包覆部分该侧面。16.如权利要求1所述的压电发声模块，其特征在于，定义该基板的该下表面至该封装层的该顶面的距离为一模块厚度，该模块厚度≦1mm。

技术总结
一种压电发声模块，包含基板、导电层、压电元件、接着层、封装层与绝缘填充层。基板包含相对的下表面及上表面。导电层设置于基板的上表面并形成有开槽，开槽将导电层分隔为第一导电区及第二导电区。压电元件固设于导电层上。接着层设置于导电层与压电元件之间，用以固设压电元件于导电层上。封装层设置于导电层上且覆盖压电元件，封装层具有顶面。绝缘填充层设置于封装层及基板之间。本实用新型所提供的压电发声模块，其内部的各元件皆采用薄型材料，严格地控制各层厚度，亦通过压合制程减小导电层上接着层的厚度。借由薄型材料的选用与压合制程来极小化压电发声模块的厚度，进一步达成电子装置的薄型化。子装置的薄型化。子装置的薄型化。


技术研发人员：郑岳世 古宜训 徐湘伦 刘文宪 潘建成
受保护的技术使用者：乐声电子系统股份有限公司
技术研发日：2022.06.10
技术公布日：2022/11/10