负电容环栅源极重叠隧穿场效应晶体管

技术特征：
1.负电容环栅源极重叠隧穿场效应晶体管，包括源极、沟道、漏极和栅极，其特征在于：源极使用锗材料，沟道和漏极使用硅材料；在所述沟道和源极的接触面构成硅-锗异质结，用于增加隧穿面积和隧穿几率；在栅极的氧化层介质和栅极的金属层之间加入铁电介质层，用于产生负电容效应提升沟道表面电势；所述栅极向源极延伸形成有源极重叠区；也用于增加隧穿面积和隧穿几率。2.根据权利要求1所述的负电容环栅源极重叠隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述源极重叠区长度不超过栅极长度的33％；所述铁电介质层的厚度为源极重叠区长度的130％。3.根据权利要求1所述的负电容环栅源极重叠隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述源极为在锗材料中进行p型重掺杂形成；所述沟道为在硅材料中进行n型轻掺杂形成；所述漏极为在硅材料中进行n型重掺杂形成。4.根据权利要求2或3所述的负电容环栅源极重叠隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述栅极的氧化层介质为具有高介电常数的hfo2；其介电常数为20~24；所述栅极的金属层为tin；所述栅极的铁电介质层为基于hfo2基掺杂形成。

技术总结
本发明公开了一种负电容环栅源极重叠隧穿场效应晶体管。本发明通过在源极和沟道的接触面构成硅-锗异质结，通过铁电介质层产生负电容效应和将栅极向源极延伸构成源极重叠区，通过可以调节的铁电介质层厚度和源极重叠区长度来进一步提高异质结处的带带隧穿几率，使导通电流得到提升，有效克服了已有GAA-TFET驱动能力不足的缺点。动能力不足的缺点。动能力不足的缺点。


技术研发人员：吕伟锋 魏伟杰 韩颖 张彩云 谌登科
受保护的技术使用者：杭州电子科技大学
技术研发日：2022.09.02
技术公布日：2022/11/11