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发光器件用组成物、发光器件、发光装置、电子设备及照明装置的制作方法

2022-11-13 13:37:51 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种具有苯并呋喃并嘧啶骨架的第一有机化合物和以通式(q1)表示的第二有机物混合而形成的发光器件用组成物。[化学式1](在通式中,r1至r
14
分别独立地表示氢(包括重氢)、碳原子数为1至6的烷基、形成取代或未取代的环的碳原子数为5至7的单环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为7至10的多环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为6至13的芳基或者形成取代或未取代的环的碳原子数为3至20的杂芳基。另外,β1及β2分别为未取代的β-萘基、未取代的联苯基和未取代的三联苯基中的任一个且β1和β2中的至少一个为未取代的β-萘基。)2.一种具有苯并呋喃并嘧啶骨架的第一有机化合物和以通式(q2)表示的第二有机物混合而形成的发光器件用组成物。[化学式2](在通式中,β1及β2分别为未取代的β-萘基、未取代的联苯基和未取代的三联苯基中的任一个且β1和β2中的至少一个为未取代的β-萘基。)3.一种以通式(g1)表示的第一有机化合物和以通式(q1)表示的第二有机物混合而形成的发光器件用组成物。[化学式3]
(在通式中,a1表示碳原子数为6至100的芳基。但是,a1也可以包括芳杂环。另外,r1至r
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及r
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至r
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分别独立地表示氢(包括重氢)、碳原子数为1至6的烷基、形成取代或未取代的环的碳原子数为5至7的单环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为7至10的多环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为6至13的芳基或者形成取代或未取代的环的碳原子数为3至20的杂芳基。另外,β1及β2分别为未取代的β-萘基、未取代的联苯基和未取代的三联苯基中的任一个且β1和β2中的至少一个为未取代的β-萘基。)4.一种以通式(g1)表示的第一有机化合物和以通式(q2)表示的第二有机物混合而形成的发光器件用组成物。[化学式4](在通式中,a1表示碳原子数为6至100的芳基。但是,a1也可以包括芳杂环。另外,r
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至r
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分别独立地表示氢(包括重氢)、碳原子数为1至6的烷基、形成取代或未取代的环的碳原子数为5至7的单环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为7至10的多环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为6至13的芳基或者形成取代或未取代的环的碳原子数为3至20的杂芳基。另外,β1及β2分别为未取代的β-萘基、未取代的联苯基和未取代的三联苯基中的任一个且β1和β2中的至少一个为未取代的β-萘基。)5.一种以通式(g2)表示的第一有机化合物和以通式(q1)表示的第二有机物混合而形成的发光器件用组成物。[化学式5](在通式中,α表示取代或未取代的亚苯基,n表示0至4的整数。另外,ht
uni
表示取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基和取代或未取代的咔唑基中的任一个。另外,r1至r
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分别独立地表示氢(包括重氢)、碳原子数为1至6的烷基、形成取代或未取代的环的碳原子数为5至7的单环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为7至10的多环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为6至13的芳基或者形成取代或未取代的环的碳原子数为3至20的杂芳基。另外,β1及β2分别为未取代的β-萘基、未取代的联苯
基和未取代的三联苯基中的任一个且β1和β2中的至少一个为未取代的β-萘基。)6.一种以通式(g2)表示的第一有机化合物和以通式(q2)表示的第二有机物混合而形成的发光器件用组成物。[化学式6](在通式中,α表示取代或未取代的亚苯基,n表示0至4的整数。另外,ht
uni
表示取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基和取代或未取代的咔唑基中的任一个。另外,r
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至r
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分别独立地表示氢(包括重氢)、碳原子数为1至6的烷基、形成取代或未取代的环的碳原子数为5至7的单环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为7至10的多环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为6至13的芳基或者形成取代或未取代的环的碳原子数为3至20的杂芳基。另外,β1及β2分别为未取代的β-萘基、未取代的联苯基和未取代的三联苯基中的任一个且β1和β2中的至少一个为未取代的β-萘基。)7.一种以通式(g3)表示的第一有机化合物和以通式(q1)表示的第二有机物混合而形成的发光器件用组成物。[化学式7](在通式中,ht
uni
表示取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基和取代或未取代的咔唑基中的任一个。另外,r1至r
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分别独立地表示氢(包括重氢)、碳原子数为1至6的烷基、形成取代或未取代的环的碳原子数为5至7的单环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为7至10的多环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为6至13的芳基或者形成取代或未取代的环的碳原子数为3至20的杂芳基。另外,β1及β2分别为未取代的β-萘基、未取代的联苯基和未取代的三联苯基中的任一个且β1和β2中的至少一个为未取代的β-萘基。)8.一种以通式(g3)表示的第一有机化合物和以通式(q2)表示的第二有机物混合而形成的发光器件用组成物。[化学式8]
(在通式中,ht
uni
表示取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基和取代或未取代的咔唑基中的任一个。另外,r
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至r
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分别独立地表示氢(包括重氢)、碳原子数为1至6的烷基、形成取代或未取代的环的碳原子数为5至7的单环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为7至10的多环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为6至13的芳基或者形成取代或未取代的环的碳原子数为3至20的杂芳基。另外,β1及β2分别为未取代的β-萘基、未取代的联苯基和未取代的三联苯基中的任一个且β1和β2中的至少一个为未取代的β-萘基。)9.根据权利要求1至8中任一项所述的发光器件用组成物,其中所述通式(q1)或所述通式(q2)中的β1及β2中的一方为未取代的β-萘基。10.根据权利要求5至9中任一项所述的发光器件用组成物,其中所述通式(g2)或所述通式(g3)中的ht
uni
为通式(ht-1)至通式(ht-6)中的任一个。[化学式9](在上述通式中,r5至r
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分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基和取代或未取代的苯基中的任一个。另外,ar1表示碳原子数为1至6的烷基和取代或未取代的苯基中的任一个。)11.根据权利要求1至10中任一项所述的发光器件用组成物,其中所述第一有机化合物与所述第二有机化合物为能够形成激基复合物的组合。12.根据权利要求1至11中任一项所述的发光器件用组成物,
其中所述第一有机化合物以其含量比所述第二有机化合物多的比例混合。13.根据权利要求1至12中任一项所述的发光器件用组成物,其中所述第一有机化合物的分子量比所述第二有机化合物小且分子量之差为200以下。14.一种在一对电极之间包括el层的发光器件,其中,所述el层包含具有苯并呋喃并嘧啶骨架的第一有机化合物、以通式(q1)表示的第二有机化合物及发光物质。[化学式10](在通式中,r1至r
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分别独立地表示氢(包括重氢)、碳原子数为1至6的烷基、形成取代或未取代的环的碳原子数为5至7的单环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为7至10的多环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为6至13的芳基或者形成取代或未取代的环的碳原子数为3至20的杂芳基。另外,β1及β2分别为未取代的β-萘基、未取代的联苯基和未取代的三联苯基中的任一个且β1和β2中的至少一个为未取代的β-萘基。)15.一种在一对电极之间包括el层的发光器件,其中,所述el层包含以通式(g1)表示的第一有机化合物、以通式(q1)表示的第二有机化合物及发光物质。[化学式11](在通式中,a1表示碳原子数为6至100的芳基。但是,a1也可以包括芳杂环。另外,r1至r
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分别独立地表示氢(包括重氢)、碳原子数为1至6的烷基、形成取代或未取代的环的碳原子数为5至7的单环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为7至10的多环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为6至13的芳基或者形成取代或未取代的环的碳原子数为3至20的杂芳基。另外,β1及β2分别为未取代的β-萘基、未取代的联苯基和未取代的三联苯基中的任一个且β1和β2中的至少一个为未取代的β-萘基。)16.根据权利要求14或15所述的发光器件,
其中所述el层中的发光层包含所述第一有机化合物、所述第二有机化合物及发光物质。17.根据权利要求14至16中任一项所述的发光器件,其中所述通式(q1)中的β1及β2中的一方为未取代的β-萘基。18.一种发光装置,包括:权利要求14至17中任一项所述的发光器件;以及晶体管和衬底中的至少一个。19.一种电子设备,包括:权利要求18所述的发光装置;以及麦克风、照相机、操作按钮、外部连接部和扬声器中的至少一个。20.一种照明装置,包括:权利要求14至17中任一项所述的发光器件;以及外壳、覆盖物和支架中的至少一个。

技术总结
提供一种发光器件用组成物和使用该组成物的可靠性良好的发光器件,其可以在维持发光器件的器件特性或可靠性的同时制造生产率高的发光器件。本发明的一个方式是将多个有机化合物混合而形成的发光器件用组成物以及将具有苯并吡啶骨架的第一有机化合物和以一般式(Q1)表示的第二有机化合物混合而形成的发光器件用组成物。(在通式中,R1至R14分别独立地表示氢(包括重氢)、碳原子数为1至6的烷基、形成取代或未取代的环的碳原子数为5至7的单环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为7至10的多环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为6至13的芳基或者形成取代或未取代的环的碳原子数为3至20的杂芳基。另外,β1及β2分别为未取代的β-萘基、未取代的联苯基和未取代的三联苯基中的任一个且β1和β2中的至少一个为未取代的β-萘基)。萘基)。萘基)。


技术研发人员:吉安唯 长坂顕 吉住英子 佐佐木俊毅 濑尾哲史
受保护的技术使用者:株式会社半导体能源研究所
技术研发日:2021.03.15
技术公布日:2022/11/11
再多了解一些

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