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高频公头连接器的制作方法

2022-11-13 14:48:56 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.高频公头连接器,包括外导体(102)和绝缘体(103),所述绝缘体(103)安装在外导体(102)中,其特征在于,所述外导体(102)包括一前一后设置的插入段(21)和支撑段(22),所述插入段(21)上设有向内侧延伸的止回倒刺(210),插入段(21)的前端设有用于挡止绝缘体(103)以阻止其向前移动的挡止结构,绝缘体(103)的前端被所述挡止结构挡止,所述的绝缘体(103)上设有与所述止回倒刺(210)对应的卡止结构,止回倒刺(210)卡入相应的卡止结构中而阻止绝缘体(103)后退。2.根据权利要求1所述的高频公头连接器,其特征在于,所述卡止结构为设于所述绝缘体(103)外周面上的卡止槽(31)。3.根据权利要求2所述的高频公头连接器,其特征在于,所述卡止槽(31)为与所述绝缘体(103)同轴线布置的环槽。4.根据权利要求1所述的高频公头连接器,其特征在于,绕所述外导体(102)的周向,插入段(21)的至少两个不同的方位处设置有所述止回倒刺(210)。5.根据权利要求1-4任一项所述的高频公头连接器,其特征在于,所述挡止结构由外导体前端的内延伸边(211)构成,所述内延伸边(211)向外导体(102)的中部延伸。6.根据权利要求5所述的高频公头连接器,其特征在于,所述绝缘体(103)的前端设有向前凸出的环台(32),所述环台(32)伸入至所述内延伸边(211)所围成的孔中,所述内延伸边(211)对该位置处进行阻抗补偿。7.根据权利要求5所述的高频公头连接器,其特征在于,所述内延伸边(211)为环形的内延伸边,并且与外导体(102)同轴线布置。8.根据权利要求5所述的高频公头连接器,其特征在于,所述内延伸边(211)由外导体前端的内翻边构成,内翻边使得外导体(102)的前端形成用于引导外导体顺利插入适配导体的引导结构。9.根据权利要求1-4任一项所述的高频公头连接器,其特征在于,所述绝缘体(103)的前段外周面上设有至少两条用于与外导体过盈配合的凸筋(33),各凸筋(33)沿前后方向延伸。10.根据权利要求1-4任一项所述的高频公头连接器,其特征在于,所述绝缘体(103)的后端设有引导锥口。11.根据权利要求1-4任一项所述的高频公头连接器,其特征在于,所述外导体(102)安装于一外壳体(101)中,所述外壳体(101)上设有供所述外导体(102)插入的外导体安装孔,外导体(102)的外周面上设有环形凸起(221),所述外导体安装孔内在所述环形凸起(221)的一侧设有单向通过结构,另一侧设有与环形凸起挡止配合的内凸结构(12),所述环形凸起(221)被限制在所述单向通过结构与内凸结构(12)之间而将外导体固定。12.根据权利要求11所述的高频公头连接器,其特征在于,所述单向通过结构为设于所述外壳体上的弹性止挡臂(13),弹性止挡臂(13)的末端与所述环形凸起(221)挡止配合。13.根据权利要求12所述的高频公头连接器,其特征在于,所述外壳体(101)的一侧设有开口,所述开口通过卡装在外壳体上的锁止片(105)封闭,所述锁止片(105)的内侧设有支承所述环形凸起的支撑台(51)。14.根据权利要求13所述的高频公头连接器,其特征在于,所述锁止片(105)在外壳体(101)上设于靠近所述弹性止挡臂(13)的一侧,所述的弹性止挡臂(13)被罩在所述锁止片
内侧。15.根据权利要求13或14所述的高频公头连接器,其特征在于,所述锁止片(105)上设有弹性连接臂(53),所述弹性连接臂(53)和外壳体(101)中的一个上设有卡孔(14),另一个上设有对应的卡块(531),锁止片(105)与弹性连接臂(53)通过所述卡孔和卡块配合固定。16.根据权利要求15所述的高频公头连接器,其特征在于,所述卡孔(14)的靠近所述弹性连接臂(53)的根部的一侧处设有副卡孔(15),以用于与卡块配合。

技术总结
本发明涉及电连接器领域,特别是涉及到了一种高频公头连接器。该高频公头连接器包括外导体和绝缘体,所述绝缘体安装在外导体中,外导体包括一前一后设置的插入段和支撑段,所述插入段上设有向内侧延伸的止回倒刺,插入段的前端设有用于挡止绝缘体以阻止其向前移动的挡止结构,绝缘体的前端被所述挡止结构挡止,所述的绝缘体上设有与所述止回倒刺对应的卡止结构,止回倒刺卡入相应的卡止结构中而阻止绝缘体后退。在进行组装的时候,在绝缘体安装到位的同时,止回倒刺与卡止结构形成配合,直接完成对绝缘体的固定,由此也保证了组装的精度,降低了组装难度。综上所述,本发明的高频公头连接器解决了高频连接器组装效率低以及组装难度大的问题。装难度大的问题。装难度大的问题。


技术研发人员:罗京伟 郑文杰 张启帆 韩见强 郭辉
受保护的技术使用者:中航光电科技股份有限公司
技术研发日:2022.08.22
技术公布日:2022/11/11
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