一种深V型过孔结构的制作方法

技术特征：
1.一种深v型过孔结构，其特征在于，包括v型过孔，所述v型过孔的底部直径小于所述v型过孔顶部的直径，所述v型过孔自电路板的第1层延伸至所述电路板的第n层；所述v型过孔的壁面设置导电层，所述电路板的第1层设置有第一连接焊盘，所述电路板的第n层设置有第二连接焊盘，所述第一连接焊盘与所述第二连接焊盘通过所述导电层连接，使得所述电路板的第1层与所述电路板的第n层连接；所述电路板的第2层至第n-1层靠近所述v型过孔处均设置有环形焊盘，所述环形焊盘均与所述导电层连接，使得所述电路板的第1层至第n层相互连接。2.根据权利要求1中所述的一种深v型过孔结构，其特征在于，所述v型过孔包括直通段与v型段，所述直通段的底部与所述v型段的顶部连接，所述直通段的底部与所述v型段的连接处设置在所述电路板的第n-1层与所述电路板的第n层之间的中部。3.根据权利要求2中所述的一种深v型过孔结构，其特征在于，所述电路板的第n-1层与所述电路板的第n层之间的介质厚度较其他任意相邻两层之间的介质厚度大。4.根据权利要求3中所述的一种深v型过孔结构，其特征在于，所述电路板的第n-1层与所述电路板的第n层之间的介质厚度较其他任意相邻两层之间的介质厚度大1密耳。5.根据权利要求1中所述的一种深v型过孔结构，其特征在于，所述v型过孔底部直径较所述v型过孔顶部直径小2密耳。6.根据权利要求1中所述的一种深v型过孔结构，其特征在于，所述电路板层间铜箔溢出形成所述环形焊盘。7.根据权利要求1中所述的一种深v型过孔结构，其特征在于，所述导电层为电镀层。8.根据权利要求1中所述的一种深v型过孔结构，其特征在于，所述第一连接焊盘的直径大小、所述环形焊盘的直径大小及所述第二连接焊盘的直径均相等。9.根据权利要求8中所述的一种深v型过孔结构，其特征在于，所述第一连接焊盘的直径=所述环形焊盘的直径=所述第二连接焊盘的直径=18密耳。10.根据权利要求1中所述的一种深v型过孔结构，其特征在于，所述第一连接焊盘呈环形。

技术总结
本实用新型公开了一种深V型过孔结构，包括V型过孔，所述V型过孔的底部直径小于所述V型过孔顶部的直径，所述V型过孔自电路板的第1层延伸至所述电路板的第n层；所述V型过孔的壁面设置导电层，所述电路板的第1层设置有第一连接焊盘，所述电路板的第n层设置有第二连接焊盘，所述第一连接焊盘与所述第二连接焊盘通过所述导电层连接，使得所述电路板的第1层与所述电路板的第n层连接；所述电路板的第2层至第n-1层靠近所述V型过孔处均设置有环形焊盘，所述环形焊盘均与所述导电层连接，使得所述电路板的第1层至第n层相互连接。本实用新型提供一种深V型过孔结构，使得顶层焊盘、底层焊盘及每一层的环形焊盘均通过导电层相连接。每一层的环形焊盘均通过导电层相连接。每一层的环形焊盘均通过导电层相连接。


技术研发人员：李昊成 王灿钟
受保护的技术使用者：深圳市一博科技股份有限公司
技术研发日：2022.07.06
技术公布日：2022/11/10