显示装置及该显示装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成包括暴露所述第一电极的至少一部分的开口的像素定义膜；以及对借由所述开口而暴露至少一部分的所述第一电极的表面执行第一干式清洗，其中，通过执行所述第一干式清洗的步骤，在所述第一电极的表面形成铟-氟键。2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，执行所述第一干式清洗的步骤是去除所述第一电极的表面的有机残留物的步骤。3.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法，其中，所述有机残留物是与所述像素定义膜相同的物质。4.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，执行所述第一干式清洗的步骤在15秒钟至45秒钟期间进行。5.根据权利要求4所述的显示装置的制造方法，其中，执行所述第一干式清洗的步骤以至的蚀刻速率进行。6.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，执行所述第一干式清洗的步骤利用氧气气体来执行。7.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述第一电极包括铟锡氧化物。8.根据权利要求7所述的显示装置的制造方法，其中，在x射线光电子能谱分析中，所述第一电极的表面在x射线光电子能谱谱图的683ev至687ev结合能处表现峰。9.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，在所述基板上形成第一电极的步骤之前，还包括如下步骤：在所述基板上形成平坦化层；在所述平坦化层形成通孔；以及对所述平坦化层及所述通孔执行第二干式清洗。10.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，执行所述第二干式清洗的步骤以至的蚀刻速率在15秒钟至45秒钟期间执行。11.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，执行所述第二干式清洗的步骤利用氧气气体来执行。12.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，在执行所述第一干式清洗的步骤之后，还包括如下步骤：在所述第一电极上形成中间层；以及在所述中间层上形成第二电极。13.根据权利要求12所述的显示装置的制造方法，其中，所述中间层包括有机物。14.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
所述像素定义膜包括氟。15.一种显示装置，包括：基板；第一电极，布置于所述基板上；以及像素定义膜，布置于所述第一电极上，并包括暴露所述第一电极的表面的至少一部分的开口，其中，在所述第一电极的表面存在铟-氟键。16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一电极包括铟锡氧化物。17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，在x射线光电子能谱分析中，所述第一电极的表面在x射线光电子能谱谱图的683ev至687ev结合能处表现峰。18.根据权利要求15所述的显示装置，还包括：中间层，布置于所述第一电极上；以及第二电极，布置于所述中间层上。19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述中间层包括有机物。20.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述像素定义膜包括氟。

技术总结
本发明公开一种显示装置及该显示装置的制造方法，显示装置的制造方法包括如下步骤：在基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成包括暴露所述第一电极的至少一部分的开口的像素定义膜；以及对借由所述开口而暴露至少一部分的所述第一电极的表面执行第一干式清洗，其中，通过执行所述第一干式清洗的步骤，在所述第一电极的表面形成铟-氟(In-F)键。F)键。F)键。


技术研发人员：成始珍 金在弘 金孝珉 朴一秀 韩宗锡
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2022.03.17
技术公布日：2022/11/10