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一种具有钛钨层的肖特基势垒二极管及其制造方法与流程

2022-11-14 00:54:10 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种肖特基势垒二极管,其特征是,在肖特基势垒硅化物和正面金属之间有一层钛钨层;具体的二极管构造是:从上到下依次为正面金属,钛钨层,肖特基势垒层,n-外延层,衬底层,背面金属;肖特基势垒位于n-外延层和钛钨层之间;钛钨层下面肖特基势垒层周围还设有氧化层。2.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管,其特征是,所述的钛钨层的厚度为100nm以上。3.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管,其特征是,钛钨层使用的钛钨合金钨和钛的重量比是9:1,纯度是99.99%。4.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管,其特征是,肖特基势垒层通过溅射100nm以上厚度的cr,nicr,nipt或pt金属形成肖特基势垒。5.根据权利要求1-4任一所述的肖特基势垒二极管的制备方法,其特征是,制备背面金属,衬底层,n-外延层,n-外延层上磁控溅射仪溅射cr,nicr,nipt,pt肖特基势垒金属层,金属层厚度在0.1um内,然后放入烧结炉管中进行烧结;溅射钛钨:用磁控溅射仪溅射钛钨层,钛钨厚度在0.1um-0.3um,用于保护肖特基势垒,再制备正面金属电极。

技术总结
一种肖特基势垒二极管及制备方法,二极管结构是,在肖特基势垒硅化物和正面金属之间有一层钛钨层;具体的二极管构造是:从上到下依次为正面金属,钛钨层,肖特基势垒层,n-外延层,衬底层,背面金属;肖特基势垒位于n-外延层和钛钨层之间;钛钨层下面肖特基势垒层周围还设有氧化层。肖特基势垒层,n-外延层,衬底层制备完成后溅射钛钨:用磁控溅射仪溅射钛钨层,钛钨厚度在0.1um-0.3um,用于保护肖特基势垒,再制备正面金属电极。再制备正面金属电极。再制备正面金属电极。


技术研发人员:杨敏红 刘韵吉 单慧
受保护的技术使用者:桑德斯微电子器件(南京)有限公司
技术研发日:2022.09.05
技术公布日:2022/11/11
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