半导体结构及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一内部形成有凹槽的半导体衬底；形成栅极氧化层、种子层和氮化钛层，所述栅极氧化层、种子层和氮化钛层沿远离所述半导体衬底的方向依次堆叠在所述凹槽的内部以及所述半导体衬底的表面上，以形成由所述种子层和氮化钛层组成的所述半导体结构的金属栅极。2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底的材料包括硅或者二氧化硅中的至少一种。3.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述栅极氧化层的材料包括二氧化硅，所述种子层的材料包括非晶硅。4.如权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述种子层的工艺包括低压力化学气相沉积法。5.如权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述低压力化学气相沉积法的工艺条件包括温度范围为：300℃-550℃，反应气体为sih4或si2h6。6.如权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述种子层的厚度范围为：7.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，当所述半导体衬底为二氧化硅时，形成该半导体衬底的工艺为低压力化学气相沉积法，且形成该半导体衬底的反应气体包括：二氯二氢硅气体和二氧化氮气体。8.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在形成所述栅极氧化层之后，且在形成所述种子层之前，所述方法还包括对形成有所述栅极氧化层的半导体衬底进行快速退火工艺。9.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在形成所述氮化钛层之后，所述方法还包括利用原子层沉积工艺在所述氮化钛层的表面上形成二氧化硅层。10.一种半导体结构，其特征在于，包括采用如权利要求1-9中任一权利要求所述的制备方法制备而成。

技术总结
本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，应用于半导体技术领域。本发明提出了一种半导体结构的制备方法，其提出在半导体衬底为二氧化硅的表面上先沉积一层材料为非晶硅的种子层，以利用该种子层在高温的情况下可以吸附衬底二氧化硅中跃迁的氧元素的原理，阻止了衬底中的氧元素从衬底二氧化硅中跃迁到作为金属栅极的部分膜层的氮化钛中，从而保证了氮化钛不被衬底氧化，并最终保证了氮化钛生长的连续性和其同时作为浮栅FG的擦除特性。连续性和其同时作为浮栅FG的擦除特性。连续性和其同时作为浮栅FG的擦除特性。


技术研发人员：康俊龙
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2022.07.29
技术公布日：2022/11/11