半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的多个间隔排布的半导体柱，所述半导体柱包括沿第一方向依次分布的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区，所述半导体柱具有一个或者多个中空区，且至少部分所述沟道区环绕所述中空区；沿第二方向延伸的位线，所述位线与沿所述第二方向排布的多个所述半导体柱的所述第一掺杂区相接触；沿第三方向延伸的字线，所述字线环绕沿所述第三方向排布的多个所述半导体柱的所述沟道区。2.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述半导体柱朝向所述中空区的内壁为弧形。3.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向上，所述中空区贯穿所述半导体柱的所述沟道区，且邻近所述沟道区的部分所述第一掺杂区环绕所述中空区。4.如权利要求1或3所述半导体结构，其特征在于，所述第二掺杂区环绕所述中空区，且沿所述第一方向上，所述中空区贯穿所述半导体柱的所述第二掺杂区。5.如权利要求1或3所述半导体结构，其特征在于，邻近所述沟道区的部分所述第二掺杂区环绕所述中空区。6.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：功能层，所述功能层填充满所述中空区；或者，所述功能层位于部分所述中空区内，且所述功能层与所述半导体柱围成第一空气间隙。7.如权利要求4所述半导体结构，其特征在于，还包括：功能层，所述功能层至少封堵所述中空区邻近所述第二掺杂区的端部区域。8.如权利要求6或7所述半导体结构，其特征在于，所述功能层的材料包括：半导体材料或绝缘材料中的至少一种。9.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第一方向为垂直于所述基底表面的方向。10.如权利要求9所述半导体结构，其特征在于，还包括：半导体层，所述半导体层位于所述基底表面且沿所述第二方向延伸，所述半导体层与沿所述第二方向排布的多个所述半导体柱邻近所述基底表面的外壁相连接。11.如权利要求10所述半导体结构，其特征在于，所述半导体柱与所述半导体层为一体成型结构。12.如权利要求10所述半导体结构，其特征在于，所述位线还位于所述半导体层表面，且所述位线环绕所述半导体柱的部分所述第一掺杂区。13.如权利要求12所述半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂区远离所述第二掺杂区的一端正对的部分所述基底内具有第二空气间隙。14.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；形成位于所述基底上的多个间隔排布的半导体柱，所述半导体柱包括沿第一方向依次分布的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区，所述半导体柱具有中空区，且至少部分所述沟
道区环绕所述中空区；形成沿第二方向延伸的位线，所述位线与沿所述第二方向排布的多个所述半导体柱的所述第一掺杂区相接触；形成沿第三方向延伸的字线，所述字线环绕沿所述第三方向排布的多个所述半导体柱的所述沟道区。15.如权利要求14所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一方向为垂直于所述基底表面的方向，形成所述半导体柱包括：在所述基底上形成多个间隔排布且沿所述第一方向延伸的牺牲结构；在所述牺牲结构表面形成第一半导体膜；去除远离所述基底的所述牺牲结构顶面的所述第一半导体膜；去除所述牺牲结构，以形成刻蚀孔；在部分所述刻蚀孔内形成第二半导体膜，所述第二半导体膜以及所述第一半导体膜围成所述中空区，所述第二半导体膜以及所述第一半导体膜作为所述半导体柱。16.如权利要求15所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述位线包括：形成位于所述半导体柱的部分所述第一掺杂区侧壁之间的位线层；去除部分位线层，形成多条沿所述第二方向延伸且相互独立的位线。17.如权利要求16所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述牺牲结构表面形成所述第一半导体膜，还包括：在所述牺牲结构以外的所述基底上形成第一半导体膜，所述牺牲结构以外的所述基底上的所述第一半导体膜作为初始半导体层；所述位线层还位于所述初始半导体层上，去除部分所述位线层还包括：去除部分所述位线层底部的所述初始半导体层，形成沿所述第二方向延伸的半导体层，所述半导体层与沿所述第二方向排布的多个所述半导体柱邻近所述基底表面的外壁相连接。18.如权利要求15所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述中空区内形成功能层，所述功能层至少封堵所述中空区远离所述基底的顶部区域，所述功能层位于部分所述中空区内，且所述功能层以外的所述中空区为第一空气间隙。19.如权利要求15所述半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲结构的同时，还去除与所述牺牲结构底部相接触的部分所述基底，以在所述基底内形成第二空气间隙。

技术总结
本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；位于所述基底上的多个间隔排布的半导体柱，所述半导体柱包括沿第一方向依次分布的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区，所述半导体柱具有中空区，且至少部分所述沟道区环绕所述中空区；沿第二方向延伸的位线，所述位线与沿所述第二方向排布的多个所述半导体柱的所述第一掺杂区相接触；沿第三方向延伸的字线，所述字线环绕沿所述第三方向排布的多个所述半导体柱的所述沟道区。本公开实施例至少有利于提高半导体结构的电学性能。能。能。


技术研发人员：邵光速
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.08.19
技术公布日：2022/11/11