基板处理方法和基板处理装置与流程

技术特征：
1.一种基板处理方法，是第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，在所述第二基板上形成有激光吸收层，所述基板处理方法包括：对所述激光吸收层脉冲状地照射激光来形成剥离改性层，并在所述激光吸收层的内部蓄积应力；以及连锁地释放所蓄积的所述应力，来将所述第二基板剥离。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在形成所述剥离改性层时，不使所述激光吸收层与所述第二基板产生剥离。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，形成作为所述应力的连锁释放的起点的起点改性层。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第一基板与所述第二基板接合了的接合区域的端部处且所述激光吸收层的内部形成所述起点改性层，在形成所述起点改性层时，使通过形成该起点改性层而产生的应力向所述接合区域的径向侧的区域即未接合区域释放，由此使所述激光吸收层与所述第二基板产生剥离，使通过形成所述剥离改性层而蓄积的所述应力向通过形成所述起点改性层而产生的剥离区域释放，由此开始进行所述应力的连锁释放。5.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在形成起点改性层时，通过照射激光来产生所述激光吸收层与所述第二基板的剥离，使通过形成所述剥离改性层而蓄积的所述应力向通过形成所述起点改性层而产生的剥离区域释放，由此开始进行所述应力的连锁释放。6.根据权利要求4或5所述的基板处理方法，其特征在于，在比所述剥离改性层更靠径向外侧的位置形成所述起点改性层。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：沿所述第二基板的作为去除对象的周缘部与所述第二基板的中央部的边界形成周缘改性层，在比所述周缘改性层更靠径向外侧的位置形成所述剥离改性层。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，不在所述激光吸收层的中心部形成所述剥离改性层。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，通过控制所述剥离改性层的形成位置和/或形成所述剥离改性层时的所述激光的照射形状，来使所述剥离改性层的相对于所述激光吸收层的形成面积增加。10.根据权利要求1至9中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第二基板与所述激光吸收层之间还形成有用于促进所述第二基板的剥离的剥离促进层。11.根据权利要求1至10中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在向所述激光吸收层照射所述激光时，从激光振荡器朝向光学元件振荡出脉冲状的激光，并在所述光学元件中调整激光的频率。12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，
来自所述激光振荡器的激光的频率是所述光学元件能够控制的最高频率。13.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其特征在于，在向所述激光吸收层照射所述激光时，在衰减器中使来自所述激光振荡器的激光衰减。14.一种基板处理装置，对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理，在所述第二基板形成有激光吸收层，所述基板处理装置具有：激光照射部，其对所述第二基板的所述激光吸收层脉冲状地照射激光；以及控制部，其控制所述激光照射部的动作，其中，所述控制部控制所述激光照射部的动作，以在通过照射所述激光而形成剥离改性层并在所述激光吸收层的内部蓄积应力之后，通过所蓄积的所述应力的连锁释放将所述第二基板剥离。15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部控制所述激光的输出，以在形成所述剥离改性层时不产生所述激光吸收层与所述第二基板的剥离。16.根据权利要求14或15所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部控制所述激光照射部的动作，以形成作为所述应力的连锁释放的起点的起点改性层。17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部控制所述激光照射部的动作，以在所述第一基板与所述第二基板接合了的接合区域的端部处且所述激光吸收层的内部形成所述起点改性层，在形成该起点改性层时，使通过形成该起点改性层而产生的应力向所述接合区域的径向侧的区域即未接合区域释放，由此使所述激光吸收层与所述第二基板产生剥离，使通过形成所述剥离改性层而蓄积的所述应力向通过形成所述起点改性层而产生的剥离区域释放，由此开始进行所述应力的连锁释放。18.根据权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，在形成所述起点改性层时，所述控制部控制所述激光的输出，以通过照射激光来产生所述激光吸收层与所述第二基板的剥离，并且，所述控制部控制所述激光照射部的动作，以使通过形成所述剥离改性层而蓄积的所述应力向通过形成所述起点改性层而产生的剥离区域释放，由此开始进行所述应力的连锁释放。19.根据权利要求17或18所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部控制所述激光照射部的动作，以在比所述剥离改性层更靠径向外侧的位置形成所述起点改性层。20.根据权利要求14至19中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还具有第二激光照射部，所述第二激光照射部用于沿所述第二基板的作为去除对象的周缘部与所述第二基板的中央部的边界形成周缘改性层，所述控制部控制所述激光照射部的动作，以在比所述周缘改性层更靠径向外侧的位置形成所述剥离改性层。
21.根据权利要求14至20中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部控制所述激光照射部的动作，以不在所述激光吸收层的中心部形成所述剥离改性层。22.根据权利要求14至21中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部控制所述剥离改性层的形成位置和/或形成所述剥离改性层时的所述激光的照射形状，以使所述剥离改性层的相对于所述激光吸收层的形成面积增加。23.根据权利要求14至22中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，在所述第二基板与所述激光吸收层之间还形成有用于促进所述第二基板的剥离的剥离促进层。24.根据权利要求14至23中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还具有控制部，所述控制部控制所述激光照射部，所述激光照射部具有：激光振荡器，其振荡出脉冲状的激光；以及光学元件，其使来自所述激光振荡器的激光向不同的方向变向，所述控制部控制所述光学元件，来调整向所述激光吸收层照射的激光的频率。25.根据权利要求24所述的基板处理装置，其特征在于，来自所述激光振荡器的激光的频率为所述变向所能够控制的最高频率。26.根据权利要求24或25所述的基板处理装置，其特征在于，所述激光照射部具有使来自所述激光振荡器的激光衰减的衰减器。

技术总结
一种第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，在所述第二基板上形成有激光吸收层，所述处理方法包括：对所述激光吸收层照射脉冲状的激光来形成剥离改性层，并在所述激光吸收层的内部蓄积应力；以及连锁地释放所蓄积的所述应力，来将所述第二基板剥离。来将所述第二基板剥离。来将所述第二基板剥离。


技术研发人员：田之上隼斗 山下阳平
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2021.03.02
技术公布日：2022/11/11