一种用于干法去胶后清除残胶的方法与流程

技术特征：
1.一种用于干法去胶后清除残胶的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)将晶圆放置于刻蚀腔体内；步骤2)顶针自热台内升出并顶起所述晶圆，以使所述热台和所述晶圆在上下方向上间隔开；步骤3)先后向所述刻蚀腔体内通入氧气和水，以对光刻胶的表层部分进行软化；步骤4)所述顶针自所述晶圆底部下降至所述热台内，以使所述晶圆抵接在所述热台上，向所述刻蚀腔体内通入水并同时启动微波源；步骤5)反应结束后，关闭所述微波源，继续向所述刻蚀腔体内通入水，并同时通入氧气和氮气，进行去胶操作。2.根据权利要求1所述的一种用于干法去胶后清除残胶的方法，其特征在于，还包括：步骤6)重复2～3次所述步骤4)至所述步骤5)的工艺，完成去胶操作。3.根据权利要求1所述的一种用于干法去胶后清除残胶的方法，其特征在于，步骤3)所述刻蚀腔体的反应压力为2～2.5torr。4.根据权利要求3所述的一种用于干法去胶后清除残胶的方法，其特征在于，通入氧气的流量为3500～4000sccm，通入氧气的时间为30～60s。5.根据权利要求4所述的一种用于干法去胶后清除残胶的方法，其特征在于，通入水的量为0.5～0.6g，通入水的时间为30～60s。6.根据权利要求1所述的一种用于干法去胶后清除残胶的方法，其特征在于，步骤4)所述微波源的射频功率为800～1400w。7.根据权利要求6所述的一种用于干法去胶后清除残胶的方法，其特征在于，所述刻蚀腔体的反应压力为2000～4000mtorr。8.根据权利要求7所述的一种用于干法去胶后清除残胶的方法，其特征在于，所述通入水的量为0.3～0.6g，通入水的时间为30～50s。9.根据权利要求1所述的一种用于干法去胶后清除残胶的方法，其特征在于，步骤5)所述通入氧气的流量为2000～4000sccm，通入氮气的流量为200～800sccm，通入氧气和通入氮气的时间均为30～50s。10.根据权利要求9所述的一种用于干法去胶后清除残胶的方法，其特征在于，继续向所述刻蚀腔体内通入水的量为0.3～0.6g。

技术总结
本发明公开了一种用于干法去胶后清除残胶的方法，采用在晶圆与热台不接触结合接触(Pin Up结合Pin down模式)的方式，优化了工艺过程，开始时向刻蚀腔体内通入水和氧气不加上射频来起到软化胶的作用，之后向刻蚀腔体内通入水同时启动微波源，射频功率会影响胶的软化效果，最后关闭微波源，继续向刻蚀腔体内通入水、氧气和氮气，重复操作，即可完成去胶。本发明能够在大规模集成电路工业制造环境下应用，是通过改变干法去胶过程中晶圆与热台的接触在微波源射频功率作用下去胶，以及晶圆与热台不接触模式无射频功率软化胶，和制造过程中的优化方法。实验结果显示，晶圆表面残胶被完全去除干净，效果相当明显。效果相当明显。效果相当明显。


技术研发人员：叶联 彭泰彦 车东晨 陈兆超 胡冬冬 许开东
受保护的技术使用者：江苏鲁汶仪器有限公司
技术研发日：2021.05.10
技术公布日：2022/11/10