一种通信激光器及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种通信激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：s1、采用pecvd的方法在wafer正面生长厚度为2um以上的厚介质膜限制层，所述厚介质膜限制层包括自下而上依次设置的si3n4膜层、梯度sino
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膜层、sio2膜层、梯度sion
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膜层、si3n4膜层；s2、光刻后采用rie干法刻蚀工艺完成厚介质膜限制层图形制作。2.如权利要求1所述的通信激光器的制作方法，其特征在于：所述si3n4膜层的厚度为0.15～0.3um，所述梯度sino
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膜层的厚度为0.4～06um，所述sio2膜层的厚度为0.8～1.2um，所述梯度sion
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膜层的厚度为0.4～06um；所述梯度sino
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膜层和梯度sion
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膜层中的x均逐渐增大。3.如权利要求1所述的通信激光器的制作方法，其特征在于：步骤s1的具体方法如下：s11、将待生长厚介质膜限制层的wafer进行清洗前处理，然后放入pecvd设备中抽真空，腔体加热至250～350℃；s12、待达到真空度后对生长厚介质膜限制层的wafer正面先进行等离子渗氮处理；s13、在经步骤s12处理后的wafer正面先生长一层si3n4膜层，其中反应气体为sih4和nh3；s14、在完成步骤s13的生长工艺后，继续生长梯度sino
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膜层，其中反应气体为n2o和sih4；s15、在完成步骤s14的生长工艺后，继续生长一层sio2膜层，其中反应气体为n2o和sih4；s16、在完成步骤s15的生长工艺后，继续生长梯度sion
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膜层，其中反应气体为n2o和sih4；s17、在完成步骤s16的生长工艺后，最后再生长一层si3n4膜层，其中反应气体为sih4和nh3；完成厚介质膜限制层的生长。4.如权利要求3所述的通信激光器的制作方法，其特征在于：步骤s12中的等离子渗氮的工艺条件包括：真空度0.9-1.0mtorr，n2流量800～1200sccm，等离子功率25～35w，时间4～8min。5.如权利要求3所述的通信激光器的制作方法，其特征在于：步骤s14中生长梯度sino
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膜层的工艺条件包括：保持n2o流量不变，sih4气体从400～800sccm，以80～120sccm为步进，每步1～3min；步骤s16中生长梯度sion
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膜层的工艺条件包括：保持n2o流量不变，sih4气体从800～400sccm，以80～120sccm为步进，每步1～3min。6.如权利要求3所述的通信激光器的制作方法，其特征在于：步骤s13和步骤17中生长si3n4膜层的工艺条件包括：sih4的气体流量600～900sccm，nh3的气体流量40～60sccm，等离子功率为20～35w，时间为8～12min；步骤s15中生长sio2膜层的工艺条件包括：sih4的气体流量80～120sccm，n2o的气体流量700～900sccm，等离子功率20～35w，时间10～15min。7.如权利要求1所述的通信激光器的制作方法，其特征在于，步骤s2的具体方法如下：s21、将光刻后待rie干法刻蚀的产品放入rie设备中抽真空，腔体温度为室温；s22、待到达工艺真空度以后，通入反应气体chf3和o2，刻蚀18～25min；s23、在完成步骤s22的刻蚀工艺后，关闭气体，通入反应气体cf4和o2，刻蚀8～15min；s24、在完成步骤s23的刻蚀工艺后，重复步骤s21和步骤s22；
s25、在完成步骤s24的交替刻蚀工艺后，关闭气体，通入反应气体chf3和o2，刻蚀8～15min；完成厚介质膜限制层图形制作。8.如权利要求7所述的通信激光器的制作方法，其特征在于：步骤s22和步骤s25中的工艺条件为：chf3的气体流量50～80sccm，o2的气体流量5～10sccm，等离子功率150～250w。9.如权利要求7所述的通信激光器的制作方法，其特征在于：步骤s23中的工艺条件为：cf4的气体流量40～60sccm，o2的气体流量4～8sccm，等离子功率150～250w。10.一种通信激光器，其特征在于：该通信激光器采用权利要求1-9任一所述的制作方法制得。

技术总结
本发明涉及通信芯片半导体技术领域，具体涉及一种通信激光器及其制作方法，包括如下步骤：S1、采用PECVD的方法在Wafer正面生长厚度为2um以上的厚介质膜限制层，所述厚介质膜限制层包括自下而上依次设置的Si3N4膜层、梯度SiNO


技术研发人员：游顺青 葛婷 许海明
受保护的技术使用者：武汉光安伦光电技术有限公司
技术研发日：2022.08.05
技术公布日：2022/12/5