半导体器件及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有顶层金属层；在所述顶层金属层上形成钝化层，所述钝化层包含依次层叠的第一氧化物层、氮化物层与第二氧化物层。2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，采用sod工艺形成所述第一氧化物层，采用hdp cvd工艺形成所述第二氧化物层。3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述钝化层包含依次层叠的第一氧化硅层、氮化硅层与第二氧化硅层。4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述钝化层包含依次层叠的第一氧化硅层、氮氧化硅层与第二氧化硅层。5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述衬底上形成有金属互连结构，所述顶层金属层是位于所述金属互连结构中顶层的金属层。6.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述钝化层之后，所述制作方法还包括：在所述钝化层内形成开口，所述开口暴露出所述顶层金属层。7.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的顶层金属层；以及位于所述顶层金属层上的钝化层，所述钝化层包含依次层叠的第一氧化物层、氮化物层与第二氧化物层。8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述钝化层包含依次层叠的第一氧化硅层、氮化硅层与第二氧化硅层。9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述钝化层包含依次层叠的第一氧化硅层、氮氧化硅层与第二氧化硅层。10.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底上形成有金属互连结构，所述顶层金属层是位于所述金属互连结构中顶层的金属层。

技术总结
本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有顶层金属层；在所述顶层金属层上形成钝化层，所述钝化层包含依次层叠的第一氧化物层、氮化物层与第二氧化物层。本发明通过将钝化层设置为氧化物、氮化物与氧化物三层层叠的结构来减小所述钝化层的应力，从而提高所述钝化层抵抗外界应力的能力，以避免所述顶层金属层变厚时在所述钝化层中产生裂纹，从而提高产品的可靠性。可靠性。可靠性。


技术研发人员：陈涛 钱坤 尹记红 朱梦媚
受保护的技术使用者：合肥晶合集成电路股份有限公司
技术研发日：2022.10.31
技术公布日：2022/11/29