半导体器件及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件，包括：衬底，包括有源区域；栅极堆叠件，位于所述有源区域上方；以及硬掩模，位于所述栅极堆叠件上方，所述硬掩模包括：覆盖层；支撑层，沿着所述覆盖层的侧壁和底部延伸，其中，所述支撑层包括金属氧化物材料或金属氮化物材料；以及衬垫层，沿着所述支撑层的侧壁和底部延伸。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬垫层包括与所述金属氮化物材料不同的第一氮化物材料。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述覆盖层包括与所述金属氮化物材料不同的第二氮化物材料。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一氮化物材料与所述第二氮化物材料相同。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一氮化物材料与所述第二氮化物材料不同。6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括延伸到与所述栅极堆叠件相邻的所述有源区域中的外延源极/漏极区。7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括位于所述外延源极/漏极区上方的源极/漏极接触件，所述源极/漏极接触件的顶表面与所述硬掩模的顶表面齐平。8.一种半导体器件，包括：衬底，包括有源区域；第一间隔件结构和第二间隔件结构，位于所述有源区域上方，所述第一间隔件结构的第一侧壁面向所述第二间隔件结构的第二侧壁；栅极堆叠件，位于所述有源区域上方以及位于所述第一间隔件结构和所述第二间隔件结构之间，其中，所述栅极堆叠件的顶表面低于所述第一间隔件结构的顶表面和所述第二间隔件结构的顶表面；硬掩模，位于所述栅极堆叠件上方以及位于所述第一间隔件结构和所述第二间隔件结构之间，所述硬掩模包括：衬垫层，沿着所述栅极堆叠件的顶表面、所述第一间隔件结构的所述第一侧壁和所述第二间隔件结构的所述第二侧壁延伸，所述衬垫层包括第一氮化物材料；支撑层，位于所述衬垫层上方，所述支撑层包括第二氮化物材料或第一氧化物材料；以及覆盖层，位于所述支撑层上方，所述覆盖层包括第三氮化物材料；外延源极/漏极区，嵌入在与所述第一间隔件结构相邻的所述有源区域中；以及源极/漏极接触件，位于所述外延源极/漏极区上方并且与所述第一间隔件结构相邻，所述源极/漏极接触件的顶表面与所述硬掩模的顶表面齐平。9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一间隔件结构的宽度随着所述第一间隔件结构延伸远离所述有源区域而减小。
10.一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底的有源区域上方形成伪栅极结构，所述伪栅极结构具有第一侧壁和与所述第一侧壁相对的第二侧壁；在所述伪栅极结构的所述第一侧壁上形成第一间隔件结构；在所述伪栅极结构的所述第二侧壁上形成第二间隔件结构；用替换栅极结构替换所述伪栅极结构；使所述替换栅极结构凹进以形成嵌入在所述第一间隔件结构和所述第二间隔件结构之间的凹槽；以及在所述凹槽中形成硬掩模，其中，形成所述硬掩模包括：沿着所述凹槽的侧壁和底部形成衬垫层；在所述凹槽中的所述衬垫层上方形成支撑层，所述支撑层包括金属氮化物材料或金属氧化物材料；以及在所述凹槽中的所述支撑层上方形成覆盖层。

技术总结
器件包括包含有源区域的衬底、有源区域上方的栅极堆叠件以及栅极堆叠件上方的硬掩模。硬掩模包括覆盖层、沿覆盖层的侧壁和底部延伸的支撑层、以及沿着支撑层的侧壁和底部延伸的衬垫层。支撑层包括金属氧化物材料或金属氮化物材料。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。件的方法。件的方法。


技术研发人员：何彩蓉 李资良
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.05.11
技术公布日：2022/12/5