半导体结构及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底正面形成有待蚀刻层；于所述待蚀刻层内形成通孔；于所述衬底背面形成应力调节层，以使所述衬底及所述待蚀刻层向背离所述应力调节层的一侧弯曲，并使所述通孔孔口的孔径变大；于所述通孔内形成填充层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述通孔内形成填充层之后，还包括：去除所述应力调节层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述应力调节层。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底背面形成应力调节层之前，还包括：形成阻挡层，所述阻挡层至少覆盖所述通孔的侧壁；所述于所述通孔内形成填充层，还包括：形成覆盖所述阻挡层且填充所述通孔的所述填充层。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述衬底正面还形成有位于所述衬底与所述待蚀刻层之间的导电层；所述于所述待蚀刻层内形成通孔之后，所述通孔暴露出所述导电层；所述形成阻挡层之后，所述阻挡层与所述导电层相连接。6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述应力调节层的形成厚度与所述衬底及所述待蚀刻层的弯曲度正相关。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述应力调节层的厚度小于10000
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。8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述应力调节层包括氧化硅层、氮化硅层和氮化镓层中的至少一层。9.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述通孔的深宽比大于或等于10∶1。10.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构采用如权利要求1至9中任一项所述的半导体结构的制备方法制备而得。

技术总结
本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底，所述衬底正面形成有待蚀刻层；于所述待蚀刻层内形成通孔；于所述衬底背面形成应力调节层，以使所述衬底及所述待蚀刻层向背离所述应力调节层的一侧弯曲，并使所述通孔孔口的孔径变大；于所述通孔内形成填充层。该半导体结构的制备方法可以提高半导体结构的生产良率及使用可靠性。靠性。靠性。


技术研发人员：王文智 王建智 张国伟 王茹茹 周文鑫
受保护的技术使用者：合肥新晶集成电路有限公司
技术研发日：2022.10.26
技术公布日：2022/11/22