半导体结构及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的制造方法，包括：将多个导电球放置在电路衬底上方，其中所述导电球中的每一个放置在多个接触垫中的任一个的接触面积上，所述接触面积被经图案化的掩模层以可触及的方式显露出来；以及回焊所述导电球以形成连接到所述电路衬底的所述接触垫的具有不同的高度的多个外部端子，其中形成在所述电路衬底的第一区中的所述外部端子的第一外部端子和形成在所述电路衬底的第二区中的所述的外部端子的第二外部端子是非共面的。2.根据权利要求1所述半导体结构的制造方法，还包括：在所述电路衬底上形成所述经图案化的掩模层，其中所述经图案化的掩模层包括具有不同开口尺寸的多个开口以可触及的方式显露出来具有不同的尺寸所述接触垫的所述接触面积；将所述导电球中的每一个放置在所述经图案化的掩模层的所述开口中的任一个中；以及回焊所述导电球以填充所述经图案化的掩模层的所述开口，其中所述开口的第一开口的第一侧向尺寸大于所述开口的第二开口的第二侧向尺寸，形成在所述第一开口中的所述第一外部端子具有第一最大高度，所述第一最大高度小于形成在所述第二开口中的所述第二外部端子的第二最大高度。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括：在所述电路衬底上形成所述经图案化的掩模层，其中所述经图案化的掩模层包括尺寸大致上均一的多个开口；以及将具有不同体积的所述导电球放置在所述经图案化的掩模层的所述开口中。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中在室温下所述第一外部端子和所述第二外部端子之间的第一非共面性小于在加热操作温度下所述第一外部端子和所述第二外部端子之间的第二非共面性，形成所述外部端子包括：在所述电路衬底的角落形成具有第一最大高度的所述第一外部端子，在所述电路衬底的中心形成具有第二最大高度的所述第二外部端子，其中所述第一最大高度小于所述第二最大高度。5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中在室温下所述第一外部端子和所述第二外部端子之间的第一非共面性大于在温度高于所述室温下所述第一外部端子和所述第二外部端子之间的第二非共面性，形成所述外部端子包括：在所述电路衬底的角落形成具有第一最大高度的所述第一外部端子，在所述电路衬底的中心形成具有第二最大高度的所述第二外部端子，其中所述第一最大高度大于所述第二最大高度。6.一种半导体结构的制造方法，包括：获得关系式，所述关系式是随后形成在电路衬底上方的经图案化的掩模层上的多个外部端子的临界尺寸与距离中性点之间的关系，其中所述距离中性点是所述外部端子到所述电路衬底的中心的距离；基于所述关系式，在所述电路衬底上形成具有多个开口的所述经图案化的掩模层；执行植球工艺以将多个导电球放置在所述经图案化的掩模层上，其中所述导电球中的
每一个被放置于所述开口中的任一个中；以及对所述导电球执行回焊工艺以形成耦合到所述电路衬底的所述外部端子，其中所述外部端子的高度不均。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其中：形成所述经图案化的掩模层包括形成具有第一侧向尺寸的第一开口与具有第二侧向尺寸的第二开口，所述第二侧向尺寸小于所述第一侧向尺寸；以及执行所述植球工艺包括提供体积大致上均一的所述导电球，其中在所述回焊工艺之后，形成在所述第一开口中的所述外部端子中的第一外部端子具有第一最大高度，所述第一最大高度小于形成在所述第二开口中的所述外部端子中的第二外部端子的第二最大高度。8.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其中形成所述外部端子包括：形成具有第一最大高度和第一曲率半径的第一外部端子在所述电路衬底的中央区中；形成具有第二最大高度和第二曲率半径的第二外部端子在所述电路衬底的外围区中，其中所述第一最大高度大于所述第二最大高度，所述第一曲率半径小于所述第二曲率半径，并且在室温下所述外部端子的非共面性降低到小于规定允许的非共面性。9.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其中形成所述外部端子包括：形成具有第一最大高度和第一曲率半径的第一外部端子在所述电路衬底的中央区中；形成具有第二最大高度和第二曲率半径的第二外部端子在所述电路衬底的外围区中，其中所述第一最大高度小于所述第二最大高度，所述第一曲率半径大于所述第二曲率半径，并且在比室温高的加热操作温度下，所述外部端子的非共面性降低到小于规定允许的非共面性。10.一种半导体结构，包括：电路衬底，包括多个接触垫；阻焊层，设置在所述电路衬底上并部分覆盖所述接触垫；以及多个外部端子，设置在所述阻焊层上并延伸穿过所述阻焊层以与所述接触垫接触，其中：所述外部端子的第一外部端子的第一最大高度大于所述外部端子的第二外部端子的第二最大高度，以及所述第一外部端子和在所述第一外部端子下面的所述接触垫中的相应的一个之间的第一界面小于所述第二外部端子和在所述第二外部端子下面的所述接触垫中的相应的另一个之间的第二界面。

技术总结
提供一种半导体结构及其制造方法。所述方法包括以下步骤。将多个导电球放置在电路衬底上方，其中每个导电球放置在多个接触垫中的任一者的接触面积上，而接触面积被经图案化的掩模层以可触及的方式显露出来。回焊导电球以形成连接到电路衬底的接触垫的具有不同的高度的多个外部端子，其中形成在电路衬底的第一区中的外部端子的第一外部端子和形成在电路衬底的第二区中的外部端子的第二外部端子是非共面的。共面的。共面的。


技术研发人员：叶庭聿 陈庆和 丁国强 陈伟铭 许家豪 黄冠育 许书嘉
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.01.20
技术公布日：2022/12/5