半导体结构及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，包括：背侧介电层；第一纳米结构和第二纳米结构，位于所述背侧介电层上方；第一源极/漏极结构，连接到所述第一纳米结构；第二源极/漏极结构，连接到所述第二纳米结构；以及背侧源极/漏极隔离部件，夹在所述第一源极/漏极结构和所述第二源极/漏极结构之间，其中，所述背侧源极/漏极隔离部件的底面与所述背侧介电层的底面基本上齐平。2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：栅极结构，包裹环绕所述第一纳米结构和所述第二纳米结构，其中，所述栅极结构的底面低于所述背侧介电层的顶面。3.根据权利要求2所述的半导体结构，还包括：第一内部间隔件，形成在所述第一纳米结构之间，其中，所述背侧介电层与所述栅极结构和所述第一内部间隔件直接接触。4.根据权利要求2所述的半导体结构，还包括：背侧栅极隔离部件，穿过所述背侧介电层并且穿过所述栅极结构形成以将所述栅极结构分离成第一部分和第二部分。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述背侧栅极隔离部件与所述背侧源极/漏极隔离部件接触。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述背侧源极/漏极隔离部件包括：衬垫层，覆盖所述第一源极/漏极结构和所述第二源极/漏极结构的侧壁；和隔离材料，由所述衬垫层围绕。7.根据权利要求6所述的半导体结构，还包括：源极/漏极接触件，形成在所述第一源极/漏极结构上方，其中，所述源极/漏极接触件与所述背侧源极/漏极隔离部件的所述衬垫层直接接触。8.一种半导体结构，包括：背侧介电层；第一纳米结构和第二纳米结构，在第一方向上在所述背侧介电层上方延伸；栅极结构，位于所述背侧介电层上方，并且包裹环绕所述第一纳米结构和所述第二纳米结构并且在第二方向上延伸；第一源极/漏极结构，位于所述背侧介电层上方并且连接到所述第一纳米结构；第二源极/漏极结构，位于所述背侧介电层上方并且连接到所述第二纳米结构；背侧源极/漏极隔离部件，在所述第一方向上延伸并且将所述第一源极/漏极结构和所述第二源极/漏极结构分离，其中，所述背侧源极/漏极隔离部件包括：衬垫层，位于所述第一源极/漏极结构的侧壁和所述第二源极/漏极结构的侧壁上方；和隔离材料，由所述衬垫层围绕和覆盖。9.根据权利要求8所述的半导体结构，还包括：源极/漏极接触件，覆盖所述第一源极/漏极结构、所述背侧源极/漏极隔离部件和所述
第二源极/漏极结构。10.一种制造半导体结构的方法，包括：形成从衬底的前侧突出的第一鳍结构和第二鳍结构，其中，所述第一鳍结构和所述第二鳍结构包括交替堆叠的第一半导体材料层和第二半导体材料层；形成围绕所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的隔离结构；在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上方形成源极/漏极结构；从所述衬底的背侧去除所述隔离结构，以形成暴露所述源极/漏极结构的开口；通过所述开口蚀刻所述源极/漏极结构，以形成穿过所述源极/漏极结构的深开口；以及在所述深开口中形成背侧源极/漏极隔离部件。

技术总结
提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的第一纳米结构和第二纳米结构。半导体结构还包括栅极结构，栅极结构包括包裹环绕第一纳米结构的第一部分和包裹环绕第二纳米结构的第二部分。半导体结构还包括夹在栅极结构的第一部分和第二部分之间的介电部件。此外，介电部件包括底部和在底部上方的顶部，并且介电部件的顶部包括壳层和由壳层围绕的芯部。层和由壳层围绕的芯部。层和由壳层围绕的芯部。


技术研发人员：谌俊元 苏焕杰 游力蓁 张罗衡 庄正吉 王志豪
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.07.04
技术公布日：2022/12/12