一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

显示面板及显示装置的制作方法

2022-12-22 10:57:58 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种显示面板,其特征在于,包括非开口区和多个开口区,所述非开口区位于相邻的所述开口区之间,所述显示面板包括基底,所述基底位于远离所述显示面板的出光面的一侧,所述基底包括:第一衬底层;第二衬底层,位于所述第一衬底层上,所述第二衬底层与所述第一衬底层之间形成第一界面,所述第二衬底层的折射率大于所述第一衬底层的折射率;第三衬底层,位于所述第二衬底层上,所述第三衬底层与所述第二衬底层之间形成第二界面,所述第三衬底层的折射率小于所述第二衬底层的折射率;其中,所述第一界面和所述第二界面中的至少一个在所述非开口区内形成有第一凹面,所述第一凹面的凹陷方向朝向所述第一凹面的两侧中折射率较大的一侧。2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一界面和所述第二界面中的至少一个在所述开口区内形成有第二凹面,所述第二凹面的凹陷方向朝向所述第二凹面的两侧中折射率较小的一侧。3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括位于所述非开口区内的有源层,所述有源层位于所述基底上,所述有源层包括沟道区以及分别位于所述沟道区两侧的源极接触区和漏极接触区;其中,所述沟道区在所述基底上的正投影位于所述第一凹面内。4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括遮光层,所述遮光层位于所述第一衬底层和所述有源层之间;其中,所述沟道区在所述遮光层上的正投影位于所述遮光层上,所述遮光层在所述基底上的正投影位于所述第一凹面内。5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一衬底层为玻璃基板,所述第二衬底层为氮化硅层,所述第三衬底层为氧化硅层;其中,所述有源层位于所述氧化硅层远离所述氮化硅层的一侧表面,所述遮光层位于所述玻璃基板靠近所述有源层的一侧表面。6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,在所述显示面板的出光侧方向上,所述氧化硅层的厚度大于所述氮化硅层的厚度。7.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一衬底层为氧化硅层,所述第二衬底层为氮化硅层,所述第三衬底层为玻璃基板;其中,所述玻璃基板与所述有源层之间设置有阻挡层,所述遮光层位于所述玻璃基板靠近所述有源层的一侧表面。8.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,在所述显示面板的出光侧方向上,所述第一凹面和所述第二凹面的截面形状为圆弧形或梯形。9.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,在所述显示面板的出光侧方向上,所述第一凹面和所述第二凹面的高度均大于或等于0.2微米且小于或等于2微米;在垂直于所述显示面板的出光侧方向上,所述第一凹面和所述第二凹面的最大宽度均大于或等于5微米且小于或等于20微米。10.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括黑矩阵层,所述黑矩阵层位于所述基底上,所述黑矩阵层与所述非开口区完全重叠。
11.如权利要求10所述的显示面板,其特征在于,多个所述开口区阵列排布,所述非开口区包括第一非开口子区和第二非开口子区,所述第一非开口子区位于相邻两列的所述开口区之间,所述第二非开口子区位于相邻两行的所述开口区之间;其中,在行方向上,所述第一非开口子区的宽度与位于所述第一非开口子区内的所述第一凹面的最大宽度之差大于或等于0.5微米且小于或等于1微米;在列方向上,所述第二非开口子区的宽度与位于所述第二非开口子区内的所述第一凹面的最大宽度之差大于或等于0.5微米且小于或等于1微米。12.如权利要求11所述的显示面板,其特征在于,在垂直于所述显示面板的出光侧方向上,位于所述第一非开口子区内的所述第一凹面的最大宽度小于位于所述第二非开口子区内的所述第一凹面的最大宽度。13.如权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述黑矩阵层在所述基底上的正投影与相邻的所述第二凹面的边缘之间的间距大于或等于0.5微米且小于或等于1微米。14.一种显示装置,其特征在于,包括背光模组以及如权利要求1至13任一项所述的显示面板,所述显示面板位于所述背光模组的出光侧。

技术总结
本发明提供一种显示面板及显示装置,显示面板包括非开口区和开口区,显示面板包括基底,基底位于远离显示面板的出光面的一侧,基底包括第一衬底层、第二衬底层以及第三衬底层;第二衬底层与第一衬底层之间形成第一界面;第三衬底层与第二衬底层之间形成第二界面;本发明通过在第一界面和第二界面中的至少一个的非开口区内形成第一凹面,并且第一凹面的凹陷方向朝向第一凹面的两侧中折射率较大的一侧,使得第一凹面可以将从远离显示面板的出光面的一侧入射至非开口区内的光线折射至开口区内,通过改变光线的传播方向后使光线进入开口区内出射,从而提高了显示面板的光效,提升了显示面板的光学性能。提升了显示面板的光学性能。提升了显示面板的光学性能。


技术研发人员:罗成志
受保护的技术使用者:武汉华星光电技术有限公司
技术研发日:2022.08.26
技术公布日:2022/12/12
再多了解一些

本文用于创业者技术爱好者查询,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。

发表评论 共有条评论
用户名: 密码:
验证码: 匿名发表

相关文献