显示面板及其制作方法、显示装置与流程

技术特征：
1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底上的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：半导体层，位于所述衬底上，所述半导体层包括沟道部、位于所述沟道部两侧的导体部；栅极，位于所述半导体层上；其中，所述沟道部在所述衬底上的正投影位于所述第一栅极在所述衬底上的正投影内，所述第一栅极具有第一长度，所述沟道部具有第二长度，所述第二长度与所述第一长度之比大于0.7，所述第二长度与所述第一长度之比小于或等于1。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导体部包括第一浓度区以及第二浓度区，所述第一浓度区位于所述导体部靠近所述沟道部的一侧，所述第二浓度区位于所述第一浓度区远离所述沟道部一侧；其中，所述第一浓度区内的所述导体部的载流子浓度低于所述第二浓度区内的所述导体部的载流子浓度。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述第一栅极与所述半导体层之间的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括位于所述第一栅极两侧的阻挡部；其中，在所述显示面板的俯视方向上，所述阻挡部位于所述第一浓度区内。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阻挡部包括位于所述第一栅极一侧的第一阻挡子部以及相对设置于所述第一栅极另一侧的第二阻挡子部，在所述显示面板的俯视方向上，所述第一阻挡子部具有第三长度，所述第二阻挡子部具有第四长度；其中，所述第三长度大于0.85微米，所述第三长度小于或等于1.8微米；所述第四长度大于0.85微米，所述第四长度小于或等于1.8微米。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第三长度大于或等于1.2微米，所述第三长度小于或等于1.8微米；所述第四长度大于或等于1.2微米，所述第四长度小于或等于1.8微米。6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖部分所述半导体层、所述阻挡部以及所述第一栅极；其中，所述阻挡部内的离子浓度大于所述层间绝缘层内的离子浓度。7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二长度与所述第一长度之比大于或等于0.8，且所述第二长度与所述第一长度之比小于或等于1。8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管的阈值电压为-0.76v至0.22v。9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的显示面板。10.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成半导体材料层；在所述半导体材料层上形成阻挡材料层；在所述阻挡材料层上形成第一金属层；对所述第一金属层以及所述阻挡材料层进行图案化处理以形成第一栅极以及栅极绝缘层并使部分所述半导体材料层裸露；
对所述半导体材料层进行导体化处理以形成半导体层；其中，所述半导体层包括沟道部、分别位于所述沟道部两侧的导体部；所述沟道部在所述衬底上的正投影位于所述第一栅极在所述衬底上的正投影内，所述第一栅极具有第一长度，所述沟道部具有第二长度，所述第二长度与所述第一长度之比大于0.7，所述第二长度与所述第一长度之比小于或等于1。

技术总结
本发明实施例公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置，该显示面板包括衬底以及位于该衬底上的多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：该衬底上的半导体层，包括沟道部、位于该沟道部两侧的导体部，该半导体层上的第一栅极，该沟道部在衬底上的正投影位于该第一栅极在衬底上的正投影内，该第一栅极具有第一长度，该沟道部具有第二长度，第二长度与第一长度之比大于0.7，该第二长度与该第一长度之比小于或等于1，本发明通过在显示面板的俯视方向上，控制沟道部的第二长度与第一栅极的第一长度之比大于0.7且小于或等于1，使薄膜晶体管的阈值电压更接近于0，改善了薄膜晶体管由于阈值电压过于偏负造成的失效问题，提高了薄膜晶体管的器件性能。管的器件性能。管的器件性能。


技术研发人员：胡凯 刘方梅
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2022.08.30
技术公布日：2022/11/29