一种LED芯片的制作方法

技术特征：
1.一种led芯片，其特征在于，包括：导电基板；通过键合层键合形成于所述导电基板背面的发光结构，所述发光结构包括通过分割道相互独立的若干个发光阵列；其中，各所述发光阵列包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源层及第二型半导体层，所述第一方向垂直于所述导电基板，并由所述发光结构指向所述导电基板；所述分割道裸露所述第一型半导体层；第二电极层，其层叠于各发光阵列所对应的第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面；第一电极连通层，其设置于各所述分割道的底面且相互连通；所述第一电极连通层靠近所述第一型半导体层的一侧表面具有电极引出区；第一绝缘层，其覆盖各所述发光阵列、分割道以及第一电极连通层，且具有裸露所述第二电极层的通孔；金属反射镜，其通过嵌入所述通孔的方式设置于所述发光结构的表面，并作为键合面；第一电极，其设置于所述电极引出区，通过所述第一电极连通层与第一型半导体层形成接触。2.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，在所述分割道的侧壁还设有第二绝缘层，所述第一电极连通层通过所述第二绝缘层与两侧发光阵列的侧壁绝缘设置，且所述第一绝缘层覆盖所述第二绝缘层。3.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述金属反射镜延伸至所述第一绝缘层的表面，完全覆盖各所述发光阵列及分割道。4.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，各所述发光阵列通过所述分割道被均匀布置。5.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述导电基板包括au、ni、al、cu、w、si、se、gaas中的一种或多种所组成的基板。6.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述第二电极层和金属反射镜为金属反射材料，其包括铟、锡、铝、金、铂、锌、银、钛、铅、镍中的一种或多种。7.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述第一型半导体层具有粗化表面。8.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述led芯片包括紫外led芯片。9.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述第一电极连通层远离两侧发光阵列的侧壁。

技术总结
本实用新型提供了一种LED芯片，实现了多个垂直结构发光单元的并联，可分流LED芯片的总电流，以降低LED芯片的整体电压；同时，将LED芯片刻蚀形成多个发光阵列，有效增大了侧面的出光面积，尤其对短波长的紫外LED芯片，更多TM模出光，具有明显的出光效果。此外，第一电极连通层设置于各所述分割道的底面且相互连通，并在靠近所述第一型半导体层的一侧表面具有电极引出区，从而使得第一电极不额外占据发光面积，同时通过第一电极连通层极大提升的电流扩展均匀性，保证LED发光的均匀性，进一步降低LED芯片的工作电压，提升电光转化效率。提升电光转化效率。提升电光转化效率。


技术研发人员：赵斌 曲晓东 罗桂兰 杨克伟 林志伟 陈凯轩
受保护的技术使用者：厦门乾照光电股份有限公司
技术研发日：2022.09.29
技术公布日：2022/12/13