技术特征:
1.一种集成芯片,包含:一半导体层,位在一基板上;一对源极/漏极,沿着上述半导体层排列;一第一金属层,位在上述基板上;一第二金属层,位在上述第一金属层上;以及一铁电层,位在上述第二金属层上;其中,上述第一金属层具有一第一晶体方向,上述第二金属层具有与上述第一晶体方向不同的一第二晶体方向。
技术总结
一种集成芯片包含位于一基板上的一半导体层。一对源极/漏极沿着上述半导体层排列。一第一金属层位在上述基板上。一第二金属层位在上述第一金属层上。一铁电层位在上述第二金属层上。上述第一金属层具有一第一晶体方向,上述第二金属层具有与上述第一晶体方向不同的一第二晶体方向。一第二晶体方向。一第二晶体方向。
技术研发人员:黄彦杰 陈海清 林仲德
受保护的技术使用者:台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日:2022.07.13
技术公布日:2022/12/12
再多了解一些
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