一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

显示设备的制作方法

2022-12-25 01:35:06 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种显示设备,包括:基板;布置在所述基板上的发光装置层,其中所述发光装置层包括第一区、第二区和第三区,并且其中所述发光装置层进一步包括发射第一光的至少一个发光装置;以及布置在所述发光装置层上的颜色转换层,其中所述颜色转换层包括第一颜色转换区、第二颜色转换区和第三颜色转换区,其中所述第一颜色转换区布置为对应于所述发光装置层的所述第一区,并发射第一颜色光,所述第二颜色转换区布置为对应于所述发光装置层的所述第二区,并发射第二颜色光,所述第三颜色转换区布置为对应于所述发光装置层的所述第三区,并发射第三颜色光,所述第一颜色光的最大发射波长、所述第二颜色光的最大发射波长和所述第三颜色光的最大发射波长各自大于所述第一光的最大发射波长,所述第三颜色光的颜色与所述第一光的颜色相同,并且所述第三颜色光的所述最大发射波长大于所述第一光的所述最大发射波长。2.如权利要求1所述的显示设备,其中所述第三颜色光的所述最大发射波长比所述第一光的所述最大发射波长大5纳米或更多。3.如权利要求1所述的显示设备,其中所述第一颜色转换区包括第一发射体,所述第二颜色转换区包括第二发射体,并且所述第三颜色转换区包括第三发射体。4.如权利要求3所述的显示设备,其中所述第一发射体、所述第二发射体和所述第三发射体彼此不同。5.如权利要求3所述的显示设备,其中所述第一发射体布置在从对应于所述发光装置层的所述第一区的部分发射的所述第一光的第一路径中,所述第二发射体布置在从对应于所述发光装置层的所述第二区的部分发射的所述第一光的第二路径中,并且所述第三发射体布置在从对应于所述发光装置层的所述第三区的部分发射的所述第一光的第三路径中。6.如权利要求3所述的显示设备,其中基于所述第三颜色转换区的总重,所述第三颜色转换区包括1重量百分数至50重量百分数的量的所述第三发射体。7.如权利要求3所述的显示设备,其中所述第三发射体的所述最大发射波长为425纳米至465纳米。8.如权利要求3所述的显示设备,其中所述第一发射体、所述第二发射体和所述第三发射体各自独立地包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光材料、量子点或其任意组合。9.如权利要求8所述的显示设备,其中所述磷光掺杂剂包括由式401表示的有机金属化合物:式401m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
其中l
401
为由式402表示的配体:
式402其中,在式401和式402中,m为过渡金属,xc1为1、2或3,其中,当xc1为2或3时,两个或更多个l
401
彼此相同或不同,l
402
为有机配体,且xc2为0、1、2、3或4,其中,当xc2为2、3或4时,两个或更多个l
402
彼此相同或不同,x
401
和x
402
各自独立地为氮或碳,环a
401
和环a
402
各自独立地为c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基,t
401
为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(=o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、*-c(q
411
)=c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)=*'或*=c=*',x
403
和x
404
各自独立地为化学键、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
),r
401
和r
402
各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷硫基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(=o)(q
401
)、-s(=o)2(q
401
)、-p(q
401
)(q
402
)或-p(=o)(q
401
)(q
402
),r
10a
为:氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基;各自未被取代或被以下中的至少一个取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基或c
1-c
60
烷硫基:氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
1-c
60
杂芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(=o)(q
11
)、-s(=o)2(q
11
)、-p(q
11
)(q
12
)、-p(=o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合;各自未被取代或被以下中的至少一个取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
1-c
60
杂芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基或c
2-c
60
杂芳基烷基:氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
1-c
60
烷硫基、c
3-c
60

环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
1-c
60
杂芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(=o)(q
21
)、-s(=o)2(q
21
)、-p(q
21
)(q
22
)、-p(=o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合;或-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(=o)(q
31
)、-s(=o)2(q
31
)、-p(q
31
)(q
32
)或-p(=o)(q
31
)(q
32
),q
11
至q
13
、q
21
至q
23
、q
31
至q
33
、q
401
至q
403
和q
411
至q
414
各自独立地为:氢;氘;-f;-cl;-br;-i;羟基;氰基;硝基;氨基;脒基;肼基;腙基;羧酸基或其盐;磺酸基或其盐;磷酸基或其盐;c
1-c
60
烷基;c
2-c
60
烯基;c
2-c
60
炔基;c
1-c
60
烷氧基;c
1-c
60
烷硫基;或者各自未被取代或被氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、c
1-c
60
烷硫基、苯基和联苯基中的至少一个取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基,xc11和xc12各自独立地为选自0至10的整数,并且式402中的*和*'各自指示与式401中的m的结合位点。10.如权利要求8所述的显示设备,其中所述荧光掺杂剂包括由式501表示的化合物:式501其中,在式501中,ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
和r
502
各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基,xd1至xd3各自独立地为0、1、2或3,xd4为1、2、3、4、5或6,并且r
10a
为如权利要求9中描述的。11.如权利要求8所述的显示设备,其中所述延迟荧光材料包括:i)包括至少一个电子供体和至少一个电子受体的材料,ii)包括其中两个或更多个环状基团在共用硼原子的同时稠合的c
8-c
60
多环基团的材料,或其任意组合。12.如权利要求8所述的显示设备,其中所述量子点包括第ii-vi族半导体化合物,第iii-v族半导体化合物,第iii-vi族半导体化合物,第i-iii-vi族半导体化合物,第iv-vi族半导体化合物,第iv族元素或化合物,或其任意组合。13.如权利要求1所述的显示设备,其中所述第一颜色转换区、所述第二颜色转换区和所述第三颜色转换区中的至少一个进一步包括散射体。14.如权利要求13所述的显示设备,其中所述散射体包括bifeo3、fe2o3、wo3、tio2、sic、batio3、zno、zro2、zro、ta2o5、moo3、teo2、nb2o5、fe3o4、v2o5、cu2o、bp、al2o3、in2o3、sno2、sb2o3、ito或其任意组合。15.如权利要求1所述的显示设备,其中所述至少一个发光装置中的每个发光装置包括:
第一电极;面向所述第一电极的第二电极;以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的夹层,其中所述夹层包括至少一个发射层。16.如权利要求15所述的显示设备,其中所述至少一个发射层中的每个发射层独立地包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光材料、量子点或其任意组合。17.如权利要求15所述的显示设备,其中所述至少一个发光装置为串联发光装置,所述串联发光装置包括:依次堆叠在所述第一电极和所述第二电极之间的至少两个发射单元;以及布置在所述至少两个发射单元之间的电荷生成层。18.如权利要求17所述的显示设备,其中包括在所述串联发光装置中的所述至少两个发射单元发射具有彼此相同或不同的最大发射波长的光。19.如权利要求1所述的显示设备,其中所述第一光的所述最大发射波长为420纳米至460纳米。20.如权利要求1所述的显示设备,进一步包括至少一个滤色器,所述滤色器布置在所述颜色转换层上以对应于所述第一颜色转换区、所述第二颜色转换区和所述第三颜色转换区中的至少一个。

技术总结
本申请提供了显示设备。显示设备,包括:基板;布置在基板上的发光装置层,其中发光装置层包括第一区、第二区和第三区,以及发射第一光的至少一个发光装置;以及布置在发光装置层上的颜色转换层,其中颜色转换层包括第一颜色转换区、第二颜色转换区和第三颜色转换区,其中第一颜色转换区发射第一颜色光,第二颜色转换区发射第二颜色光,第三颜色转换区发射第三颜色光,第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光的最大发射波长大于第一光的最大发射波长,第三颜色光的颜色与第一光的颜色相同,并且第三颜色光的最大发射波长大于第一光的最大发射波长。波长。波长。


技术研发人员:金瑟雍 朴恩京 宋芝英 宋河珍 黄载熏
受保护的技术使用者:三星显示有限公司
技术研发日:2022.04.26
技术公布日:2022/12/22
再多了解一些

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