技术特征：
1.一种半导体装置，包括：一有源区，在一基板上方沿着一第一方向延伸，该有源区包括从一源极区通过一通道区延伸到一漏极区的一导电路径；一栅极电介质，在该通道区的一表面上；一隔离鳍片，在该有源区的一第一侧，其中该隔离鳍片包括：一第一鳍片区，相邻该源极区，且具有一第一鳍片宽度；一第二鳍片区，相邻该通道区，且具有一第二鳍片宽度；以及一第三鳍片区，相邻该漏极区，且具有该第一鳍片宽度，其中该第一鳍片宽度大于该第二鳍片宽度；以及一栅极电极，在该通道区中抵接该栅极电介质。
技术总结
一种半导体装置，包括有源区，在基板上方沿着第一方向延伸，其中有源区包括从源极区通过通道区延伸到漏极区的导电路径；栅极电介质，在通道区的表面上；隔离鳍片，在有源区的第一侧，其中隔离鳍片包括：第一鳍片区，相邻源极区，且具有第一鳍片宽度；第二鳍片区，相邻通道区，且具有第二鳍片宽度；以及第三鳍片区，相邻漏极区，且具有第一鳍片宽度，其中第一鳍片宽度大于第二鳍片宽度；以及栅极电极，在通道区中抵接栅极电介质。中抵接栅极电介质。中抵接栅极电介质。
技术研发人员：游家权 潘冠廷 朱熙甯 江国诚 王志豪
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.08.05
技术公布日：2022/12/16
再多了解一些
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