半导体结构的制作方法及半导体结构与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底的第一区域形成保护层；在所述基底的第二区域形成栅氧层，在形成所述栅氧层的过程中，所述保护层被氧化为氧化物层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述基底的第一区域形成保护层，包括：在所述基底的顶面依次形成第一材料层和第二材料层，所述第一材料层覆盖所述基底的顶面，所述第二材料层覆盖所述第一材料层的顶面；去除覆盖于所述基底的第二区域的所述第一材料层和所述第二材料层，被保留的位于所述基底的第一区域的所述第一材料层和所述第二材料层形成所述保护层；所述保护层被氧化为氧化物层包括：至少所述第二材料层被氧化为氧化物层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，去除覆盖于所述基底的第二区域的所述第一材料层和所述第二材料层，包括：形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层覆盖位于所述基底的第一区域的所述第二材料层的顶面；以所述第一光刻胶层为掩膜，去除所述第二区域的部分所述第一材料层和部分所述第二材料层。4.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一材料层的材料包括氧化物。5.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二材料层的材料包括多晶硅，所述氧化物层的材料包括sio2；或，所述第二材料层的材料包括氮化物，所述氧化物层的材料包括sio2和/或si2n2o。6.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述基底的第二区域形成所述栅氧层时，工艺温度为1073k～1373k。7.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二区域包括第一子区域和第二子区域，所述栅氧层包括第一栅氧层和第二栅氧层；在所述基底的第二区域形成栅氧层，包括：去除位于所述第一子区域的保护层；在所述第一子区域形成第一栅氧层，在形成所述第一栅氧层的过程中，位于所述第一区域和所述第二子区域的所述保护层被氧化为氧化物层；去除位于所述第二子区域的所述氧化物层，以暴露出所述基底的第二子区域的顶面；形成第二栅氧层，所述第二栅氧层覆盖所述基底的第二子区域的顶面；在所述第一栅氧层和所述第二栅氧层的顶面形成高k介质层，所述高k介质层还覆盖所述第一区域的所述氧化物层顶面；去除所述第一区域的氧化物层和所述高k介质层。8.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，去除位于所述第二子区域的所述氧化物层，包括：形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层覆盖所述第一栅氧层的顶面以及所述第一区域
的所述氧化物层的顶面，覆盖于所述第二子区域的所述氧化物层被暴露出来；以所述第二光刻胶层为掩膜，去除覆盖于所述第二子区域的所述氧化物层，暴露出所述基底的第二子区域的顶面。9.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在垂直于所述基底上表面的方向上，所述第一栅氧层的厚度大于所述第二栅氧层的厚度；所述提供基底，还包括：在所述第二子区域中用于形成p型晶体管的区域上形成沟道材料层。10.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，提供基底，包括：提供衬底；在所述衬底的第一区域形成存储有源区及贯穿所述存储有源区的埋入式字线；在所述衬底的第二区域形成外围有源区。11.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，包括第一区域和第二区域；氧化物层，覆盖所述基底的第一区域的顶面；栅氧层，覆盖所述基底的第二区域的顶面。12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述氧化物层的材料包括sio2和si2n2o中的至少一种。13.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第二区域包括第一子区域和第二子区域；所述半导体结构还包括：位于所述第一子区域的输入输出晶体管，所述输入输出晶体管包括覆盖所述基底的第一子区域顶面的第一栅氧层；位于所述第二子区域的核心晶体管，所述核心晶体管包括覆盖所述基底的第二子区域的顶面的第二栅氧层；在垂直于所述基底上表面的方向上，所述第一栅氧层的厚度大于所述第二栅氧层的厚度。14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述核心晶体管还包括沟道材料层，所述沟道材料层位于所述基底的第二区域的第二子区域与所述第二栅氧层之间。15.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述基底的第一区域包括存储有源区及贯穿所述存储有源区的埋入式字线；所述基底的第二区域包括外围有源区。

技术总结
本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括：提供基底；在所述基底的第一区域形成保护层；在所述基底的第二区域形成栅氧层，在形成所述栅氧层的过程中，所述保护层被氧化为氧化物层。本公开中，通过在基底上形成能够与氧反应并生成氧化物层的保护层，以在栅氧化制程的过程中，保护层能够通过化学反应的方式吸收氧以减少氧含量，并且吸收氧后的保护层形成氧化物层还能够以物理方式阻挡氧，实现充分保护基底；并且，去除氧化物层的工艺与常规技术兼容，不会对后续制程产生影响。对后续制程产生影响。对后续制程产生影响。


技术研发人员：胡敏锐 唐怡
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.10.13
技术公布日：2022/12/30