半导体器件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底；金属层，所述金属层设置于所述基底上，所述金属层包括间隔设置的第一子金属层和第二子金属层；钝化层，所述钝化层覆盖于所述基底和所述金属层上，所述钝化层上具有暴露所述第一子金属层的第一通孔和暴露所述第二子金属层的第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔的边角处均具有边角切除区域，所述钝化层包括第一子钝化层和第二子钝化层，所述第二子钝化层设置于所述边角切除区域，除所述第二子钝化层以外的所述钝化层为所述第一子钝化层。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二子钝化层由所述边角切除区域延伸至所述第一子钝化层上，及延伸至暴露的所述第一子金属层和/或暴露的所述第二子金属层上。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一子钝化层包括自下而上依次层叠设置的第一氮化硅层和富硅氮化硅层，所述第二子钝化层为第二氮化硅层。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一子钝化层的厚度大于所述第二子钝化层的厚度。5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一子钝化层的厚度为0.55μm~2.5μm，所述第二子钝化层的厚度为0.05μm~0.2μm。6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氮化硅层的厚度为0.05μm~0.5μm，所述富硅氮化硅层的厚度为0.5μm~2μm。7.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二子钝化层的厚度为所述第一子钝化层的厚度的四分之一。8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，暴露的所述第一子金属层为发射极压焊区，暴露的所述第二子金属层为栅极压焊区。9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述发射极压焊区和所述栅极压焊区均为矩形，所述发射极压焊区的长度和宽度为3000μm~6000μm，所述栅极压焊区的长度和宽度为300μm~1500μm。10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，如权利要求1至9中任一项所述的半导体器件均采用所述半导体器件的制造方法制成，所述半导体器件的制造方法包括：提供一基底；在所述基底上形成金属层，所述金属层包括间隔设置的第一子金属层和第二子金属层；形成覆盖所述基底和所述金属层的第一子钝化层，并在所述第一子钝化层上形成暴露所述第一子金属层的第一通孔和暴露所述第二子金属层的第二通孔；去除所述第一通孔和所述第二通孔的边角，形成边角切除区域；在所述边角切除区域上形成第二子钝化层，以得到钝化层。

技术总结
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，其中，该半导体器件包括基底、金属层和钝化层，金属层设置于基底上，金属层包括间隔设置的第一子金属层和第二子金属层；钝化层覆盖于基底和金属层上，钝化层上具有暴露第一子金属层的第一通孔和暴露第二子金属层的第二通孔，第一通孔和第二通孔的边角处均具有边角切除区域，钝化层包括第一子钝化层和第二子钝化层，第二子钝化层设置于边角切除区域，除第二子钝化层以外的钝化层为第一子钝化层。本方案可以提高半导体器件的可靠性。可以提高半导体器件的可靠性。可以提高半导体器件的可靠性。


技术研发人员：李伟聪 文雨 姜春亮 雷秀芳
受保护的技术使用者：深圳市威兆半导体股份有限公司
技术研发日：2022.11.28
技术公布日：2022/12/30