一种无水冷的半导体晶圆低温处理设备的制作方法

技术特征：
1.一种无水冷的半导体晶圆低温处理设备，其特征在于，包括：反应箱（10），所述反应箱（10）包括真空腔室（11）和反应腔室（12），所述反应腔室（12）内置于所述真空腔室（11）内，所述反应腔室（12）设有进气口（13）和出气口（14）；加热件（20），所述加热件（20）设置于所述反应腔室（12）；以及多个镜面反射板（30），所述多个镜面反射板（30）均设置于所述真空腔室（11）和所述反应腔室（12）之间，且所述多个镜面反射板（30）依次连接，每个所述镜面反射板（30）均设有多个凸点，所述多个凸点间隔设置，且所述多个凸点均匀设置于所述镜面反射板（30）；其中，所述凸点的凸起程度范围在0.5mm-5mm之间，在一平方厘米的范围内所述凸点的数量范围在5-15之间。2.根据权利要求1所述的无水冷的半导体晶圆低温处理设备，其特征在于，所述镜面反射板（30）包括隔离垫板（31）以及多个反射板（32），所述隔离垫板（31）设置于相邻两个所述反射板（32）之间。3.根据权利要求2所述的无水冷的半导体晶圆低温处理设备，其特征在于，所述隔离垫板（31）的厚度范围在0.6mm-5.5mm之间。4.根据权利要求2所述的无水冷的半导体晶圆低温处理设备，其特征在于，所述隔离垫板（31）的高度高于所述凸点的凸起程度。5.根据权利要求2所述的无水冷的半导体晶圆低温处理设备，其特征在于，所述无水冷的半导体晶圆低温处理设备（100）还包括固定件（40），所述隔离垫板（31）与所述固定件（40）连接，所述固定件（40）用于将所述镜面反射板（30）固定设置在所述真空腔室（11）和所述反应腔室（12）之间。6.根据权利要求1所述的无水冷的半导体晶圆低温处理设备，其特征在于，所述镜面反射板（30）包括多个反射板（32），多个所述反射板（32）的边缘均设有凸起（321），所有所述凸起（321）依次层叠设置，且相邻两个所述凸起（321）的侧壁相互抵接以形成边缘自支撑结构，使相邻两个所述反射板（32）之间具有间隙，所述间隙的高度高于所述凸点的凸起程度。7.根据权利要求6所述的无水冷的半导体晶圆低温处理设备，其特征在于，所述反射板（32）还设有水平缓冲支撑结构（322），所述水平缓冲支撑结构（322）与所述凸起（321）相邻设置。8.根据权利要求7所述的无水冷的半导体晶圆低温处理设备，其特征在于，所述水平缓冲支撑结构（322）至少包括上凹槽和下凹槽，所述上凹槽和所述下凹槽的边缘连接，且所述上凹槽和所述下凹槽的凹陷程度一致，所述上凹槽和所述下凹槽的凹陷程度均小于所述凸起（321）的凸起程度，所述上凹槽和所述下凹槽的凹陷程度均大于所述凸点的凸起程度。9.根据权利要求8所述的无水冷的半导体晶圆低温处理设备，其特征在于，所述凸起（321）、所述上凹槽和所述下凹槽均为长条形结构，所述凸起（321）开设有第一间断式缝隙（323），所述上凹槽和所述下凹槽的侧壁均开设有第二间断式缝隙（325）。10.根据权利要求9所述的无水冷的半导体晶圆低温处理设备，其特征在于，所述第一间断式缝隙（323）和所述第二间断式缝隙（325）的宽度范围均在0.01mm-1mm之间。11.根据权利要求9所述的无水冷的半导体晶圆低温处理设备，其特征在于，所述第二间断式缝隙（325）倾斜设置于所述上凹槽和所述下凹槽，所述第二间断式缝隙（325）的倾斜角度范围在40度-65度之间。
12.根据权利要求9所述的无水冷的半导体晶圆低温处理设备，其特征在于，所述第一间断式缝隙（323）的倾斜角度范围在35度-55度之间。

技术总结
本发明的实施例提供了一种无水冷的半导体晶圆低温处理设备，涉及半导体晶圆处理设备技术领域。该无水冷的半导体晶圆低温处理设备包括反应箱、加热件以及多个镜面反射板，反应箱包括真空腔室和反应腔室，反应腔室内置于真空腔室内，反应腔室设有进气口和出气口，加热件设置于反应腔室，多个镜面反射板均设置于真空腔室和反应腔室之间，且多个镜面反射板依次连接，每个镜面反射板均设有多个凸点。真空腔室和反应腔室之间设置镜面反射板，镜面反射板能够将热量进行反射，避免温度外泄，反应箱外壁温度低，实现对反应腔室的保温作用，有利于提高加热效率以及工艺温度的稳定性，同时镜面反射板上的多个凸点能够进一步提高保温效果。反射板上的多个凸点能够进一步提高保温效果。反射板上的多个凸点能够进一步提高保温效果。


技术研发人员：万军 兰丽丽 曹文涛
受保护的技术使用者：无锡邑文电子科技有限公司
技术研发日：2022.11.29
技术公布日：2022/12/30