一种UHF频段超宽带大功率射频功率耦合器的制作方法

技术特征：
1.一种uhf频段超宽带大功率射频功率耦合器，其特征在于，包括微带耦合直通微带线、耦合微带线、交趾耦合结构、第一幅度均衡器、第二幅度均衡器、第一衰减器和第二衰减器，所述微带耦合直通微带线具有uhf频段射频信号输入端口和射频信号输出端口，所述耦合微带线具有正向耦合端口和反向耦合端口，所述微带耦合直通微带线和耦合微带线通过交趾耦合结构耦合，所述正向耦合端口与第一幅度均衡器的输入端连接，所述第一幅度均衡器的输出端与第一衰减器的输入端连接，所述反向耦合端口与第二幅度均衡器的输入端连接，所述第二幅度均衡器的输出端与第二衰减器的输入端连接。2.根据权利要求1所述的一种uhf频段超宽带大功率射频功率耦合器，其特征在于，所述第一幅度均衡器与第二幅度均衡器结构相同，所述第一幅度均衡器包括电阻r107、电阻r109、电阻r111、电阻r113、电阻r115、电阻r117、电阻r119、电阻r121、电阻r123、电阻r125、电阻r127、电容c100、电容c102、电容c104、电容c106、电容c108、电感l100、电感l102、电感l104、电感l106、电感l108；所述电感l100的第一端作为第一幅度均衡器的输入端，所述电阻r107的第一端、电阻r109的第一端和电容c100的第一端均与电感l100的第一端连接，所述电容c100的第二端、电容c102的第一端、电阻r109的第二端、电阻r111的第一端、电阻r113的第一端和电感l102的第一端均与电感l100的第二端连接，所述电容c102的第二端、电容c104的第一端、电阻r113的第二端、电阻r115的第一端、电阻r117的第一端和电感l104的第一端均与电感l102的第二端连接，所述电容c104的第二端、电容c106的第一端、电阻r117的第二端、电阻r119的第一端、电阻r121的第一端和电感l106的第一端均与电感l104的第二端连接，所述电容c106的第二端、电容c108的第一端、电阻r121的第二端、电阻r123的第一端、电阻r125的第一端和电感l108的第一端均与电感l106的第二端连接，所述电容c108的第二端、电阻r125的第二端和电阻r127的第一端与电感l108的第二端连接，所述电感l108的第二端作为第一幅度均衡器的输出端，所述电阻r107的第二端、电阻r111的第二端、电阻r115的第二端、电阻r119的第二端、电阻r123的第二端和电阻r127的第二端均接地。3.根据权利要求2所述的一种uhf频段超宽带大功率射频功率耦合器，其特征在于，所述第一衰减器和第二衰减器的结构相同，所述第一衰减器包括电阻r101、电阻r102和电阻r103，所述电阻r102的第一端作为第一衰减器的输入端，所述电阻r102的第二端作为第二衰减器的输出端，所述电阻r101的第一端与电阻r102的第一端连接，所述电阻r101的第二端接地，所述电阻r103的第一端与电阻r102的第二端连接，所述电阻r103的第二端接地。4.根据权利要求1所述的一种uhf频段超宽带大功率射频功率耦合器，其特征在于，所述交趾耦合结构的交趾深度为0mm，所述交趾耦合结构的交趾长度为0.32mm-0.38mm，所述交趾耦合结构的交趾间距为0.15mm-0.21mm，所述交趾耦合结构的交趾数量为21对。5.根据权利要求1所述的一种uhf频段超宽带大功率射频功率耦合器，其特征在于，所述微带耦合直通微带线和耦合微带线的结构尺寸均为21mm*6mm。6.根据权利要求1所述的一种uhf频段超宽带大功率射频功率耦合器，其特征在于，所述微带耦合直通微带线和耦合微带线的间距为0.6mm。

技术总结
本发明公开了一种UHF频段超宽带大功率射频功率耦合器，属于射频耦合技术领域。所述耦合器包括微带耦合直通微带线、耦合微带线、交趾耦合结构、第一幅度均衡器、第二幅度均衡器、第一衰减器和第二衰减器，所述微带耦合直通微带线具有UHF频段射频信号输入端口和射频信号输出端口，所述耦合微带线具有正向耦合端口和反向耦合端口，所述微带耦合直通微带线和耦合微带线通过交趾耦合结构耦合，所述正向耦合端口经第一幅度均衡器与第一衰减器的输入端连接，所述反向耦合端口经第二幅度均衡器与第二衰减器的输入端连接。本发明中耦合器采用微带耦合方式与集总参数元件结合的结构，在保持大功率的同时减小了耦合器的体积。功率的同时减小了耦合器的体积。功率的同时减小了耦合器的体积。


技术研发人员：陈超
受保护的技术使用者：成都市四度空间科技有限公司
技术研发日：2022.12.01
技术公布日：2023/1/13