半导体器件及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，至少包括如下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有存储结构以及位于存储结构两侧侧壁上的第一侧墙；形成覆盖在所述存储结构的顶面和所述第一侧墙的表面上的侧墙保护层，并选择性去除部分所述侧墙保护层，以仅在所述第一侧墙的下端侧壁上保留预设高度的第二侧墙；对包含有所述第二侧墙的半导体衬底进行后续工艺，以形成至少包含金属插塞在内的电学结构。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一侧墙为单层膜结构或者为多层膜结构；当所述第一侧墙为单层膜结构时，所述第一侧墙的材料包括二氧化硅；当所述第一侧墙为多层膜结构时，所述第一侧墙为由氧化物层-氮化物层-氧化物层组成的ono堆叠结构。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述存储结构为单存储位结构或者为共享字线的双存储位结构或者为共享源线的双存储位结构。4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述侧墙保护层的材料包括氮化硅。5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，刻蚀去除所述侧墙保护层的工艺为干法刻蚀工艺。6.如权利要求1或5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，位于第一侧墙下端侧壁上的所述第二侧墙在沿垂直于所述半导体衬底的表面的方向的高度范围为7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成的所述侧墙保护层的厚度范围为：8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对包含有所述第二侧墙的半导体衬底进行后续工艺的步骤，包括：在所述半导体衬底的表面上形成金属硅化物阻挡层，并利用湿法刻蚀工艺去除部分所述金属硅化物阻挡层，以至少暴露出所述存储结构的顶面以及位于该存储结构两侧的半导体衬底的上表面。9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对包含有所述第二侧墙的半导体衬底进行后续工艺的步骤，还包括：在所述半导体衬底上形成层间介质层，刻蚀所述层间介质层，以在所述层间介质层中形成用于电性外接所述存储结构两侧所对应的半导体衬底所定义的源区和/漏区的开口，之后再在所述开口中填充金属钨以形成所述金属插塞。10.一种半导体器件，其特征在于，其为采用权利要求1～9任一项所述的半导体器件的制造方法制备而成的部分区域包含所述第二侧墙的半导体器件。

技术总结
本发明提供了一种半导体器件及其制备方法。具体的，其通过在形成以及刻蚀去除存储结构、存储结构两侧侧壁上的侧墙、源区以及漏区表面上覆盖的金属硅化物阻挡层SAB层之前，先至少在存储结构两侧侧壁上的第一侧墙的表面上形成侧墙保护层，然后再去除部分侧墙保护层，从而仅在第一侧墙的下端侧壁上形成用于保护第一侧墙的小侧墙，从而避免在后续SAB刻蚀工艺中对所述第一侧墙的下端部分区域发生侧向刻蚀、在形成CT的过程中造成在第一侧墙与CT之间出现缝隙、以及一旦CT靠近这种缝隙或孔洞，TiN在CT侧壁形成的不均匀造成的填充在CT中的六氟化钨会和硅衬底Si或者存储结构或者栅极结构中的SiO2材料发生火山反应，导致的CT中的金属W的损耗的问题。中的金属W的损耗的问题。中的金属W的损耗的问题。


技术研发人员：付博 曹启鹏 王卉
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2022.10.26
技术公布日：2023/1/13