一种自毁器件及芯片

技术特征：
1.一种自毁器件，其特征在于，所述自毁器件包括：第一自毁电极和第二自毁电极；中间硅层、第一硅层掺杂和第二硅层掺杂，所述中间硅层的一侧通过所述第一硅层掺杂连接所述第一自毁电极，所述中间硅层的另一侧通过所述第二硅层掺杂连接所述第二自毁电极；密封层，所述密封层配合所述第一硅层掺杂和第二硅层掺杂将所述中间硅层封闭；衬底，所述衬底与所述密封层连接；当所述第一自毁电极接收到第一预设阈值电信号，第二自毁电极接收到第二预设阈值电信号，衬底接收到第三预设阈值电信号，并持续第四预设阈值时长后，所述中间硅层在封闭空间内温度升高，使得器件被击穿或烧毁。2.根据权利要求1所述的自毁器件，其特征在于，所述密封层采用热导率低的材料制成。3.根据权利要求1所述的自毁器件，其特征在于，所述密封层包括第一埋氧层和第二埋氧层，所述第一埋氧层的底部与所述中间硅层的顶部连接，所述第一埋氧层的两侧分别连接所述第一自毁电极和第二自毁电极的内侧，所述第二埋氧层的顶部分别连接所述第一硅层掺杂的底部、中间硅层的底部和第二硅层掺杂的底部，所述衬底设置于所述第二埋氧层的底部。4.根据权利要求3所述的自毁器件，其特征在于，所述自毁器件还包括寄生晶体管，所述寄生晶体管包括源极掺杂、漏极掺杂、栅电极和顶层硅，所述顶层硅的顶部两端分别连接所述源极掺杂和漏极掺杂，所述顶层硅的顶部中端连接所述栅电极，所述第一埋氧层的顶部与所述顶层硅的底部连接。5.根据权利要求4所述的自毁器件，其特征在于，所述自毁器件还包括第一隔离层和第二隔离层，所述第一隔离层和第二隔离层均设置于所述第二埋氧层的顶部，所述第一隔离层设置于所述第一自毁电极和第一硅层掺杂的外侧，所述第二隔离层设置于所述第二自毁电极和第二硅层掺杂的外侧。6.根据权利要求4所述的自毁器件，其特征在于，所述自毁器件还包括第三隔离层和第四隔离层，所述第三隔离层和第四隔离层均设置于所述第一埋氧层的顶部，所述第三隔离层设置于所述顶层硅和源极掺杂的外侧，所述第四隔离层设置于所述顶层硅和漏极掺杂的外侧，所述寄生晶体管与所述第一自毁电极之间通过所述第三隔离层进行分隔，所述寄生晶体管与所述第二自毁电极之间通过所述第四隔离层进行分隔。7.根据权利要求4所述的自毁器件，其特征在于，所述顶层硅的厚度为40～70nm，所述中间硅层的厚度为130～160nm，所述第一埋氧层的厚度为130～160nm，所述第二埋氧层的厚度为130～160nm。8.根据权利要求1所述的自毁器件，其特征在于，所述第一预设阈值为正值，所述第一预设阈值大于所述第二预设阈值，所述第一预设阈值电信号与所述第二预设阈值电信号的电压差值绝对值大于100v，所述第三预设阈值电信号的电压为8v。9.根据权利要求1所述的自毁器件，其特征在于，所述第四预设阈值时长设定为10s～20s。10.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括如权利要求1至9任一项所述的自毁器件。

技术总结
本发明公开了一种自毁器件及芯片，涉及电子技术领域，自毁器件包括：第一自毁电极和第二自毁电极；中间硅层、第一硅层掺杂和第二硅层掺杂，中间硅层的一侧通过第一硅层掺杂连接第一自毁电极，中间硅层的另一侧通过第二硅层掺杂连接第二自毁电极；密封层，密封层配合第一硅层掺杂和第二硅层掺杂将中间硅层封闭；衬底，衬底与密封层连接；当第一自毁电极接收到第一预设阈值电信号，第二自毁电极接收到第二预设阈值电信号，衬底接收到第三预设阈值电信号，并持续第四预设阈值时长后，中间硅层在封闭空间内温度升高，使得器件被击穿或烧毁。本申请成本低、集成度高，既保证芯片正常工作，又能快速自毁。能快速自毁。能快速自毁。


技术研发人员：刘凡宇 张旭 李博 陈思远 罗家俊 李彬鸿 叶甜春
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2022.11.22
技术公布日：2023/2/3