具备静电屏蔽功能的IGBT模块及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种具备静电屏蔽功能的igbt模块的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：s1：制作封装基板(1)；s2：将封装基板(1)贴装到金属底板(3)上；s3：将静电屏蔽体(2)装配到金属底板(3)上；s4：其他装配与相关处理工作；s5：模块测试与性能评估。2.根据权利要求1所述的具备静电屏蔽功能的igbt模块的制作方法，其特征在于，所述s1包括如下子步骤：s1-1：芯片贴片；s1-2：一次回流；s1-3：清洗；s1-4：打孔与空洞检验；s1-5：键合。3.根据权利要求2所述的具备静电屏蔽功能的igbt模块的制作方法，其特征在于：所述s1-1中，将igbt芯片(5)和fred芯片(6)装配到绝缘基板(4)上，完成贴片工作，而后执行s1-2。4.根据权利要求3所述的具备静电屏蔽功能的igbt模块的制作方法，其特征在于：所述s1-2中，将igbt芯片(5)和fred芯片(6)焊接到绝缘基板(4)上，而后执行s1-3。5.根据权利要求4所述的具备静电屏蔽功能的igbt模块的制作方法，其特征在于：所述s1-3中，使用专用溶剂和清洗机器对焊接有芯片的绝缘基板(4)进行清洗，而后执行s1-4。6.根据权利要求5所述的具备静电屏蔽功能的igbt模块的制作方法，其特征在于：所述s1-4中，在绝缘基板(4)上打孔，形成孔洞(7)，并用x-ray观察空洞的情况是否符合标准要求，而后执行s1-5。7.根据权利要求6所述的具备静电屏蔽功能的igbt模块的制作方法，其特征在于：所述s1-5中，将若干条铝线(12)的两端分别连接在芯片和绝缘基板(4)的金属化层上。8.根据权利要求1所述的具备静电屏蔽功能的igbt模块的制作方法，其特征在于，所述s4包括如下子步骤：s4-1：引线与信号端子装配；s4-2：二次回流；s4-3：再清洗；s4-4：信号端子焊接；s4-5：外壳(11)装配；s4-6：灌胶固化。9.一种具备静电屏蔽功能的igbt模块，由权利要求1-8所述的制作方法制作而成，其特征在于：包括金属底板(3)，金属底板(3)上设有封装基板(1)和静电屏蔽体(2)。10.根据权利要求9所述的具备静电屏蔽功能的igbt模块，其特征在于：所述静电屏蔽体(2)和金属底板(3)之间的空腔内设有封装基板(1)，静电屏蔽体(2)包括无底盖的长方形体金属外壳(8)，金属外壳(8)的一个顶角上引出接地端子(9)。

技术总结
本发明提供了一种具备静电屏蔽功能的IGBT模块及其制作方法，涉及半导体器件制造领域。具备静电屏蔽功能的IGBT模块的制作方法，包括步骤S1：制作封装基板；S2：将封装基板贴装到金属底板上；S3：将静电屏蔽体装配到金属底板上；S4：其他装配与相关处理工作；S5：模块测试与性能评估。由以上所述的制作方法制作而成的具备静电屏蔽功能的IGBT模块，包括金属底板，金属底板上设有封装基板和静电屏蔽体。本发明能够有效减少IGBT模块中的静电干扰、进而提高IGBT器件的抗干扰能力，解决了常规制作工艺制作而成的传统IGBT模块中，由于存在着无法屏蔽的内外干扰信号，而导致器件的稳定工作受到负面影响的问题。到负面影响的问题。到负面影响的问题。


技术研发人员：翟露青 马青翠
受保护的技术使用者：淄博美林电子有限公司
技术研发日：2023.02.10
技术公布日：2023/3/10