双面部分模制的SIP模块的制作方法

技术特征：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底的第一表面上方设置第一部件和第二部件；在所述第一部件上沉积第一密封剂，同时所述第二部件保留在所述第一密封剂的外部；在所述第一密封剂上方形成屏蔽层，同时所述第二部件保留在所述第一密封剂的外部；在所述衬底的第二表面上方沉积第二密封剂；以及通过所述第二密封剂形成焊料凸块。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在形成所述屏蔽层的同时，在所述第二部件上方设置罐；以及在形成所述屏蔽层之后去除所述罐。3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在形成所述屏蔽层之后，将所述第二部件设置在所述衬底的第一表面上方。4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：去除所述屏蔽层的一部分以暴露所述衬底的接触焊盘；以及在所述接触焊盘上方设置所述第二部件。5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将所述第一密封剂沉积到模腔中，其中所述第一部件在所述模腔内，并且所述第二部件在所述模腔的外部。6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述衬底的第二表面上设置第三部件；以及在所述第三部件上方沉积所述第二密封剂。7.一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底的第一表面上方设置第一部件；在所述第一部件上方沉积第一密封剂；在所述第一密封剂上方形成屏蔽层；以及在所述衬底的第二表面上方沉积第二密封剂。8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：在所述衬底的第二表面上方设置焊料凸块；形成通过所述第二密封剂的开口以暴露所述焊料凸块；在所述开口中设置焊球；以及将所述焊球和焊料凸块回流成组合的焊料凸块。9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括在所述衬底的第二表面上方设置半导体管芯。10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：将连接器设置在所述衬底的第一表面上方；以及在形成所述屏蔽层的同时在所述连接器上方设置罐。11.一种半导体器件，包括：
衬底；设置在所述衬底的第一表面上方的第一部件；沉积在所述第一部件上方的第一密封剂；形成在所述第一密封剂上方的屏蔽层；设置在所述衬底的第二表面上方的第二部件；以及沉积在所述衬底的第二表面上方的第二密封剂。12.根据权利要求11所述的半导体器件，进一步包括设置在所述衬底的第二表面上方并延伸通过所述第二密封剂的焊料凸块。13.根据权利要求11所述的半导体器件，进一步包括设置在所述衬底的第一表面上方的连接器。14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述连接器保留在所述第一密封剂和屏蔽层的外部。15.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述第二部件从所述第二密封剂暴露。

技术总结
双面部分模制的SIP模块。一种半导体器件具有衬底和设置在衬底的第一表面上方的第一部件。连接器设置在衬底的第一表面上方。第一密封剂沉积在第一部件上方，同时连接器保留在第一密封剂的外部。屏蔽层形成在第一密封剂上方，同时连接器保留在屏蔽层的外部。第二部件设置在衬底的第二表面上方。焊料凸块设置在衬底的第二表面上方。第二密封剂沉积在衬底的第二表面上方。通过第二密封剂形成开口以暴露焊料凸块。焊球设置在开口中。焊球和焊料凸块被回流以形成组合的焊料凸块。回流以形成组合的焊料凸块。回流以形成组合的焊料凸块。


技术研发人员：李勋择 金光 J
受保护的技术使用者：星科金朋私人有限公司
技术研发日：2022.07.05
技术公布日：2023/3/10