技术特征：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供电气部件；在所述电气部件的表面上设置第一支撑带；以及将激光发射投射到所述电气部件上，其中第一支撑带减少所述电气部件在所述激光发射期间的翘曲。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：去除所述电气部件的表面的一部分以减小所述电气部件的厚度。3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：将半导体晶圆单体化，以在第一支撑层被设置在所述电气部件的表面上的情况下提供所述电气部件。4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：提供衬底；在所述衬底上设置所述电气部件；以及将所述激光发射投射到所述电气部件上以将所述电气部件接合到所述衬底。5.一种半导体器件，包括：半导体管芯；支撑带，其被设置在与所述半导体管芯的有源表面相对的所述半导体管芯的背面上；以及投射到所述半导体管芯上的激光发射，其中所述支撑带提供应力消除以避免所述半导体管芯在所述激光发射期间的翘曲。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述支撑带包括聚酰亚胺带。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述半导体晶圆被单体化，以在支撑层被设置在所述半导体管芯的背面上的情况下提供所述半导体管芯。8.根据权利要求5所述的半导体器件，进一步包括衬底，其中所述半导体管芯被设置在所述衬底上，并且所述激光发射被投射到所述半导体管芯上以将所述半导体管芯接合到所述衬底。9.根据权利要求5所述的半导体器件，进一步包括设置在所述支撑带上的切割带。10.一种半导体器件，包括：电气部件；设置在所述电气部件的表面上的支撑带；以及投射到所述电气部件上的激光发射，其中所述支撑带减少所述电气部件在所述激光发射期间的翘曲。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述支撑带包括聚酰亚胺带。12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述电气部件被包含在半导体晶圆内。13.根据权利要求12所述的半导体器件，进一步包括将所述半导体晶圆单体化，以在支撑层被设置在所述电气部件的表面上的情况下提供所述电气部件，。14.根据权利要求10所述的半导体器件，进一步包括衬底，其中所述电气部件被设置在所述衬底上，并且所述激光发射被投射到所述电气部件上以将所述电气部件接合到所述衬底。15.根据权利要求10所述的半导体器件，进一步包括设置在所述支撑带上的切割带。
技术总结
一种半导体器件具有半导体管芯以及设置在与半导体管芯的有源表面相对的半导体管芯的背面上的支撑带。半导体晶圆的背面的一部分被去除以减小其厚度。半导体管芯是半导体晶圆的一部分，并且晶圆被单体化以在支撑带被设置在半导体管芯的背面上的情况下提供半导体管芯。支撑带可以是聚酰亚胺带。切割带被设置在支撑带上。半导体管芯被设置在衬底上。激光发射被投射到半导体管芯上以将半导体管芯接合到衬底。支撑带提供应力消除，以避免半导体管芯在激光发射期间的翘曲。从半导体管芯的背面去除支撑带。去除支撑带。去除支撑带。
技术研发人员：W
受保护的技术使用者：星科金朋私人有限公司
技术研发日：2022.07.05
技术公布日：2023/3/10
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