曲线掩模OPC修正方法、装置、介质、程序产品及终端与流程

本申请涉及光学临近校正领域，特别是涉及一种曲线掩模opc修正方法、装置、介质及终端。

背景技术：

1、光刻是芯片制造过程中的关键工艺，光刻过程中的非线性效应是指光学系统、掩模版和光刻胶系统中发生的非线性响应，导致从设计版图图形到晶圆制造过程中的转移失真。现有的掩模版图形优化主要通过光学邻近效应修正opc（optical proximitycorrection）技术进行。opc 基于边缘位置误差epe（edge placement error）或关键尺寸（critical dimension）等目标函数，对掩模版版图进行仿真和优化，从而最大程度地减少半导体制造过程中由于光学等非线性效应造成的图形失真。

2、传统的掩膜opc技术通常采用曼哈顿优化，即通过修改掩模上曼哈顿图形的顶点位置和线宽来补偿光刻过程中发生的失真，并优化掩模图案，从而提高光刻胶曝光后的图案的精度和质量。其过程包括基于曼哈顿图形进行掩膜图形的切分、控制点生成、移动曼哈顿边、迭代并判断当前掩膜的epe是否收敛等步骤。然而曼哈顿opc的主要缺陷在于其精度有限，其仅引入了图案边缘之间的水平方向和垂直方向的优化，而忽略了斜向优化，从而影响失真补偿的准确性。此外，曼哈顿优化的规则繁琐复杂，灵活性差，难以适应新的工艺条件或设计规则的变化。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供，用于解决现有的曼哈顿掩膜光学邻近效应修正优化中存在的步骤复杂，精度有限以及修正自由度差的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第一方面提供一种曲线掩模opc修正方法，其特征在于，包括： 获取原始版图；从所述原始版图中提取多个采样点，并对所述多个采样点进行采样点拟合操作以生成待优化拟合区域；基于预设选点策略在所述待优化拟合区域的边界上选取多个控制点；对所述多个控制点执行多轮迭代优化后生成最优拟合区域，所述最优拟合区域为经光学邻近效应修正后的曲线掩模版。

3、于本申请的第一方面的一些实施例中，对所述多个控制点所执行的多轮迭代优化的过程包括：对所述待优化拟合区域进行仿真模拟以生成第一模拟版图；根据所述第一模拟版图和原始版图之间的差异计算得到当前轮迭代优化中的第一目标函数，并根据所述第一目标函数确定每个控制点的平移优化方向；按照所述平移优化方向将每个控制点进行相应平移优化，并基于平移后的所有控制点进行曲线拟合操作；对拟合得到的新区域进行仿真模拟以生成第二模拟版图；根据第二模拟版图和原始版图之间的差异更新所述第一目标函数为第二目标函数；将所述第二目标函数与预设阈值进行比较；若第二目标函数小于所述预设阈值，则输出所述第二模拟版图作为所述曲线掩膜版；否则，重复执行控制点平移优化、拟合区域更新及目标函数更新的操作，直至最新的目标函数小于所述预设阈值，并输出对应的模拟版图作为所述曲线掩膜版。

4、于本申请的第一方面的一些实施例中，将每个控制点沿所述移动优化方向进行平移的过程包括：将每个控制点沿其所在的曲线处的法向量进行正向或负向的移动。

5、于本申请的第一方面的一些实施例中所述待优化拟合区域的生成过程包括：在所述原始版图的边界上选取多个采样点；对多个所述采样点进行椭圆拟合或圆拟合，以生成包含有多个所述采样点的椭圆形区域或圆形区域。

6、于本申请的第一方面的一些实施例中，对多个所述采样点进行椭圆拟合的过程包括：通过聚类算法确定待拟合椭圆的中心坐标；计算所述多个采样点的协方差矩阵，以得到待拟合椭圆的半长轴长度和半短轴长度。

7、于本申请的第一方面的一些实施例中，所述预设选点策略包括如下任一种：以固定步长在所述待优化拟合区域的边界上选取多个所述控制点；以可变步长在所述待优化拟合区域的边界上选取多个所述控制点；所述可变步长的设定方式包括：在曲率半径较大的边界设定较大的可变步长，并在曲率半径较小的边界设定较小的可变步长。

8、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第二方面提供一种曲线掩模opc修正装置，其特征在于，包括：数据获取模块：用于获取原始版图；初步拟合模块：用于从所述原始版图中提取多个采样点，并对所述多个采样点进行采样点拟合操作以生成待优化拟合区域；拟合优化模块：用于基于预设选点策略在所述待优化拟合区域的边界上选取多个控制点；对所述多个控制点执行多轮迭代优化后生成最优拟合区域，所述最优拟合区域为经光学邻近效应修正后的曲线掩模版。

9、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第三方面提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现所述曲线掩模opc修正方法。

10、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第四方面提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品中包括计算机程序代码，当所述计算机程序代码在计算机上运行时，使得所述计算机实现所述曲线掩模opc修正方法。

11、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第五方面提供一种电子终端，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序；所述处理器执行所述计算机程序以实现所述曲线掩模opc修正方法。

12、如上所述，本申请的曲线掩模opc修正方法、装置、介质、程序产品及终端，具有以下有益效果：相较于现有的曼哈顿opc技术，本申请通过对控制点进行移动的方式对掩膜版进行修正，具有更高的修正自由度。优化后的掩膜边缘形状不再受限于曼哈顿优化法中的若干正交矩形。此外，该方法步骤简单，计算量小，能够有效避免过拟合，节省晶圆材料。本申请解决了现有曼哈顿掩膜光学邻近效应修正优化过程中步骤复杂、精度有限以及修正自由度不足的问题。

技术特征：

1.一种曲线掩模opc修正方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的曲线掩模opc修正方法，其特征在于，对所述多个控制点所执行的多轮迭代优化的过程包括：

3.根据权利要求2所述的曲线掩模opc修正方法，其特征在于，将每个控制点沿所述移动优化方向进行平移的过程包括：将每个控制点沿其所在的曲线处的法向量进行正向或负向的移动。

4.根据权利要求1所述的曲线掩模opc修正方法，其特征在于，所述待优化拟合区域的生成过程包括：

5.根据权利要求4所述的曲线掩模opc修正方法，其特征在于，对多个所述采样点进行椭圆拟合的过程包括：

6.根据权利要求1所述的曲线掩模opc修正方法，其特征在于，所述预设选点策略包括如下任一种：

7.一种曲线掩模opc修正装置，其特征在于，包括：

8.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述曲线掩模opc修正方法。

9.一种计算机程序产品，其特征在于，所述计算机程序产品中包括计算机程序代码，当所述计算机程序代码在计算机上运行时，使得所述计算机实现如权利要求1至6中任一项所述的曲线掩模opc修正方法。

10.一种电子终端，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序以实现权利要求1至6中任一项所述曲线掩模opc修正方法。

技术总结本申请提供曲线掩模OPC修正方法、装置、介质、程序产品及终端，通过从原始图像中提取采样点，利用采样点进行初步拟合并生成待优化的拟合区域。随后，根据目标函数对待优化的拟合区域进行多轮迭代优化，最终生成经过OPC修正的曲线掩膜版。相较于现有的曼哈顿OPC修正技术，本申请通过对控制点进行移动的方式对掩膜版进行修正，具有更高的修正自由度。优化后的掩膜边缘形状不再受限于曼哈顿优化法中的若干正交矩形。此外，该方法步骤简单，计算量小，能够有效避免过拟合，节省晶圆材料。因此解决了现有曼哈顿掩膜光学邻近效应修正优化过程中步骤复杂、精度有限以及修正自由度不足的问题。技术研发人员：朱钰受保护的技术使用者：华芯程（杭州）科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/2