薄膜晶体管阵列基板、显示面板和液晶显示装置的制作方法

本技术涉及显示，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板、显示面板和液晶显示装置。

背景技术：

1、液晶显示装置(lcd，liquid crystal display)具有画质好、体积小、重量轻、低驱动电压、低功耗、无辐射和制造成本相对较低的优点，目前在平板显示领域占主导地位。随着电子产品朝着轻、薄、小型化快速发展，各种携带式电子产品几乎都以液晶显示装置作为显示终端，特别是在摄录放影机、笔记本电脑、台式电脑、智能电视、智能手机、个人数字处理器等产品上。

2、液晶显示面板(panel)是液晶显示装置的关键零组件之一，液晶显示面板包括薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光片基板以及夹设在薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光片基板之间的液晶分子，通过在液晶显示面板的上下两侧分别贴附上偏光片和下偏光片，再由背光模组(backlight module)为液晶显示面板提供背光源，在电压信号的驱动作用下，使液晶分子发生不同程度的偏转，使光线穿过液晶显示面板而产生不同的显示灰阶，进行画面显示。

3、薄膜晶体管阵列基板包括多条扫描线和多条数据线，且多条扫描线和多条数据线相互交叉限定出多个像素单元，扫描线和数据线交叉位置处设置有薄膜晶体管(tft，thinfilm transistor)，薄膜晶体管元件就相当于一个电控开关，扫描线控制薄膜晶体管的打开和闭合，数据线提供液晶显示不同亮度所需要的灰阶电压。当在扫描线上施以高电压时，薄膜晶体管元件打开，灰阶电压就能从数据线进入像素电极，并经由透明像素电极施加于液晶层上，改变液晶的站立角度从而显示预定灰阶。图1为现有的一种薄膜晶体管阵列基板的局部平面结构示意图，图2为图1的局部截面结构示意图，请一并参阅图1和图2，现有的薄膜晶体管阵列基板包括基板1、栅极2、栅极绝缘层3、半导体层4、像素电极5、源极6a和漏极6b。栅极2形成在基板1上。栅极绝缘层3形成在基板1上并覆盖栅极2。半导体层4形成在栅极绝缘层3上并位于栅极2上方，半导体层4包括堆叠设置的有源层4a和位于有源层4a上方的欧姆接触层4b，半导体层4上还形成有沟道4c将欧姆接触层4b分隔两部分并露出下方的有源层4a。像素电极5形成在栅极绝缘层3上并与半导体层4分隔设置，源极6a和漏极6b形成在栅极绝缘层3上，源极6a和漏极6b彼此分隔并分别与半导体层4中的欧姆接触层4b一一接触，对应沟道4c位置的有源层4a从源极6a和漏极6b之间露出。漏极6b远离半导体层4层的一端还与像素电极5接触实现电连接。薄膜晶体管阵列基板还包括覆盖源极6a、漏极6b、像素电极5以及从源极6a和漏极6b之间露出部分的半导体层4的绝缘保护层(图未绘示)及设置在该绝缘保护层上的公共电极(图未绘示)等。

4、在制作上述的薄膜晶体管阵列基板过程中，在沟道4c蚀刻前，整块的薄膜晶体管阵列基板的源极6a和漏极6b通过欧姆接触层4b连通。在蚀刻沟道4c的过程中，蚀刻中产生的静电荷会很快迁移到电荷密度偏低区域(如像素电极5)。而在沟道4c蚀刻完毕，进一步过蚀刻有源层4a的过程中，蚀刻中于像素电极5区域产生的静电荷无法迁移，在与信号线(扫描线或数据线)间的电压超过薄膜晶体管器件所能承受的范围后，发生静电击穿，形成如图1所示的针孔7，使源极6a和漏极6b间短路。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种膜晶体管阵列基板、显示面板和液晶显示装置，能有效地避免薄膜晶体管器件发生静电击穿，提高产品的良率。

2、本实用新型实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括衬底和设置在所述衬底上的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极；所述半导体层包括有源层和堆叠在所述有源层上的欧姆接触层，所述半导体层上设有沟道；所述源极和所述漏极彼此分隔并分别与所述欧姆接触层接触；

3、所述薄膜晶体管阵列基板还包括：

4、第一电极，所述第一电极与所述源极和所述漏极间隔设置；

5、绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖所述第一电极、所述源极和所述漏极；所述绝缘保护层上设有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔设置在对应所述漏极的位置以使部分的所述漏极露出，所述第二通孔设置在对应所述第一电极的位置以使部分的所述第一电极露出；以及

6、第二透明电极层，包括间隔设置的桥接部和第二电极，所述桥接部设置在对应所述第一通孔和所述第二通孔的位置并填入所述第一通孔和所述第二通孔中与所述漏极和所述第一电极接触实现电连接。

7、进一步地，所述衬底上设有多条扫描线和多条数据线，且多条所述扫描线和多条所述数据线相互交叉限定出多个呈矩阵排列的像素单元，每个所述像素单元内设有至少一个所述薄膜晶体管；所述薄膜晶体管阵列基板包括在所述衬底上依次设置的第一金属层、栅极绝缘层、所述半导体层、第一透明电极层和第二金属层；所述第一金属层设置在所述衬底上，所述第一金属层包括所述栅极和所述扫描线；所述栅极绝缘层设置在所述衬底上并覆盖所述第一金属层；所述半导体层设置在所述栅极绝缘层上并位于所述栅极的上方；所述第一透明电极层设置在所述栅极绝缘层上，所述第一透明电极层包括所述第一电极；所述第二金属层设置在所述栅极绝缘层上，所述第二金属层包括所述源极、所述漏极和所述数据线，所述源极与所述数据线相连，所述沟道设置在所述源极和所述漏极之间，部分的所述有源层从所述沟道露出。

8、进一步地，所述漏极包括主体部、连接部和延伸部，所述连接部连接在所述主体部与所述延伸部之间，所述主体部一端与所述欧姆接触层接触，在垂直于所述衬底的方向上，所述延伸部和所述连接部均与所述第一金属层和所述第二电极不重叠；所述第一通孔设置在对应所述延伸部的位置。

9、进一步地，在对应每个所述薄膜晶体管的位置，所述第一通孔的数量为两个，所述第二通孔的数量为两个。

10、进一步地，所述延伸部与所述连接部呈“l”字型连接，所述延伸部与所述主体部平行设置。

11、进一步地，所述第一电极为板状，所述第二电极具有狭缝。

12、进一步地，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。

13、进一步地，所述第二透明电极层上设有分隔槽，所述分隔槽呈环状包围所述第一通孔和所述第二通孔以使所述桥接部与所述第二电极间隔设置。

14、本实用新型实施例还提供一种显示面板，包括上述的薄膜晶体管阵列基板。

15、本实用新型实施例还提供一种液晶显示装置，包括上述的显示面板。

16、本实用新型实施例提供的薄膜晶体管阵列基板通过在绝缘保护层上设置第一通孔和第二通孔，第一通孔设置在对应漏极的位置以使部分的漏极露出，第二通孔设置在对应第一电极的位置以使部分的第一电极露出；在第二透明电极层对应第一通孔和第二通孔的位置设置桥接部填入第一通孔和第二通孔中与漏极和第一电极接触实现电连接，能有效地避免薄膜晶体管器件发生静电击穿，提高产品的良率。

17、上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明。