粘合带及加工方法与流程

本发明涉及粘合带及使用其的加工方法。

背景技术：

1、在将半导体封装体、半导体晶片(以下，也称为“被粘物”)等单片化时，将半导体晶片加工用胶带贴附于被粘物，在划片时临时固定被粘物。由此，在单片化时能够防止芯片飞散。另外，在划片后，使半导体晶片加工用胶带扩展(expanding)，从半导体晶片加工用胶带拾取(剥离)经单片化的被粘物。

2、作为这样的半导体晶片加工用胶带，主要使用在对紫外线具有透过性的膜基材上涂布有利用紫外线照射而发生固化反应的粘合层的粘合带。在该紫外线固化型的加工用胶带中，通过在划片后对粘合层照射紫外线而使固化反应进行，由此可降低粘合层的粘合力，因此可容易地拾取经单片化的被粘物。

3、在上述拾取时，从粘合带的不与被粘物接触的背面，用顶起销将单片化的被粘物顶起，进行拾取。此时，从高效地制造高品质的电子部件的观点考虑，要求减少粘合带在被粘物上的残胶、而且即使是低销高度也能够以高收率拾取。

4、但是，在将粘合带贴附于被粘物时，如果粘合剂对被粘物的润湿性不良，则胶不能完全追随被粘物的台阶部等而产生气泡。如此，在紫外线照射时引起由氧阻聚等导致的粘合剂的固化不良，有时粘合剂在未固化的状态下残留在被粘物上。另外，若对被粘物的粘合力不足，则划片时切削水渗入被粘物与粘合带之间而污染被粘物、或者进而单片化的被粘物飞散。

5、因此，为补偿粘合剂对被粘物的润湿性，可考虑下述方法：增加粘合层的厚度，或配合低分子量成分、增粘剂等来提高粘合力，或降低粘合层的弹性模量来提高粘合力。然而，在这种情况下，有时粘合剂因由划片时刀片的旋转而产生的摩擦热而熔化、被刮起而导致粘合剂屑附着在被粘物上。另外，若在粘合剂被刮起的状态下利用紫外线照射进行固化，则存在下述情况：经单片化的被粘物被固定在粘合带上，低销高度条件下的拾取变得困难，或者即使能够拾取，在与被粘物的界面处也不能剥离而引起粘合剂自身的破坏，粘合剂残留在被粘物上。

6、作为抑制这样的粘合剂的刮起的方法，如专利文献1那样，公开了使用丙烯酸系聚合物和具有3个以上不饱和键的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。

7、现有技术文献

8、专利文献

9、专利文献1：日本特开2008-013692号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、但是，发现了在这样使用了丙烯酸系聚合物和具有3个以上不饱和键的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的情况下，虽然可抑制粘合剂的刮起，但紫外线照射后的粘合剂变得过硬。若在紫外线照射后粘合剂变得过硬，则会产生在拾取时用销从背面上推时固化后的粘合剂不能追随胶带的变形而破裂的现象。而且，若产生这样的胶破裂，则反而有可能成为残胶的原因。

3、因此，可考虑通过向聚合物中导入羧基并利用羧基的极性而确保与被粘物的润湿性。此时，羧基越多，则粘合力越上升，润湿性也提高，因此能够降低芯片飞散等的风险。但是，通过本申请的发明人的研究发现，羧基的含量越多，则在高温环境下长期保管的情况下粘合力缓缓降低，润湿性恶化，芯片飞散等的风险上升。

4、本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的是提供紫外线照射前的粘合力高且紫外线照射后的粘合力低、而且即使在高温环境下长期保管的情况下粘合力的降低也少的粘合带及加工方法。

5、用于解决课题的手段

6、本申请的发明人为了解决上述课题而进行了深入研究。结果发现，通过使用规定量的具有2级以上的胺基的胺化合物，可解决上述课题，从而完成了本发明。

7、即，本发明如下所述。

8、〔1〕

9、粘合带，其具备基材和层叠于该基材的至少一面的粘合层，

10、前述粘合层含有具有羧基的(甲基)丙烯酸系聚合物、具有2级以上的胺基的胺化合物和光聚合引发剂，

11、相对于前述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份而言，前述胺化合物的含量为0.1重量份以上，

12、前述粘合层的酸值为10mgkoh/g以上。

13、〔2〕

14、如〔1〕所述的粘合带，其中，相对于前述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份而言，前述胺化合物的含量为15重量份以下。

15、〔3〕

16、如〔1〕或〔2〕所述的粘合带，其中，前述胺化合物包含环状胺化合物。

17、〔4〕

18、如〔3〕所述的粘合带，其中，前述环状胺化合物包含脂环式胺。

19、〔5〕

20、如〔3〕或〔4〕所述的粘合带，其中，前述环状胺化合物包含1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛烷或其衍生物。

21、〔6〕

22、如〔1〕～〔5〕中任一项所述的粘合带，其中，前述粘合层的酸值为100mgkoh/g以下。

23、〔7〕

24、如〔1〕～〔6〕中任一项所述的粘合带，其中，前述(甲基)丙烯酸系聚合物在末端及/或侧链具有聚合性双键。

25、〔8〕

26、如〔1〕～〔7〕中任一项所述的粘合带，其中，前述(甲基)丙烯酸系聚合物具有下述式(1)表示的结构单元。

27、[化学式1]

28、

29、(式中，r1表示具有聚合性双键的有机基团，r2表示单键或碳原子数1～6的有机基团，r3表示氢原子或甲基。)

30、〔9〕

31、如〔1〕～〔8〕中任一项所述的粘合带，其中，前述粘合层包含异氰酸酯化合物，

32、相对于前述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份而言，该异氰酸酯化合物的含量为4.0重量份以下。

33、〔10〕

34、加工方法，其具有：

35、将〔1〕～〔9〕中任一项所述的粘合带与被粘物贴合的贴合工序；

36、在将前述粘合带与前述被粘物贴合的状态下对前述被粘物进行加工的划片工序；和

37、向该划片工序后的粘合带照射紫外线的紫外线照射工序，

38、前述被粘物为半导体晶片、半导体器件或各种半导体封装体。

39、发明效果

40、根据本发明，可以提供紫外线照射前的粘合力高且紫外线照射后的粘合力低、而且即使在高温环境下长期保管的情况下粘合力的降低也少的粘合带及加工方法。

技术特征：

1.粘合带，其具备基材和层叠于该基材的至少一面的粘合层，

2.如权利要求1所述的粘合带，其中，相对于所述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份而言，所述胺化合物的含量为15重量份以下。

3.如权利要求1或2所述的粘合带，其中，所述胺化合物包含环状胺化合物。

4.如权利要求3所述的粘合带，其中，所述环状胺化合物包含脂环式胺。

5.如权利要求3或4所述的粘合带，其中，所述环状胺化合物包含1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛烷或其衍生物。

6.如权利要求1～5中任一项所述的粘合带，其中，所述粘合层的酸值为100mgkoh/g以下。

7.如权利要求1～6中任一项所述的粘合带，其中，所述(甲基)丙烯酸系聚合物在末端及/或侧链具有聚合性双键。

8.如权利要求1～7中任一项所述的粘合带，其中，所述(甲基)丙烯酸系聚合物具有下述式(1)表示的结构单元，

9.如权利要求1～8中任一项所述的粘合带，其中，所述粘合层包含异氰酸酯化合物，

10.加工方法，其具有：

技术总结粘合带，其具备基材和层叠于该基材的至少一面的粘合层，前述粘合层含有具有羧基的(甲基)丙烯酸系聚合物、具有2级以上的胺基的胺化合物和光聚合引发剂，相对于前述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份而言，前述胺化合物的含量为0.1重量份以上，前述粘合层的酸值为10mgKOH/g以上。技术研发人员：木元裕纪,田中秀,野上浩子,莲见水贵受保护的技术使用者：电化株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/13