用于氧化钨移除的氟化钨浸泡及处理的制作方法

本发明的实施例关于电子装置及制造电子装置的方法与设备的领域。更具体地，本发明的实施例提供预清洁基板的方法。

背景技术：

0、现有技术的描述

1、大体上，集成电路(ic)指称一组的电子装置，例如，形成在通常为硅的半导体材料的小芯片上的晶体管。通常，ic包括一或多个金属化层，金属化层具有金属线以将ic的电子装置连接至另一个电子装置及至外部连接。通常，层间介电材料的层被放置在ic的金属化层之间以用于绝缘。

2、在后段工序(beol)处理期间，单独装置(例如，晶体管、电容、电阻、及类似物)与晶片上的布线互连。预清洁及/或蚀刻处理可造成在低k介电层中的氟的存在，这会致使在低k介电层中的碳损失。

3、因此，有着对于最小化半导体结构的介电层的氟含量的方法的需求。

技术实现思路

1、本发明的一或多个实施例关于处理基板的方法。此方法包含将包含氧化钨(wox)的基板浸泡在氟化钨(wf6)中以在大于或等于300℃的温度将氧化钨(wox)还原以形成钨(w)；及以包含氢(h2)、氦(he)、及氩(ar)的等离子体处理基板。

2、额外的实施例关于处理基板的方法。在一或多个实施例中，此方法包含：将包含氧化钨(wox)的基板浸泡在氟化钨(wf6)中以在大于或等于300℃的温度将氧化钨(wox)还原以形成钨(w)；及在大于或等于350℃的温度在基板上方流动氢(h2)气的气流。

技术特征：

1.一种处理基板的方法，所述方法包含：

2.如权利要求1所述的方法，其中所述基板被浸泡在大于或等于325℃的温度的氟化钨(wf6)中。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述基板被浸泡在大于或等于345℃的温度的氟化钨(wf6)中。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述基板被浸泡在氟化钨(wf6)中持续在从1秒至5分钟的范围中的时间期间。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体具有氢(h2)对于氦(he)及氩(ar)的比例为大于1：1。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述比例大于1：2。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述比例大于1：20。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化钨(wox)形成在绝缘层上。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述绝缘层包含低k材料。

10.如权利要求9所述的方法，其中以所述等离子体处理所述基板不增加所述低k材料中的氟的浓度。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体具有在从10毫托至500毫托的范围中的压力。

12.一种处理基板的方法，所述方法包含：

13.如权利要求12所述的方法，其中所述基板被浸泡在大于或等于325℃的温度的氟化钨(wf6)中。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述基板被浸泡在大于或等于345℃的温度的氟化钨(wf6)中。

15.如权利要求12所述的方法，其中所述氢(h2)气与惰性气体共伴流。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述惰性气体选自氦(he)、氩(ar)、及氙(xn)的一者或多者。

17.如权利要求12所述的方法，其中所述氧化钨(wox)形成在绝缘层上。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述绝缘层包含低k材料。

19.如权利要求18所述的方法，其中以所述等离子体处理所述基板不增加所述低k材料中的氟的浓度。

20.如权利要求12所述的方法，其中所述氢(h2)气在大于或等于450℃的温度在所述基板上方流动。

技术总结提供用于预清洁基板的方法。上方具有氧化钨(WO<subgt;x</subgt;)的基板被浸泡在氟化钨(WF<subgt;6</subgt;)中，氟化钨(WF<subgt;6</subgt;)将氧化钨(WO<subgt;x</subgt;)还原成钨(W)。随后，用氢处理此基板，例如，等离子体处理或热处理，以减少存在的氟含量，使得氟不侵入下方绝缘层。技术研发人员：王晓东,凯文·卡舍菲,汪荣军,尤适,基思·T·王,刘禹辰,黄雅希,陆勤受保护的技术使用者：应用材料公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25