用于竖直存储器阵列的晶体管配置的制作方法

本涉及用于竖直存储器阵列的晶体管配置。

背景技术：

1、存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可被编程为两个支持状态中的一个，通常由逻辑1或逻辑0标示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个状态，所述多于两个状态中的任一个可被存储。为存取所存储信息，组件可读取(例如，感测、检测、检索、识别、确定、评估)存储器装置中的所存储状态。为存储信息，组件可在存储器装置中写入(例如，编程、设置、指派)状态。

2、存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选存储器、硫族化物存储器技艺等。可在易失性配置或非易失性配置方面描述存储器单元。以非易失性配置配置的存储器单元即使在没有外部电源的情况下也可在很长一段时间内维持所存储逻辑状态。以易失性配置配置的存储器单元可在与外部电源断开连接时失去所存储状态。

技术实现思路

1、描述了一种设备。所述设备可包含：导电支柱，其延伸穿过存储器阵列的多个层级，其中在多个层级中的每一层级处，存储器阵列的一或多个存储器单元耦合在导电支柱与相应字线之间；第一晶体管，其可操作以至少部分地基于第一晶体管的栅极处的第一电压而将导电支柱与第一位线耦合；以及第二晶体管，其可操作以至少部分地基于第二晶体管的栅极处的第二电压而将导电支柱与第二位线耦合。

2、描述了一种方法。所述方法可包含：存取耦合在存储器裸片的导电支柱与存储器裸片的字线之间的存储器单元，存取存储器单元包括：至少部分地基于激活导电支柱与第一位线之间的第一晶体管而将导电支柱与第一位线耦合；至少部分地基于解除激活导电支柱与第二位线之间的第二晶体管而将导电支柱与第二位线隔离；用第一存取电压对字线进行偏置；以及用第二存取电压对第一位线进行偏置。

3、描述了一种设备。所述设备可包含：导电支柱；字线；存储器单元，其耦合在导电支柱与字线之间；第一晶体管，其具有耦合在导电支柱与第一位线之间的第一沟道部分；第二晶体管，其具有耦合在导电支柱与第二位线之间的第二沟道部分；以及控制器，其用于对存储器单元执行存取操作，控制器可操作以使设备：至少部分地基于激活第一沟道部分而将导电支柱与第一位线耦合；至少部分地基于解除激活第二沟道部分而将导电支柱与第二位线隔离；用第一存取电压对字线进行偏置；以及用第二存取电压对第一位线进行偏置。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中：

3.根据权利要求1所述的设备，其中：

4.根据权利要求1所述的设备，其中：

5.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述导电支柱经由电阻耦合件与电压源耦合，所述电阻耦合件具有大于与所述存储器单元中的每一个相关联的第二电阻的第一电阻。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述电阻耦合件的至少部分在所述存储器阵列的所述多个层级中的两个层级之间与所述导电支柱连接。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一晶体管为n型晶体管，并且所述第二晶体管为p型晶体管。

9.根据权利要求8所述的设备，其中：

10.根据权利要求9所述的设备，其中：

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器单元各自包括硫族化物存储元件。

12.一种方法，其包括：

13.根据权利要求12所述的方法，其中：

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一电压和所述第二电压为相同电压。

15.根据权利要求14所述的方法，其中：

16.根据权利要求14所述的方法，其中：

17.根据权利要求14所述的方法，其中：

18.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：

19.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：

20.一种设备，其包括：

21.根据权利要求20所述的设备，其中：

22.根据权利要求21所述的设备，其中所述第一电压和所述第二电压为相同电压。

23.根据权利要求22所述的设备，其中：

24.根据权利要求22所述的设备，其中：

25.根据权利要求20所述的设备，其中为对所述存储器单元执行第二存取操作，所述控制器能够操作以使所述设备：

技术总结本申请是针对用于竖直存储器阵列的晶体管配置。存储器装置可实施多晶体管架构，例如双晶体管架构，其可操作以将支柱与位线耦合。举例来说，存储器装置可包含延伸穿过存储器阵列的层级的导电支柱。所述支柱可经由第一晶体管与第一位线耦合且经由第二晶体管与第二位线耦合。为存取与所述支柱耦合的存储器单元，所述存储器装置可将与所述存储器单元耦合的字线偏置到第一存取电压，将所述位线中的一个偏置到第二存取电压，激活所述晶体管中的一个以将所述支柱与所述位线中的所述一个耦合，以及解除激活另一个晶体管以将所述支柱与所述位线中的另一个隔离。技术研发人员：F·贝代斯基受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15