存储器装置及其操作方法与流程

本公开的各种实施方式涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器装置和操作该存储器装置的方法。

背景技术：

1、存储器系统是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储器系统可包括存储数据的存储器装置以及控制存储器装置的存储控制器。存储器装置被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。

2、在非易失性存储器装置中，即使当供电中断时也保持所存储的数据。非易失性存储器装置的示例可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)和闪存。

3、非易失性存储器装置包括存储数据的存储器单元。存储在存储器单元中的数据可根据存储器单元的阈值电压增加的程度来分开。在三维(3d)存储器单元结构中，根据存储器单元的位置，存储器单元的特性可能彼此不同。当存储器单元的特性彼此不同时，即使相同的电压施加到存储器单元，存储器单元的阈值电压增加的程度也可能彼此不同。因此，在将数据存储在存储器单元中的编程操作期间施加的电压的大小、时间等可根据存储器单元的特性而不同地设定。

技术实现思路

1、本公开的各种实施方式涉及一种能够在编程操作期间改进存储器单元的阈值电压分布的存储器装置和操作该存储器装置的方法。

2、根据本公开的存储器装置的实施方式可包括：多个存储器单元，其联接到多条字线；外围电路，其被配置为执行确定多条字线当中的弱字线的字线测试操作；以及弱字线确定器。弱字线确定器可被配置为控制外围电路，使得在字线测试操作期间通过将通过第一预编程操作识别的第一截止单元的数量与通过第二预编程操作识别的第二截止单元的数量进行比较而获得的结果被存储在任一个存储块中。第一预编程操作是将预充电电压施加到共同联接到多个存储器单元的源极线，并且此后将预编程电压施加到多条字线当中的所选字线的操作。第二预编程操作是将接地电压施加到源极线，并且此后将预编程电压施加到所选字线的操作。

3、根据本公开的存储器装置的实施方式可包括：多个存储器单元，其联接到多条字线；外围电路，其被配置为执行将数据存储在多个存储器单元中的编程操作；弱字线信息存储部，其被配置为存储关于多条字线当中的弱字线的信息；以及编程操作控制器。编程操作控制器可被配置为控制外围电路，使得通过基于关于弱字线的信息比较字线，根据确定与从存储控制器提供的地址对应的所选字线是否为弱字线的结果来在第一编程模式或第二编程模式下执行编程操作。关于弱字线的信息包括通过将第一预编程操作与第二预编程操作进行比较而确定的信息，其中，第一预编程操作是将预充电电压施加到共同联接到多个存储器单元的源极线并增加多个存储器单元的阈值电压的操作，第二预编程操作是将接地电压施加到源极线并增加多个存储器单元的阈值电压的操作。

4、根据本公开的操作存储器装置的方法可包括以下步骤：基于关于弱字线的信息，通过将与从存储控制器提供的地址对应的所选字线与弱字线进行比较来确定所选字线是否为弱字线。该方法还可包括以下步骤：基于比较的结果将编程模式确定为第一编程模式和第二编程模式中的任一个编程模式，并且基于所述一个编程模式执行将数据存储在联接到所选字线的所选存储器单元中的编程操作。关于弱字线的信息包括通过比较第一预编程操作与第二预编程操作而确定的信息，第一预编程操作将预充电电压施加到共同联接到多个存储器单元的源极线并增加多个存储器单元的阈值电压，第二预编程操作将接地电压施加到源极线并增加多个存储器单元的阈值电压。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述弱字线确定器控制所述外围电路，使得当所述第一截止单元的数量和所述第二截止单元的数量之间的差大于截止单元的基准数量时，指示所述所选字线是所述弱字线的结果信息被存储在所述一个存储块中。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述弱字线确定器控制所述外围电路，使得当所述第一截止单元的数量和所述第二截止单元的数量之间的差小于或等于所述截止单元的基准数量时，指示所述所选字线是正常字线的结果信息被存储在所述一个存储块中。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，

5.一种存储器装置，该存储器装置包括：

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，关于所述弱字线的所述信息包括基于将通过所述第一预编程操作识别的第一截止单元的数量与通过所述第二预编程操作识别的第二截止单元的数量进行比较的结果而确定的信息。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，关于所述弱字线的所述信息包括关于与所述第一截止单元的数量和所述第二截止单元的数量之间的差大于截止单元的基准数量的存储器单元联接的字线的信息。

8.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，

9.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，使得当所述所选字线是弱字线时，在所述第一编程模式下执行所述编程操作，并且当所述所选字线是正常字线时，在所述第二编程模式下执行所述编程操作。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，使得：

12.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，使得：

13.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，使得：

14.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，使得：

15.一种操作存储器装置的方法，所述存储器装置包括联接到多条字线的多个存储器单元，所述方法包括以下步骤：

16.根据权利要求15所述的方法，其中，关于所述弱字线的所述信息包括关于与通过所述第一预编程操作识别的第一截止单元的数量与通过所述第二预编程操作识别的第二截止单元的数量之间的差大于截止单元的基准数量的存储器单元联接的字线的信息。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，将所述编程模式确定为所述第一编程模式和所述第二编程模式中的任一个编程模式的步骤包括以下步骤：

18.根据权利要求17所述的方法，其中，

19.根据权利要求17所述的方法，其中，在所述第一编程模式下所述多个存储器单元的沟道区域被预充电的时间段短于在所述第二编程模式下所述多个存储器单元的所述沟道区域被预充电的时间段。

20.根据权利要求17所述的方法，其中，

技术总结本公开涉及一种存储器装置及其操作方法，所述存储器装置包括：多个存储器单元，其联接到多条字线；外围电路，其被配置为执行将数据存储在多个存储器单元中的编程操作；弱字线信息存储部，其被配置为存储关于多条字线当中的弱字线的信息；以及编程操作控制器，其被配置为控制外围电路，使得根据通过基于关于弱字线的信息比较字线来确定与从存储控制器提供的地址对应的所选字线是否为弱字线的结果，在第一编程模式或第二编程模式下执行编程操作。技术研发人员：郑赞熙,崔亨进,朴世泉受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15