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半导体存储器装置及其操作方法与流程

  • 国知局
  • 2024-07-31 19:24:49

本公开涉及半导体存储器装置,更具体地,涉及具有改进的读取速度的半导体存储器装置及其操作方法。

背景技术:

1、半导体存储器装置可以形成为串水平布置在半导体基板上的二维结构,或者形成为串垂直层叠在半导体基板上的三维结构。三维存储器装置是被设计为解决二维存储器装置的集成度的限制的存储器装置,并且可以包括垂直层叠在半导体基板上的多个存储器单元。

技术实现思路

1、本公开的实施方式针对具有改进的读取速度的半导体存储器装置及其操作方法。

2、根据本公开的实施方式,半导体存储器装置包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑电路。所述存储器单元阵列包括多个存储器单元。所述外围电路被配置为对所述多个存储器单元中的被选存储器单元执行读取操作及/或验证操作。所述控制逻辑电路被配置为控制所述外围电路的所述读取操作和/或所述验证操作。所述控制逻辑电路被配置为控制所述外围电路将第一电压施加到与所述被选存储器单元连接的被选字线,使不包括所述被选字线的未选字线中的与所述被选字线相邻的未选字线浮置,在与所述被选字线相邻的所述未选字线被浮置的至少部分时段期间将低于所述第一电压的第一欠驱动电压施加到所述被选字线,并且将高于所述第一欠驱动电压且低于所述第一电压的第二电压施加到所述被选字线。

3、根据本公开的另一实施方式,通过操作半导体存储器装置的方法来执行对多个存储器单元的读取操作和/或验证操作。操作所述半导体存储器装置的方法包括以下步骤:将第一电压施加到与所述被选存储器单元连接的被选字线,并将读取通过电压施加到除了所述被选字线之外的未选字线;使所述未选字线中的与所述被选字线相邻的未选字线浮置;以及在与所述被选字线相邻的所述未选字线被浮置的至少部分时段期间将低于所述第一电压的第一欠驱动电压施加到所述被选字线。

4、根据本公开的又一实施方式,通过操作半导体存储器装置的方法来执行对多个存储器单元的读取操作和/或验证操作。操作所述半导体存储器装置的方法包括以下步骤:将第一电压施加到被选字线;将第一读取通过电压施加到不与所述被选字线相邻的未选字线;以及将大于所述第一读取通过电压的第二读取通过电压施加到与所述被选字线相邻的未选字线;使所述未选字线中的与所述被选字线相邻的所述未选字线浮置;以及在与所述被选字线相邻的未选字线被浮置的至少部分时段期间将低于所述第一电压的第一欠驱动电压施加到所述被选字线。

5、本技术可以提供具有改进的读取速度的半导体存储器装置及其操作方法。

技术特征:

1.一种半导体存储器装置,所述半导体存储器装置包括:

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中,

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置,其中,所述控制逻辑电路控制所述外围电路在所述第一电压被施加到所述被选字线时将所述读取通过电压施加到所述未选字线。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置,其中,所述控制逻辑电路控制所述外围电路在使所述与所述被选字线相邻的未选字线浮置时将所述读取通过电压施加到不与所述被选字线相邻的未选字线。

5.根据权利要求2所述的半导体存储器装置,其中,所述控制逻辑电路控制所述外围电路,在将高于所述第一欠驱动电压且低于所述第一电压的所述第二电压施加到所述被选字线时,将所述读取通过电压施加到所述未选字线。

6.根据权利要求2所述的半导体存储器装置,其中,在将所述第一读取电压施加到所述被选字线之后,所述控制逻辑电路控制所述外围电路使所述与所述被选字线相邻的未选字线浮置,在所述与所述被选字线相邻的未选字线被浮置时将低于所述第一读取电压的第二欠驱动电压施加到所述被选字线,并且将高于所述第二欠驱动电压且低于所述第一读取电压的第二读取电压施加到所述被选字线。

7.一种操作半导体存储器装置的方法,所述方法用于对多个存储器单元执行读取操作和验证操作中的至少一者,所述方法包括以下步骤:

8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述第一电压是所述读取通过电压。

9.根据权利要求8所述的方法,在将所述第一欠驱动电压施加到所述被选字线之后,所述方法还包括以下步骤:

10.根据权利要求9所述的方法,在将所述读取通过电压施加到所述与所述被选字线相邻的未选字线并且将所述第一读取电压施加到所述被选字线之后,所述方法还包括以下步骤:

11.根据权利要求7所述的方法,其中,所述第一电压是用于所述读取操作的第一读取电压。

12.根据权利要求11所述的方法,在将所述第一欠驱动电压施加到所述被选字线之后,所述方法还包括以下步骤:

13.一种操作半导体存储器装置的方法,所述方法用于对多个存储器单元执行读取操作和验证操作中的至少一者,所述方法包括以下步骤:

14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述第一电压是所述第一读取通过电压。

15.根据权利要求14所述的方法,在将所述第一欠驱动电压施加到所述被选字线之后,所述方法还包括以下步骤:

16.根据权利要求15所述的方法,其中,基于所述第一读取通过电压和所述第一欠驱动电压之间的差来确定所述第二读取通过电压。

17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述第二读取通过电压由下式来确定:

18.根据权利要求15所述的方法,在将所述第三读取通过电压施加到所述与所述被选字线相邻的未选字线并且将所述第一读取电压施加到所述被选字线之后,所述方法还包括以下步骤:

19.根据权利要求18所述的方法,其中,基于所述第一读取电压和所述第二欠驱动电压之间的差来确定所述第三读取通过电压。

20.根据权利要求19所述的方法,其中,所述第三读取通过电压由下式来确定:

21.根据权利要求18所述的方法,在将所述第二欠驱动电压施加到所述被选字线之后,所述方法还包括以下步骤:

技术总结本公开涉及一种半导体存储器装置及其操作方法。一种半导体存储器装置包括包含存储器单元的存储器单元阵列、执行被选存储器单元的读取/验证操作的外围电路、以及控制外围电路的读取/验证操作的控制逻辑电路。所述控制逻辑电路控制所述外围电路将第一电压施加到与所述被选存储器单元连接的被选字线,使未选字线中的与所述被选字线相邻的未选字线浮置,在与所述被选字线相邻的所述未选字线被浮置的至少部分时段期间将低于所述第一电压的第一欠驱动电压施加到所述被选字线,并且将高于所述第一欠驱动电压且低于所述第一电压的第二电压施加到所述被选字线。技术研发人员:曹恩雨,金宗佑受保护的技术使用者:爱思开海力士有限公司技术研发日:技术公布日:2024/1/15

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